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公开(公告)号：CN102446863A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110306691.4
申请日：2011-10-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/98 , H01L21/56 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02372 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/83104 , H01L2224/94 , H01L2224/95001 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/1811 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。一种形成具有大容量和减小或最小化的体积的半导体封装件的方法包括以下步骤：利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上，其中，半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域；在多个第一半导体芯片中的第一个和第二个之间形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽，从而将半导体基底分成多个第一半导体芯片；将分别与第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到多个第一半导体芯片；形成模塑层以填充第一切割凹槽；在模塑层中形成具有比第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽，以将模塑层分成覆盖多个第一半导体芯片中的一个和多个第二半导体芯片中的相应的一个的各个模塑层。
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公开(公告)号：CN110943061A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910890602.1
申请日：2019-09-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/60
摘要： 公开了一种半导体封装，包括具有第一衬底通孔(TSV)的第一半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片和设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的第一粘合剂层。第二半导体芯片包括连接到第一衬底通孔的第二衬底通孔。第一粘合剂层的侧面从第一半导体芯片和第二半导体芯片的侧面凹进。
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公开(公告)号：CN101369561A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810129775.3
申请日：2008-08-18
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L23/49816 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/12105 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/3436 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供了一种半导体芯片封装件、电子装置及其制造方法。所述半导体芯片封装件包括：半导体芯片，包括具有键合焊盘的第一表面、面向第一表面的第二表面和侧壁；模制延伸部分，围绕半导体芯片的第二表面和侧壁；再分布图案，从键合焊盘延伸到模制延伸部分上，并电连接到键合焊盘；凸点焊球，位于再分布图案上；模制层，被构造为覆盖半导体芯片的第一表面和模制延伸部分，同时暴露每个凸点焊球的一部分。模制层在彼此相邻的凸点焊球之间具有凹月牙表面。
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公开(公告)号：CN113725198A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110324901.6
申请日：2021-03-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/467
摘要： 公开了半导体封装。该半导体封装包括封装基板、安装在封装基板上的第一半导体芯片、安装在第一半导体芯片的顶表面上的第二半导体芯片、以及填充封装基板与第一半导体芯片之间的空间的第一底部填充层。封装基板包括在封装基板中的腔、以及从封装基板的顶表面延伸并与腔流体连通的第一通风孔。第一底部填充层沿着第一通风孔延伸以填充腔。
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公开(公告)号：CN106328605B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610392256.0
申请日：2016-06-06
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和一体化的粘附结构，第一半导体芯片堆叠在封装基底上，其中，第一半导体芯片包括面对封装基底的第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片包括面对第一半导体芯片的第三表面和与第三表面相对的第四表面，一体化的粘附结构基本上连续地填充封装基底和第一半导体芯片之间的第一空间以及第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的第二空间。一体化的粘附结构包括从第一半导体芯片和第二半导体芯片的外侧壁突出的延伸部。延伸部具有在第一表面的水平和第四表面的水平之间的一个连续凸侧壁。
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公开(公告)号：CN106328605A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610392256.0
申请日：2016-06-06
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L23/31 , H01L23/28 , H01L23/3142 , H01L23/48 , H01L23/52
摘要： 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和一体化的粘附结构，第一半导体芯片堆叠在封装基底上，其中，第一半导体芯片包括面对封装基底的第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片包括面对第一半导体芯片的第三表面和与第三表面相对的第四表面，一体化的粘附结构基本上连续地填充封装基底和第一半导体芯片之间的第一空间以及第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的第二空间。一体化的粘附结构包括从第一半导体芯片和第二半导体芯片的外侧壁突出的延伸部。延伸部具有在第一表面的水平和第四表面的水平之间的一个连续凸侧壁。
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公开(公告)号：CN101364579A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810133973.7
申请日：2008-07-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/18 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要： 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法和包括该半导体封装的系统。在一个实施例中，半导体封装包括第一绝缘体以及具有第一有源表面和与第一有源表面相对的第一后表面的第一半导体芯片。第一半导体芯片置于第一绝缘体内。第一绝缘体暴露第一有源表面。第一绝缘体基本环绕第一后表面。半导体封装包括在第一绝缘体内并与第一半导体芯片的侧部相邻的柱。
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公开(公告)号：CN115602640A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210489897.3
申请日：2022-05-06
申请人： 三星电子株式会社(KR)
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/16 , H01L25/065 , H01L25/18
摘要： 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上；底部填充材料层，介于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间；以及第一坝体结构，设置在第一半导体芯片上。第一坝体结构沿第二半导体芯片的边缘延伸并且包括彼此间隔开且其间具有狭缝的单元坝体结构。第一坝体结构的上表面的竖直高度位于第二半导体芯片的下表面的竖直高度和第二半导体芯片的上表面的竖直高度之间。第一坝体结构的第一侧壁与底部填充材料层接触，并且包括与第二半导体芯片的面向第一坝体结构的第一侧壁的侧壁平行的平坦表面。
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公开(公告)号：CN115084066A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210231194.0
申请日：2022-03-10
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：第一半导体芯片，其包括第一芯片基板以及穿过第一芯片基板的第一贯穿通路；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上并包括第二芯片基板以及穿透第二芯片基板的第二贯穿通路；以及连接端子，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间以电连接第一贯穿通路和第二贯穿通路。该半导体器件进一步包括芯片间模制材料，该芯片间模制材料包括填充在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间并包围连接端子的填充部分、沿着第二半导体芯片的侧表面的至少一部分延伸的延伸部分以及从延伸部分突出的突出部分。
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