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公开(公告)号：CN108088560A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711133632.5
申请日：2017-11-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G01J1/44
CPC分类号： H04N5/361 , G01J1/44 , G01J2001/446 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H04N5/35518 , H04N5/374 , G01J2001/444
摘要： 一种基于事件的传感器包括：伪像素，产生暗电流；电流镜，使用暗电流产生镜像电流；以及感测像素，基于入射光的强度产生感测电流，并且基于通过从感测电流中减去镜像电流而获得的光电流，输出指示是否感测到入射光的变化的激活信号。
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公开(公告)号：CN1542978A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410043024.1
申请日：2004-04-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/112 , G11C16/04
CPC分类号： H01L27/11568 , G11C16/0416 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/0207 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要： 本发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置，其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元陈列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列，其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可包括字节选择晶体管。该选择晶体管可以设置在有源区中，并且包括直接与每个该1字节存储晶体管的结相邻的结区。该字节选择晶体管可以垂直于该些1字节存储晶体管排列方向地设置在该些1字节存储晶体管的上面或下面。
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公开(公告)号：CN116133424A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211168507.9
申请日：2022-09-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括衬底，衬底包括单元区和外围区。着陆焊盘和接触插塞分别在单元区和外围区上。第一填料图案填充所述着陆焊盘之间以及所述接触插塞之间的区域。外部空隙在所述第一填料图案中，并且包括分别在单元区和外围区上的第一外部空隙和第二外部空隙。第二填料图案覆盖所述第一填料图案和所述接触插塞，并且填充所述第二外部空隙的至少一部分。内部空隙位于所述第二外部空隙中，并且由所述第二填料图案包围。第一填料图案和第二填料图案包括相同的材料。在单元区上，第二填料图案的至少一部分的位置低于着陆焊盘的顶表面的位置，并且第二填料图案的底表面通过第一外部空隙部分暴露出来。
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公开(公告)号：CN108089697B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201711097502.0
申请日：2017-11-09
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/01 , G06F3/147 , G06F1/3234
摘要： 提供了包括电力控制电路的基于事件的传感器。所述基于事件的传感器包括：像素阵列，具有多个像素，并且被配置为响应于感测像素阵列的输入来输出激活信号；控制器，被配置为基于激活信号或用户输入来输出用于选择性地向像素供电的控制信号，使得像素中的部分像素通电，同时像素中的其它像素断电。
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公开(公告)号：CN110874633A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910821984.2
申请日：2019-09-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06N3/063
摘要： 一种配置为处理多位神经形态操作的神经形态设备，包括单个轴突电路、单个突触电路、单个神经元电路和控制器。单个轴突电路配置为接收n位轴突的第i位作为第一输入。单个突触电路配置为存储m位突触权重的第j位作为第二输入，并输出第一输入和第二输入之间的突触操作值。单个神经元电路配置为基于输出的突触操作值获得n位轴突和m位突触权重之间的多位神经形态操作结果的每个位值。控制器配置为分别确定对于不同时间段的每个时间段要顺序地分配给单个轴突电路和单个突触电路的第i位和第j位。
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公开(公告)号：CN116490820A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180073414.5
申请日：2021-10-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G02F1/1362
摘要： 一种显示装置包括：第一基板，以矩形形状形成，包括上端、左端、右端和下端，并且包括延伸到下端的多个布线焊盘；显示层，设置在第一基板的前表面上；第二基板，设置在显示层的前表面上，包括与第一基板的上端、左端和右端相对应的上端、左端和右端以及比第一基板的下端更短的下端，并且被安装为使得第一基板的多个布线焊盘暴露；多个侧布线焊盘，设置在第一基板的下端和第二基板的下端上并且连接到多个布线焊盘；以及显示驱动电路，连接到多个侧布线焊盘。
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公开(公告)号：CN100367506C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410043024.1
申请日：2004-04-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/112 , G11C16/04
CPC分类号： H01L27/11568 , G11C16/0416 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/0207 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/792
摘要： 本发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置，其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元阵列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列，其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可包括字节选择晶体管。该选择晶体管可以设置在有源区中，并且包括直接与每个该1字节存储晶体管的结相邻的结区。该字节选择晶体管可以垂直于该些1字节存储晶体管排列方向地设置在该些1字节存储晶体管的上面或下面。
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公开(公告)号：CN1326245C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410001272.X
申请日：2004-01-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/12 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/792 , H01L29/7923 , Y10S438/954
摘要： 本发明公开了一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。
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公开(公告)号：CN113204140A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110150388.3
申请日：2021-02-03
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1333
摘要： 一种显示装置，包括：显示面板，被配置为显示图像；光源模块，设置在显示面板的后表面之后并且被配置为向显示面板发射光，光源模块包括玻璃基板和设置在玻璃基板的后表面之后的光源；以及后框架，覆盖显示面板和光源模块，其中，光源设置在玻璃基板与后框架之间。
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