-
公开(公告)号：CN117116904A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310584022.6
申请日：2023-05-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/522 , H10B41/20 , H10B41/35 , H10B41/41 , H10B43/20 , H10B43/35 , H10B43/40 , G11C5/06
摘要： 本发明公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统，该半导体器件包括：第一半导体结构，包括第一基板、在第一基板上的电路器件、以及连接到电路器件的下互连结构；以及在第一半导体结构上的第二半导体结构。第二半导体结构可以包括：具有第一区和第二区的第二基板；延伸穿过第二基板的基板绝缘层；延伸穿过基板绝缘层的着陆焊盘；栅电极，每个栅电极在第二区上具有拥有暴露的上表面的栅极焊盘区；以及栅极接触插塞，延伸穿过至少一个栅电极的栅极焊盘区并延伸到着陆焊盘中。着陆焊盘可以包括被基板绝缘层的内侧表面围绕的焊盘部分以及从焊盘部分延伸到下互连结构的通路部分。
-
公开(公告)号：CN114078873A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110905552.7
申请日：2021-08-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11526 , H01L27/11548 , H01L27/11573 , H01L27/11575
摘要： 一种集成电路器件，包括：衬底；外围电路结构，其设置在衬底上，该外围电路结构包括外围电路和连接到外围电路的下布线；导电板，其覆盖外围电路结构的一部分；单元阵列结构，其设置在外围电路结构上并且导电板介于其间，该单元阵列结构包括存储单元阵列和围绕该存储单元阵列的绝缘层；通孔，其在垂直于衬底顶面的方向上穿过绝缘层以连接到下布线；以及蚀刻引导构件，其设置在与导电板相同水平的绝缘层中，以与通孔的一部分接触。
-
公开(公告)号：CN1067182C
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：CN97125498.2
申请日：1997-12-12
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金承允
CPC分类号： H02J7/022 , H02M3/3385 , Y02B40/90
摘要： 电池再充电电路，能抵御供电电压变化而稳定工作。该电路包括：电压源：AC-DC转换器，将电压源的AC供电电压转换成DC电压，以产生充电电压；电压检测器，将充电电压与标准电压比较，当达到标准电压时产生电压控制信号；电流检测器，将充电电流与标准电流比较，当达到标准电流时产生电流控制信号；控制器，包括接在电压源与AC-DC转换器间的开关元件，以接通和切断电压源与AC-DC转换器间的通路而保持恒定的充电电压。
-
公开(公告)号：CN117641915A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311087691.9
申请日：2023-08-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体装置，包括：衬底上的下电路图案；下电路图案上的共源极板(CSP)；栅电极结构，其包括在CSP上沿基本上垂直于衬底的上表面的第一方向彼此间隔开的栅电极，栅电极中的每一个在基本上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；第一绝缘图案结构，其位于CSP的在第二方向上与栅电极结构相邻的部分上；第一划分图案，其在CSP上沿第三方向延伸，第三方向基本上平行于衬底的上表面并且与第二方向交叉，第一划分图案延伸穿过栅电极结构的与第一绝缘图案结构相邻的部分并且在第二方向上分离栅电极结构。
-
公开(公告)号：CN114446992A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111280096.8
申请日：2021-10-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/11568
摘要： 一种半导体器件，包括：图案结构；堆叠结构，包括在所述图案结构上在第一区域中堆叠并延伸到第二区域中的栅极层；存储器竖直结构，在所述第一区域中穿透所述堆叠结构；栅极接触插塞，在所述第二区域中电连接到所述栅极层；以及第一外围接触插塞，与所述栅极层间隔开，所述栅极层包括第一栅极层，所述栅极接触插塞包括电连接到所述第一栅极层的第一栅极接触插塞，所述第一栅极接触插塞和所述第一外围接触插塞的侧表面具有不同数量的上弯曲部，并且所述第一栅极接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量大于所述第一外围接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量。
