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公开(公告)号：CN1828946B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200610057778.1
申请日：2006-02-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0248 , H01L31/036 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/042 , H01L31/0687 , H01L31/076 , H01L31/1876 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种叠层型光电动势装置，在支承基板上顺次形成有背面金属电极、在光电转换层中使用微晶硅的底部单元、在光电转换层中使用非晶硅的前部单元、和表面透明电极。对前部光电转换层中的杂质浓度和底部光电转换层中的杂质浓度中的至少一方进行控制，使得底部光电转换层中含有的杂质浓度高于前部光电转换层中含有的杂质浓度。杂质不包含p型掺杂或n型掺杂，是碳、氮、氧中的一种、两种或全部。
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公开(公告)号：CN1257568C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN00817739.2
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 池田博昭 , 藤本正久 , 藤谷伸 , 岛正树 , 八木弘雅 , 樽井久树 , 黑河宏史 , 浅冈贤司 , 松田茂树 , 堂本洋一 , 大下竜司 , 加藤善雄 , 中岛宏 , 樟本靖宏
CPC classification number: H01M4/13 , H01M2/0207 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M10/44 , H01M2010/4292
Abstract: 一种用于可再用锂电池的电极，具有诸如微晶或无定形硅薄膜之类的活性材料薄膜，所述薄膜在集电器上吸收/释放锂时膨胀和收缩，其特征在于，集电器的强度(＝集电器材料的每横截面的拉伸强度(N/mm2)×集电器的厚度(mm))是3.82N/mm或更大，所述活性材料薄膜由能够与锂形成混合物的活性材料构成，所述集电器由不能够与锂形成混合物的材料构成。
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公开(公告)号：CN1222064C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN00814646.2
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M2/0207 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M6/10 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M10/44 , H01M2010/4292
Abstract: 用于锂电池的一种电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，通过在厚度方向切割成柱而分割薄膜，并且每个柱的底部与集电器紧密接触。
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公开(公告)号：CN1257569C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN00817742.2
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 池田博昭 , 藤本正久 , 藤谷伸 , 岛正树 , 八木弘雅 , 樽井久树 , 黑河宏史 , 浅冈贤司 , 松田茂树 , 堂本洋一 , 大下竜司 , 加藤善雄 , 中岛宏 , 吉田智一
CPC classification number: H01M4/661 , H01M2/0207 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M10/44 , H01M2010/4292
Abstract: 一种用于可再充电锂电池的电极，其特征在于，把能够存储或释放锂的微晶或无定形硅薄膜等的活性材料薄膜，沉积在平板形集电器的相对着的表面上。
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公开(公告)号：CN1591933A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410083106.9
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M2/0207 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M6/10 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M10/44 , H01M2010/4292
Abstract: 用于锂电池的一种电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，把集电器成分扩散到薄膜中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1413364A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN00817738.4
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M10/44 , H01M2004/021 , H01M2010/4292
Abstract: 一种用于锂电池的电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，例如通过中间层在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，可以使中间层的材料与活性材料薄膜合金。
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公开(公告)号：CN1413363A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN00817741.4
申请日：2000-10-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01M4/1395 , H01M4/0404 , H01M4/0421 , H01M4/0426 , Y10T29/49002
Abstract: 一种可充电锂电池电极的制造方法，包括下列步骤：通过提供气相材料和利用一薄膜沉积工艺，沉积一活性材料构成的薄膜，该薄膜能在电流聚集极上与锂产生合金，而电流聚集极则由不能与锂产生合金的金属制成，其特征在于，该活性材料薄膜在能够通过电流聚集极成分在其两者之间界面附近扩散到薄膜中形成一混合层这一温度下沉积。
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公开(公告)号：CN102575343B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201080044569.8
申请日：2010-10-01
IPC: C23C16/44 , C23C16/24 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/24 , C23C16/325 , C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/481 , H01L21/68757
Abstract: 在催化CVD装置(100)中，保持体300)具有用于防止从催化剂丝(11)所放出的辐射线向基材(200)侧反射的防反射结构。
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公开(公告)号：CN100578818C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200610078178.3
申请日：2006-04-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 岛正树
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03767 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种叠层型光电动势装置，其包括：包含作为光电转换层起作用的第一半导体层的第一发电单元；和在上述第一发电单元上形成，包含作为光电转换层起作用的、实质上的本征非晶半导体的第二半导体层的第二发电单元，其特征在于：构成上述第一发电单元的第一半导体层的主要元素的第一密度，比构成上述第二发电单元的第二半导体层的主要元素的第二密度小。
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公开(公告)号：CN1893120A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100509.9
申请日：2006-06-30
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 岛正树
IPC: H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L31/03685 , H01L31/076 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的光电动势装置，在光入射侧配置有将非晶硅层(8)作为光电变换层的光电动势组件，在其后侧配置有将微晶硅层(5)作为光电变换层的光电动势组件，其特征在于，将利用红外吸收分光法测量作为光电变换层的非晶硅层(8)和微晶硅层(5)所得到的Si－H拉伸模式的峰值面积设定为I[Si－H]，将Si－O拉伸模式的峰值面积设定为I[Si－O]，将它们的比设定为α(＝I[[Si－O]/I[Si－H])时，第二光电动势组件的作为光电变换层的微晶硅层(5)的α2大于第一光电动势组件的作为光电变换层的非晶硅层(8)的α1，而且，第二光电动势组件的短路电流Isc2大于第一光电动势组件的短路电流Isc1。
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