公开(公告)号：CN102104034B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201010596401.X

申请日：2010-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载株 ,  金汉洙 ,  赵源锡 ,  张在薰 ,  曹雨辰

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8239 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18

CPC classification number: H01L23/3157 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/291 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。

公开(公告)号：CN105185784A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510684447.X

申请日：2010-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载株 ,  金汉洙 ,  赵源锡 ,  张在薰 ,  曹雨辰

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L23/3157 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/291 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。

公开(公告)号：CN105185784B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201510684447.X

申请日：2010-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载株 ,  金汉洙 ,  赵源锡 ,  张在薰 ,  曹雨辰

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L23/3157 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/291 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。

公开(公告)号：CN102104034A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010596401.X

申请日：2010-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载株 ,  金汉洙 ,  赵源锡 ,  张在薰 ,  曹雨辰

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8239 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18

CPC classification number: H01L23/3157 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/291 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。