-
公开(公告)号：CN1185050A
公开(公告)日：1998-06-17
申请号：CN97125498.2
申请日：1997-12-12
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金承允
CPC分类号： H02J7/022 , H02M3/3385 , Y02B40/90
摘要： 电池再充电电路,能抵御供电电压变化而稳定工作。该电路包括:电压源;AC－DC转换器,将电压源的AC供电电压转换成DC电压,以产生充电电压;电压检测器,将充电电压与标准电压比较,当达到标准电压时产生电压控制信号;电流检测器,将充电电流与标准电流比较,当达到标准电流时产生电流控制信号;控制器,包括接在电压源与AC－DC转换器间的开关元件,以接通和切断电压源与AC－DC转换器间的通路而保持恒定的充电电压。
-
公开(公告)号：CN118488709A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410097746.2
申请日：2024-01-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B43/20 , H01L29/10 , H01L23/528
摘要： 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：下电路图案，设置在基底上；公共源极板(CSP)，设置在下电路图案上；沟道连接图案，设置在CSP上；牺牲层结构，设置在CSP上并且与沟道连接图案间隔开；支撑层，设置在沟道连接图案和牺牲层结构上；第一栅电极结构和第二栅电极结构，包括堆叠在支撑层上并且彼此间隔开的栅电极；第一沟道，设置在CSP上，其中，第一沟道延伸穿过第一栅电极结构、支撑层和沟道连接图案；以及接触插塞，延伸穿过第二栅电极结构、支撑层、牺牲层结构和CSP，其中，接触插塞电连接到下电路图案。
-
公开(公告)号：CN116056461A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211083785.4
申请日：2022-09-06
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明公开了一种三维半导体存储器件和包括该三维半导体存储器件的电子系统。该三维半导体存储器件包括基板和在基板上的堆叠结构。该堆叠结构包括：在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上排列的第一块以及在第一块之间的第二块；分隔结构，在第一方向上延伸并在第二方向上布置在第一块之间以及在第一块和第二块之间；穿透第一块并接触基板的垂直沟道结构；以及穿透第二块和基板的贯穿通路结构。每个第一块在第二方向上的宽度等于第二块在第二方向上的宽度。
-
公开(公告)号：CN115132745A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210279465.X
申请日：2022-03-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L25/18
摘要： 一种半导体器件，包括：堆叠结构；以及绝缘结构，覆盖堆叠结构；竖直存储结构，穿透堆叠结构；以及分离结构，穿透堆叠结构并且具有位于比竖直存储结构的上表面高的高度处的上表面。堆叠结构包括沿竖直方向堆叠的三个栅堆叠组。三个栅堆叠组中的每个栅堆叠组包括沿竖直方向堆叠并且彼此间隔开的栅层。在最下栅层与最上栅层之间的高度处，竖直存储结构的侧表面包括存储侧表面坡度改变部，并且分离结构的侧表面包括分离侧表面坡度改变部，该分离侧表面坡度改变部设置在与存储侧表面坡度改变部中的一些存储侧表面坡度改变部基本上相同的高度处。
-
公开(公告)号：CN114068457A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110886149.4
申请日：2021-08-03
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/522
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：有源区；第一栅极结构，具有彼此相反的第一侧和第二侧；第一和第二金属接触；第一和第二沟槽；以及绝缘材料，填充第一沟槽以在有源区内形成第一有源切割部，其中第一有源切割部限定在有源区中的第一金属区域，第一金属接触位于第一金属区域中，该第一金属区域由沿着第一方向从第一有源切割部的起点延伸的第一虚拟线、从第一有源切割部的终点沿着第一方向延伸的第二虚拟线以及第一有源切割部围绕，从第一金属接触到第一虚拟线的第一距离小于从第一金属接触到第二虚拟线的第二距离，其中第一栅极结构和有源区重叠的区域沿着第一方向的长度比第一沟槽和第二沟槽中的每个在第一方向上的长度长。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.033 秒)