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1.

发明授权
一种具有磁性镀层铜键合丝及其制备方法有权转让

公开(公告)号：CN106129033B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610606428.X

申请日：2016-07-29

申请人： 胡小青

发明人： 王汉清

IPC分类号： H01L23/49 , H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/4566 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01203 , H01L2924/01025 , H01L2924/00015

摘要： 一种具有磁性镀层铜键合丝，所述铜键合丝的元素质量百分比为：铜的质量百分比大于99.95%，硅的质量百分比为0.003%‑0.05%，银的质量百分比为0.001%‑0.005%，锰的质量百分比为0.005%‑0.01%，余量为不可避免的杂质；其特征在于，所述铜键合丝的外层依次包裹有磁性镀层和化学镀钯层。本发明生成的铜键合丝性能良好稳定，具有防氧化和抗电磁干扰的优点。

2.

发明授权
用于形状记忆合金导线的晶片级集成的方法有权

公开(公告)号：CN105719979B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201610090270.5

申请日：2011-11-22

申请人： 空气传感公司

发明人： S.布劳恩 , F.尼克劳斯 , A.菲舍尔 , H.格拉丁

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/007 , C22C19/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/94 , H01L2224/04042 , H01L2224/05571 , H01L2224/05599 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45155 , H01L2224/4813 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2224/85345 , H01L2224/85375 , H01L2224/85385 , H01L2224/85399 , H01L2224/858 , H01L2224/85855 , H01L2224/85899 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/01049 , H01L2924/00015 , H01L2924/20753 , H01L2924/01022

摘要： 本发明公开了一种将导线附着到基板的方法，其中所述导线被机械地附着到作为所述基板的一部分的3D结构。包括至少一个夹持结构，并且该方法包括下面的步骤：通过在所述导线的一部分与所述3D结构之间产生摩擦力或进行锚定，来固定所述导线，以及通过施加力来截断所述导线。本发明还公开了一种包括附着到基板的导线的装置，所述导线被配置为机械地附着到所述基板上的3D结构。所述基板包括具有至少一个夹持结构的固定对，并且所述导线被配置为至少通过所述固定对而被机械地固定到所述基板，并且通过导线结合器的结合毛细管和所施加的力被截断。本发明还公开了一种导线结合器。

3.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN107546138A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710494979.6

申请日：2017-06-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邵栋梁 , 萧义理 , 陈筱芸 , 董志航 , 余振华

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/11464 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13164 , H01L2224/13173 , H01L2224/16145 , H01L2224/1703 , H01L2224/17505 , H01L2224/211 , H01L2224/214 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/73217 , H01L2224/756 , H01L2224/7598 , H01L2224/81001 , H01L2224/81007 , H01L2224/811 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/83104 , H01L2224/92124 , H01L2224/92125 , H01L2224/92144 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06593 , H01L2924/00015 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/013 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2224/19 , H01L2224/11

摘要： 公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造器件的方法包括通过间隔件将第一半导体器件连接至第二半导体器件。第一半导体器件具有在第一半导体器件上设置的第一接触焊盘并且第二半导体器件具有在第二半导体器件上设置的第二接触焊盘。该方法包括在第一半导体器件的第一接触焊盘和第二半导体器件的第二接触焊盘之间形成浸没互连件。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

4.

发明授权
一种晶片型二极体封装元件及其制法有权

公开(公告)号：CN104319268B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201410605779.X

申请日：2014-10-31

申请人： 立昌先进科技股份有限公司

发明人： 连清宏 , 黄兴祥 , 黄兴材 , 许鸿宗

IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2224/2732 , H01L2224/2741 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/9221 , H01L2224/97 , H01L2924/00015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/12035 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/48

摘要： 本发明公开了一种晶片型二极体封装元件及其制法，晶片型二极体封装元件不具有外引脚，包括一封胶体，其内部包裹一颗以上的二极体晶片，每颗二极体晶片的底部及顶部，分别与两片呈180度镜射的导线架联结，除构成晶片型二极体封装元件的内电极之外，与该封胶体的外部两侧的外端电极，也构成电性接触，使得每颗二极体晶片通过此结构而产生半导体二极体特性；所述晶片型二极体封装元件的制法，使用不含铅制程，制得不具有外引脚的晶片型二极体封装元件，可满足国际上各项环保要求，不但可解决外引脚的尺寸精度问题，而且可提高封装速度与封装稳定度。

5.

