公开(公告)号：CN102386070A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259627.5

申请日：2011-08-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  李卓泳 ,  朴种力

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、一种形成薄膜晶体管的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。形成多晶硅层的方法包括：在基底上形成缓冲层；利用氢等离子体处理所述缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成用于使所述非晶硅层晶化的金属催化剂层；以及对所述非晶硅层热处理以形成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102290335A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110167103.3

申请日：2011-06-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴承圭 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  郑胤谋 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  朴种力 ,  李卓泳 ,  郑在琓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种使硅层结晶的方法和制造薄膜晶体管的方法，该使硅层结晶的方法包括：在基板上形成催化剂金属层；在所述催化剂金属层上形成催化剂金属压盖图案；在所述催化剂金属压盖图案上形成第二非晶硅层；以及对所述第二非晶硅层进行热处理以形成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102270570A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110156773.5

申请日：2011-06-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  李卓泳 ,  朴种力

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明公开了一种使硅层结晶的方法及一种使用该方法制造薄膜晶体管的方法，使硅层结晶的方法包括：在基底上形成非晶硅层；对非晶硅层的表面执行疏水性处理，以在非晶硅层上获得疏水性表面；在经历过疏水性处理的非晶硅层上形成金属催化剂；以及热处理其上包括金属催化剂的非晶硅层，以使非晶硅层结晶成多晶硅层。

公开(公告)号：CN102222608A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110087389.4

申请日：2011-04-06

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  李吉远 ,  崔宝京

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开了一种使硅层晶化的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。在基底上的缓冲层上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成密度为大约1011原子/cm2至大约1015原子/cm2的催化剂金属层。随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中，在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种。对非晶硅层进行热处理，从而随着由晶化晶种长成硅晶体，形成多晶硅层。