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公开(公告)号：CN1366349A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01117410.2
申请日：2001-04-26
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66659 , H01L21/26586 , H01L29/7835
摘要： 本发明的课题是谋求工作耐压的提高。特征在于,具备:N+型源区9,与栅电极7的一端邻接;N－－型漏区5A和与该漏区5A相连地形成的N－型漏区5B,在上述第1栅绝缘膜4下至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值,在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低;N+型漏区10,离开上述栅电极7的另一端且被包含在上述N－型漏区5B中:以及N型层11,从上述第1栅绝缘膜4的一个端部起横跨上述N+型漏区10间。
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公开(公告)号：CN1855467A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610067985.5
申请日：2006-03-27
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/28 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/03 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05138 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/45124 , H01L2224/48463 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00015
摘要： 本发明提供一种具有由含铝的配线层构成的焊盘的半导体装置及其制造方法，可谋求其成品率的提高。本发明的半导体装置的制造方法包括：将形成在半导体衬底(10)最上层的第二配线层(22)(例如由铝构成)上的反射防止层(23A)(例如由钛合金构成)的一部分蚀刻除去的工序；形成覆盖反射防止层(23A)及未形成反射防止层(23A)的第二配线层(22)的一部分上，并且具有将第二配线层(22)的其他部分露出的开口部(24)的钝化层(25A)的工序；通过切割将半导体衬底(10)分离为多个半导体芯片的工序。由此，在开口部(24)内不露出反射防止层23A，可抑制现有例中出现的第二配线层(22)和反射防止层(23A)的电池反应引起的第二配线层22的溶出。
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公开(公告)号：CN1855467B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200610067985.5
申请日：2006-03-27
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/28 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/03 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05138 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/45124 , H01L2224/48463 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00015
摘要： 本发明提供一种具有由含铝的配线层构成的焊盘的半导体装置及其制造方法，可谋求其成品率的提高。本发明的半导体装置的制造方法包括：将形成在半导体衬底(10)最上层的第二配线层(22)(例如由铝构成)上的反射防止层(23A)(例如由钛合金构成)的一部分蚀刻除去的工序；形成覆盖反射防止层(23A)及未形成反射防止层(23A)的第二配线层(22)的一部分上，并且具有将第二配线层(22)的其他部分露出的开口部(24)的钝化层(25A)的工序；通过切割将半导体衬底(10)分离为多个半导体芯片的工序。由此，在开口部(24)内不露出反射防止层23A，可抑制现有例中出现的第二配线层(22)和反射防止层(23A)的电池反应引起的第二配线层22的溶出。
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公开(公告)号：CN1366348A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01117409.9
申请日：2001-04-26
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66659 , H01L21/26586 , H01L29/7835
摘要： 本发明的课题是谋求工作耐压的提高。本发明的半导体装置具有:栅电极4;以与该栅电极邻接的方式形成的低浓度的N－型漏区2;以及N+型漏区6,离开上述栅电极4的另一端且被包含在上述低浓度的N－型漏区2中,其特征在于:形成了中等浓度的N型层7A,该层处于至少从离上述栅电极4存在规定间隔的位置起横跨上述高浓度的N+型漏区6间的区域,在上述衬底1内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值,在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低。
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公开(公告)号：CN1280917C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN01117409.9
申请日：2001-04-26
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66659 , H01L21/26586 , H01L29/7835
摘要： 本发明的课题是谋求工作耐压的提高。本发明的半导体装置具有：栅电极(4)；以与该栅电极邻接的方式形成的低浓度的N-型漏区(2)；以及N+型漏区(6)，离开上述栅电极(4)的另一端且被包含在上述低浓度的N-型漏区(2)中，其特征在于：形成了中等浓度的N型层(7A)，该层处于至少从离上述栅电极(4)存在规定间隔的位置起横跨上述高浓度的N+型漏区(6)间的区域，在上述衬底(1)内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低。
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公开(公告)号：CN1258818C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN01117410.2
申请日：2001-04-26
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66659 , H01L21/26586 , H01L29/7835
摘要： 本发明的课题是谋求工作耐压的提高。特征在于，具备：N+型源区(9)，与栅电极(7)的一端邻接；N-型漏区(5A)和与该漏区(5A)相连地形成的N-型漏区(5B)，在上述第1栅绝缘膜(4)下至少在上述衬底内的规定深度的位置上具有杂质浓度峰值，在接近于衬底表面的区域中杂质浓度变低；N+型漏区(10)，离开上述栅电极(7)的另一端且被包含在上述N-型漏区(5B)中：以及N型层(11)，从上述第1栅绝缘膜(4)的一个端部起横跨上述N+型漏区(10)间。
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公开(公告)号：CN1373520A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN01121421.X
申请日：2001-04-26
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66659 , H01L29/0847 , H01L29/7835
摘要： 提供一种可提高工作耐压的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有在P型的半导体衬底1上通过栅极绝缘膜3形成的栅电极4、与该栅电极邻接地形成的低浓度N—型漏区2、与上述栅电极4隔开且包含在上述低浓度的N—型漏区2内的高浓度N+型漏区6,要形成中浓度的N型层7C,使得至少从上述栅电极4附近向上述高浓度N+型漏区6其杂质浓度变高。
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