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公开(公告)号:CN1750210A
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN200510008744.9
申请日:2005-02-25
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供了一种用于制造场发射电极的方法,包括如下步骤:将阴极和阳极浸入含有分散在其中的碳纳米管的电解液中,并且向所述阴极和阳极施加预定电压,使碳纳米管沉积到设置在阳极上的衬底上;回收所述衬底并将导电聚合物施加在其上沉积有碳纳米管的衬底表面上;以及,对它们进行热处理使导电聚合物固化。
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公开(公告)号:CN100472696C
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200510008744.9
申请日:2005-02-25
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供了一种用于制造场发射电极的方法,包括如下步骤:将阴极和阳极浸入含有分散在其中的碳纳米管的电解液中,并且向所述阴极和阳极施加预定电压,使碳纳米管沉积到设置在阳极上的衬底上;回收所述衬底并将导电聚合物施加在其上沉积有碳纳米管的衬底表面上;以及,对它们进行热处理使导电聚合物固化。
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公开(公告)号:CN101014230A
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200710003118.X
申请日:2007-01-31
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H05K3/16 , H05K3/4602 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/09763
Abstract: 在一种用于制造具有嵌入其间的薄膜电容器的印刷电路板的方法中,通过第一掩模溅射导电金属以形成下部电极。通过第二掩模溅射介电材料以形成介电层。通过第三掩模溅射导电金属以形成上部电极。在其中形成有上部电极的层积本体上层积绝缘层,并且从该绝缘层的顶表面至下部电极的顶表面以及从绝缘层的顶表面至形成在基板上的上部电极的顶表面穿过过孔。而且,对其中形成有过孔的层积本体进行电解镀和化学镀。
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公开(公告)号:CN1750211A
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN200510008746.8
申请日:2005-02-25
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供了一种用于制造场发射电极的方法,包括以下步骤:将碳纳米管和导电聚合物分散在DI(去离子)水中,以制备具有50cps至100cps粘度的碳纳米管混合物;将该碳纳米管混合物施于基片;以及热处理碳纳米管混合物以形成包含碳纳米管的导电聚合物层。
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公开(公告)号:CN100518446C
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200710003118.X
申请日:2007-01-31
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H05K3/16 , H05K3/4602 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/09763
Abstract: 在一种用于制造具有嵌入其间的薄膜电容器的印刷电路板的方法中,通过第一掩模溅射导电金属以形成下部电极。通过第二掩模溅射介电材料以形成介电层。通过第三掩模溅射导电金属以形成上部电极。在其中形成有上部电极的层积本体上层积绝缘层,并且从该绝缘层的顶表面至下部电极的顶表面以及从绝缘层的顶表面至形成在基板上的上部电极的顶表面穿过过孔。而且,对其中形成有过孔的层积本体进行电解镀和化学镀。
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公开(公告)号:CN101052276A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200710093737.2
申请日:2007-04-05
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H04R19/00 , H05K1/162 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0355 , H05K2201/09309 , H05K2203/0346 , H05K2203/0353 , Y10T29/417 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/435
Abstract: 一种嵌入PCB中的电容器的制造方法,包括:准备具有加强构件和形成在该加强构件的两个表面上的铜箔的覆铜箔层压(CCL)基板;平坦化该CCL基板的铜箔的表面;在该铜箔的平坦化表面上形成介电层;以及在该介电层上形成上电极。
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