公开(公告)号：CN116266036A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211545329.7

申请日：2022-12-01

申请人： 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

发明人： 辛承敃 ,  朴相真 ,  崔海圆 ,  李章晋 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  克里科里安·安东 ,  元俊皓 ,  成进荣 ,  许弼覠

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/20

摘要： 提供了一种用于处理衬底的装置和方法。该装置包括：至少一个第一工艺室，被配置为将显影剂供应到衬底上；至少一个第二工艺室，被配置为使用超临界流体处理衬底；传送室，被配置为将衬底从至少一个第一工艺室传送到至少一个第二工艺室，同时在至少一个第一工艺室中供应的显影剂残留在衬底上；以及温湿度控制系统，被配置为通过将恒温恒湿的第一气体供应到传送室中来管理传送室的温度和湿度。

公开(公告)号：CN116027643A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211167154.0

申请日：2022-09-23

申请人： 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

发明人： 崔海圆 ,  辛承敃 ,  朴相真 ,  辛在原 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  科里亚金·安东 ,  元俊皓 ,  许弼覠

IPC分类号： G03F7/40

摘要： 提供了衬底处理设备和衬底处理方法，其中通过多级压力控制来控制注入到超临界干燥容器中的CO2的流速。所述衬底处理方法包括：将涂覆有化学液体的衬底设置在处理室中，所述处理室包括在其中处理所述衬底的空间；通过使用超临界流体来干燥所述衬底；以及在所述衬底被干燥后，将所述衬底从所述处理室中取出。

公开(公告)号：CN118050960A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311374488.X

申请日：2023-10-23

申请人： 细美事有限公司 ,  三星电子株式会社

发明人： 姜亨奭 ,  元俊皓 ,  许弼覠 ,  赵弘灿 ,  金日宁 ,  朴相真 ,  辛承敃 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/67

摘要： 本公开提供了一种基板处理装置，其包括：腔室，被配置成提供用于处理基板的空间；基板支承部，被配置成在腔室中支承基板；上部供应端口，设置在腔室的上部分中，并且被配置成向基板的上表面上供应超临界流体；凹部，设置在腔室的上壁中并且具有扩散器形状，扩散器形状的直径从上部供应端口的出口逐渐增大；以及流体挡板，在凹部中设置在上部供应端口与基板之间，并且包括以相同的相位和几何尺寸重复地布置在空间中并且彼此流体连通的单元格。

公开(公告)号：CN118116831A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310961085.9

申请日：2023-08-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 公开了一种衬底处理挡板、衬底处理装置、以及衬底处理装置制造方法。衬底处理挡板包括：板主体，具有沿第一方向延伸的中心轴线；以及上主体，在板主体上。上主体包括与上主体的顶表面连接的上引流路径。板主体包括：下引流路径，连接到上引流路径和板主体的底表面；以及耦接孔，延伸穿过板主体的顶表面。耦接孔包括放置孔。放置孔包括位置设置孔，该位置设置孔的宽度随着距板主体的顶表面的距离减小而减小。

公开(公告)号：CN117637523A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310524509.5

申请日：2023-05-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 公开了超临界流体供应装置、衬底处理装置和衬底处理方法。该衬底处理装置包括：干燥室，包括被配置为其中设置有衬底的干燥空间；以及超临界流体供应装置，被配置为向干燥室供应超临界流体。该超临界流体供应装置包括：流体供应罐；高温流体罐，被配置为在其中以第一温度存储从流体供应罐供应的流体；以及低温流体罐，被配置为在其中以与第一温度不同的第二温度存储从流体供应罐供应的流体。高温流体罐和低温流体罐在流体供应罐和干燥室之间并联连接。

公开(公告)号：CN109037094B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN102117698A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC分类号： H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

摘要： 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN101577226A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137129.6

申请日：2009-05-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 康大赫 ,  金伶厚 ,  洪昌基 ,  李根泽 ,  李在东 ,  严大弘 ,  韩政男

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法。绝缘层可以形成在具有接触区的目标体上。绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区的开口。包括硅和氧的材料层可以形成在暴露的接触区上。金属层可以形成在包括硅和氧的材料层上。包括硅和氧的材料层可以与金属层反应从而至少在接触区上形成金属氧硅化物层。导电层可以形成在金属氧硅化物层以填充开口。

公开(公告)号：CN118156173A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311575670.1

申请日：2023-11-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 提供一种挡板检查装置，并且该挡板检查装置包括：挡板，包括被配置为接收和喷射流体的喷射表面；上容器，耦接到挡板，使得挡板的喷射表面朝下；在上容器上方的上板，支撑所述上容器；在上容器下方的下容器，远离上容器和上板；在下容器的上表面上的压力测量传感器；在下容器的下表面上的下板，支撑下容器；以及支撑件，支撑上板和下板。上容器包括流路径管，该流路径管被配置为向挡板供应流体，使得流体从挡板的喷射表面喷射。

公开(公告)号：CN118099023A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311540119.3

申请日：2023-11-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC分类号： H01L21/67 ,  G01B11/27 ,  G01B11/02 ,  G01C9/00

摘要： 提供了一种衬底处理装置，包括：处理容器，具有处理空间；衬底支撑件，被配置为支撑衬底；流体供应器，被配置为将处于超临界状态的处理流体供应给处理空间；喷头组件，被配置为扩散处理流体；第一激光部，被配置为测量处理容器和喷头组件之间的水平对齐；第二激光部，被配置为测量处理容器和喷头组件之间的竖直对齐；以及控制器，被配置为基于所测量的水平对齐和竖直对齐来校正衬底、喷头组件和处理容器之一的位置，其中，第一激光部和第二激光部被配置为在处理容器内定位，并且在衬底上方移动。