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公开(公告)号：CN111092020B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201911003926.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/31
Abstract: 一种用于制造半导体器件封装件的方法包括：将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中，所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分，并且由透光材料形成；通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分；以及对所述模制部分进行模制，以覆盖所述半导体器件。
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公开(公告)号：CN105390478B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201510497228.0
申请日：2015-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L25/16
Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体基板，第一划片线区和第一芯片区限定在第一半导体基板中；第一对准记号，位于第一半导体基板内部并且位于第一划片线区中，以与第一半导体基板的上侧分隔开；第二半导体基板，位于第一半导体基板上，第二划片线区和第二芯片区限定在第二半导体基板中；第二对准记号，位于第二半导体基板内部并且位于第二划片线区中，以与第二半导体基板的上侧分隔开，其中，第二半导体基板位于第一半导体基板上，使得第一对准记号的位置和第二对准记号的位置彼此对应。
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公开(公告)号：CN105390478A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510497228.0
申请日：2015-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L25/16
CPC classification number: H01L23/544 , B23K26/53 , H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2223/5448 , H01L2224/16225 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593
Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体基板，第一划片线区和第一芯片区限定在第一半导体基板中；第一对准记号，位于第一半导体基板内部并且位于第一划片线区中，以与第一半导体基板的上侧分隔开；第二半导体基板，位于第一半导体基板上，第二划片线区和第二芯片区限定在第二半导体基板中；第二对准记号，位于第二半导体基板内部并且位于第二划片线区中，以与第二半导体基板的上侧分隔开，其中，第二半导体基板位于第一半导体基板上，使得第一对准记号的位置和第二对准记号的位置彼此对应。
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公开(公告)号：CN115084066A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210231194.0
申请日：2022-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：第一半导体芯片，其包括第一芯片基板以及穿过第一芯片基板的第一贯穿通路；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上并包括第二芯片基板以及穿透第二芯片基板的第二贯穿通路；以及连接端子，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间以电连接第一贯穿通路和第二贯穿通路。该半导体器件进一步包括芯片间模制材料，该芯片间模制材料包括填充在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间并包围连接端子的填充部分、沿着第二半导体芯片的侧表面的至少一部分延伸的延伸部分以及从延伸部分突出的突出部分。
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公开(公告)号：CN113921477A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202011543548.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底；中介层，位于基底上；第一底部填料，位于基底与中介层之间；至少一个逻辑芯片和至少一个存储器堆叠件，位于中介层上；以及模制材料，位于中介层上，同时围绕所述至少一个逻辑芯片的侧表面和所述至少一个存储器堆叠件的侧表面。模制材料包括具有不同高度的区域。第一底部填料覆盖模制材料的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729279B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201910259386.0
申请日：2019-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H10B80/00 , H01L23/31
Abstract: 提供了一种半导体封装件和一种半导体器件。半导体封装件包括：封装衬底；第一半导体器件，在封装衬底的上表面上；第二半导体器件，在第一半导体器件的上表面上；第一连接凸块，附接到封装衬底的下表面；第二连接凸块，置于封装衬底与第一半导体器件之间并电连接到封装衬底和第一半导体器件；以及第三连接凸块，置于第一半导体器件与第二半导体器件之间并电连接到第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件具有边缘和在边缘处的台阶。
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公开(公告)号：CN114156241A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110534715.5
申请日：2021-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体封装件和用于制造半导体封装件的方法。该方法包括：在半导体芯片的侧表面上形成模制构件；使用粘合剂将载体基板附接到模制构件和半导体芯片的上表面；使用具有第一刀片宽度的第一刀片切掉载体基板的选定部分和粘合剂的位于载体基板的选定部分下面的部分，并使用第一刀片部分地切入到模制构件的上表面中以形成第一切割槽，其中载体基板的选定部分设置在模制构件的位于相邻的半导体芯片之间的部分上方；使用具有比第一刀片宽度窄的第二刀片宽度的第二刀片切穿模制构件的下表面以形成第二切割槽，其中第一切割槽和第二切割槽的组合将均包括由载体基板的切割部分支撑的半导体芯片的封装结构分隔开；将封装结构接合到封装基板的上表面。
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公开(公告)号：CN113725198A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110324901.6
申请日：2021-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/467
Abstract: 公开了半导体封装。该半导体封装包括封装基板、安装在封装基板上的第一半导体芯片、安装在第一半导体芯片的顶表面上的第二半导体芯片、以及填充封装基板与第一半导体芯片之间的空间的第一底部填充层。封装基板包括在封装基板中的腔、以及从封装基板的顶表面延伸并与腔流体连通的第一通风孔。第一底部填充层沿着第一通风孔延伸以填充腔。
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公开(公告)号：CN112397447A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010673029.1
申请日：2020-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L23/552 , B23K26/38
Abstract: 提供了半导体晶片及切割半导体晶片的方法。该切割半导体晶片的方法包括：提供半导体衬底、切割区域和金属屏蔽层，半导体衬底具有在半导体衬底的有源表面上的多个集成电路区域，切割区域提供在所述多个集成电路区域中的相邻的集成电路区域之间，并且金属屏蔽层跨过所述相邻的集成电路区域的至少一部分和切割区域提供在有源表面上；通过沿着切割区域将激光照射到半导体衬底内部来形成改性层；通过抛光半导体衬底的与有源表面相反的无源表面，使裂纹在垂直于金属屏蔽层的长轴方向的方向上从改性层传播；以及通过基于从改性层传播的裂纹分别分离所述相邻的集成电路区域来形成半导体芯片。
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公开(公告)号：CN112289767A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010226239.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括半导体芯片和下重新分布结构，半导体芯片包括芯片垫，下重新分布结构包括下重新分布绝缘层和下重新分布图案。下重新分布绝缘层可以包括面对半导体芯片的顶表面。半导体封装件还可以包括模塑层和位于模塑层中的导电柱，模塑层位于半导体芯片的侧面上并且包括面对下重新分布结构的底表面。导电柱可以包括接触下重新分布结构的底表面。下重新分布绝缘层的顶表面离导电柱的顶表面可以比模塑层的顶表面近。模塑层的顶表面的粗糙度可以大于导电柱的顶表面的粗糙度。
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