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公开(公告)号：CN101521228A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910001436.1
申请日：2009-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/73 , H01L27/108 , H01L27/102
CPC classification number: H01L29/7391 , G11C11/404 , G11C2211/4016 , H01L21/84 , H01L27/1023 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/10873 , H01L27/1203 , H01L29/7841 , H01L29/8618
Abstract: 本发明提供半导体装置和包括该半导体装置的半导体设备。半导体装置包括设置在半导体基底上的主体区域、设置在半导体基底上和主体区域的相对的侧部上的栅极图案以及设置在主体区域的上表面上的第一和第二掺杂区域。栅极图案可以与第一和第二掺杂区域分开期望的距离或分开大于期望的距离的距离，从而沿与第一和第二掺杂区域垂直的方向，栅极图案不与第一和第二掺杂区域叠置。
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公开(公告)号：CN101615617A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910150850.9
申请日：2009-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/78 , H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/7841 , H01L21/84 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/10844 , H01L27/1203
Abstract: 本发明公开了一种半导体基底、半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：半导体基底；栅极图案，设置在半导体基底上；主体区，设置在栅极图案之上；第一掺杂区和第二掺杂区。栅极图案设置在主体区以及第一掺杂区和第二掺杂区之下。
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公开(公告)号：CN101727969B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN200910205251.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10802 , G11C11/404 , G11C2207/2227 , G11C2211/4016 , H01L21/84 , H01L27/10844 , H01L29/7841
Abstract: 本发明提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在将半导体装置的数据状态改变为第一状态的擦除模式下，将施加到所述漏区的漏极电压脉冲从启用状态转变至停用状态，然后，将施加到所述栅极区的栅极电压脉冲从所述启用状态转变为所述停用状态；在将半导体装置的数据状态改变为第二状态的写入模式下，将所述栅极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态，然后，将所述漏极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态。
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公开(公告)号：CN101651145B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910165721.7
申请日：2009-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14641 , H04N5/332 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N13/229 , H04N13/257
Abstract: 提供了一种三维图像传感器的像素阵列。该像素阵列包括多个单元像素图案，每一单元像素图案包括按照阵列形式排列的颜色像素以及距离测量像素。所述多个单元像素图案按照这样的方式排列，使得彼此相邻地安排距离测量像素组。
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公开(公告)号：CN101727969A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910205251.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10802 , G11C11/404 , G11C2207/2227 , G11C2211/4016 , H01L21/84 , H01L27/10844 , H01L29/7841
Abstract: 本发明提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在将半导体装置的数据状态改变为第一状态的擦除模式下，将施加到所述漏区的漏极电压脉冲从启用状态转变至停用状态，然后，将施加到所述栅极区的栅极电压脉冲从所述启用状态转变为所述停用状态；在将半导体装置的数据状态改变为第二状态的写入模式下，将所述栅极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态，然后，将所述漏极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101651145A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910165721.7
申请日：2009-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14641 , H04N5/332 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N13/229 , H04N13/257
Abstract: 提供了一种三维图像传感器的像素阵列。该像素阵列包括多个单元像素图案，每一单元像素图案包括按照阵列形式排列的颜色像素以及距离测量像素。所述多个单元像素图案按照这样的方式排列，使得彼此相邻地安排距离测量像素组。
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公开(公告)号：CN101556963B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810187116.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14679 , H01L27/14609 , H04N5/335 , H04N5/3355
Abstract: 一种子像素、单位像素、图像传感器及其操作方法。所述图像传感器包括按阵列布置的多个单位像素。每个单位像素包括配置为由具有相同波长的光照射的多个子像素。每个子像素包括多个浮体晶体管。每个浮体晶体管包括源区、漏区、位于源区和漏区之间的浮体区域以及在浮体区域上形成的栅电极。
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公开(公告)号：CN101521211B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910008035.9
申请日：2009-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/302 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/7841
Abstract: 本发明提供了半导体基底及其制造方法。所述半导体基底包括基底区域、绝缘区域和浮置主体区域。绝缘区域设置在基底区域上。浮置主体区域通过绝缘区域与基底区域分离，并设置在绝缘区域上。基底区域和浮置主体区域由具有相同特性的材料形成。制造半导体基底的方法包括以下步骤：通过蚀刻体基底，形成至少一个浮置主体图案；通过蚀刻浮置主体图案的中间部分，将体基底分离成基底区域和浮置主体区域；在浮置主体区域和基底区域之间填充绝缘材料。
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公开(公告)号：CN101556963A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810187116.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14679 , H01L27/14609 , H04N5/335 , H04N5/3355
Abstract: 一种子像素、单位像素、图像传感器及其操作方法。所述图像传感器包括按阵列布置的多个单位像素。每个单位像素包括配置为由具有相同波长的光照射的多个子像素。每个子像素包括多个浮体晶体管。每个浮体晶体管包括源区、漏区、位于源区和漏区之间的浮体区域以及在浮体区域上形成的栅电极。
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公开(公告)号：CN101521211A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910008035.9
申请日：2009-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/302 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/7841
Abstract: 本发明提供了半导体基底及其制造方法。所述半导体基底包括基底区域、绝缘区域和浮置主体区域。绝缘区域设置在基底区域上。浮置主体区域通过绝缘区域与基底区域分离，并设置在绝缘区域上。基底区域和浮置主体区域由具有相同特性的材料形成。制造半导体基底的方法包括以下步骤：通过蚀刻体基底，形成至少一个浮置主体图案；通过蚀刻浮置主体图案的中间部分，将体基底分离成基底区域和浮置主体区域；在浮置主体区域和基底区域之间填充绝缘材料。
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