发明授权
各向异性导电粘合剂及连接结构体有权

公开(公告)号：CN104520398B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201380041395.3

申请日：2013-09-17

申请人： 迪睿合电子材料有限公司

发明人： 波木秀次 , 蟹泽士行 , 石神明

IPC分类号： C09J9/02 , H01L21/60 , H01L23/36 , H01L33/00 , H05K7/20

CPC分类号： C09J163/00 , C08G59/24 , C08K3/08 , C08K3/10 , C08K9/02 , C08K9/12 , C09J9/02 , C09J11/00 , C09K5/14 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13144 , H01L2224/1403 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29144 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29369 , H01L2224/2939 , H01L2224/29418 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/29487 , H01L2224/2949 , H01L2224/3201 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81444 , H01L2224/81805 , H01L2224/81903 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/3841 , H05K3/323 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/05341 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/48 , H01L2924/00015 , H01L2924/0105 , H01L2924/01046 , H01L2924/00

摘要： 一种各向异性导电粘合剂包含：导电性粒子、导热性粒子、及使导电性粒子和导热性粒子分散的粘合剂成分。该导电性粒子含有树脂粒子和在该树脂粒子的表面上形成的导电性金属层。该导热性粒子是平均粒径小于导电性粒子的金属粒子，或是含有金属粒子和在该金属粒子的表面上形成的绝缘层且平均粒径小于导电性粒子的绝缘被覆粒子。

6.

发明授权
打线结构的制法有权

公开(公告)号：CN104347439B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201310325428.9

申请日：2013-07-30

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 林伟胜 , 洪隆棠 , 叶孟宏 , 谢智伦 , 朱育德

IPC分类号： H01L21/607

CPC分类号： B23K20/007 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4848 , H01L2224/85012 , H01L2224/85051 , H01L2224/8517 , H01L2224/85205 , H01L2224/85206 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599

摘要： 一种打线结构的制法，先提供具有焊垫的基板，再于该焊垫的表面上以磨擦方式形成焊线的球端，且磨擦方式的进行依环绕该焊垫表面周缘的路径为之。本发明的制法以绕圈方式形成该球端，所以能避免较小尺寸的球端由该焊垫上脱落的问题发生。

7.

发明授权
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN105492637B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580001736.3

申请日：2015-05-20

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 小山田哲哉 , 宇野智裕 , 出合博之 , 小田大造

IPC分类号： C22C5/06 , C22F1/14 , H01L21/60 , C22F1/00

CPC分类号： H01L24/45 , C22C5/10 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45101 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45117 , H01L2224/45138 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48479 , H01L2224/48507 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01005 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01004 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01203 , H01L2924/01044 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2224/48471 , H01L2924/00015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01033 , H01L2224/4554

摘要： 本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，包含总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上，其余量包含Ag和不可避免的杂质。

8.

发明授权
打线装置以及打线方法有权

公开(公告)号：CN104813457B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201380059828.8

申请日：2013-11-12

申请人： 株式会社新川

发明人： 关根直希 , 中泽基树 , 杜湧

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K20/007 , B23K20/004 , B23K20/005 , B23K20/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/78301 , H01L2224/78343 , H01L2224/78349 , H01L2224/789 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/859 , H01L2224/85986 , H01L2924/00014 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/20753 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554

摘要： 打线装置(10)包括供金属线(30)插通的毛细管(28)、未接合判定电路(36)及控制部(80)。未接合判定电路(36)对保持于毛细管的金属线与接合对象物之间施加规定的交流电气信号，并取得保持于毛细管的金属线与接合对象物之间的电容值，在第一接合处理后电容值降低时，判断为金属线自接合对象物被切断，在之后到达第二接合点之前电容值恢复时，判断为被切断的上述金属线垂下而接触于接合对象物。

9.

发明授权
带有引线框连接的功率覆盖结构有权

公开(公告)号：CN102956594B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201210291894.5

申请日：2012-08-16

申请人： 通用电气公司

发明人： A.V.高达 , P.A.麦康內李

IPC分类号： H01L23/495 , H01L25/07

CPC分类号： H01L23/495 , H01L21/50 , H01L23/3735 , H01L23/49531 , H01L23/49575 , H01L23/49811 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/24246 , H01L2224/29101 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/92144 , H01L2924/01029 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及带有引线框连接的功率覆盖结构。公开了一种合并引线框连接的功率覆盖(POL)封装结构。该POL结构(10)包括POL子模块(14)，其具有：介电层(30)；至少一个半导体装置(12)，其附连到介电层(30)上且其包括由半导体材料构成的基板和形成于基板上的多个连接垫；以及金属互连结构(38)，其电联接到至少一个半导体装置(12)的多个连接垫，其中金属互连结构(38)延伸通过介电层(30)中的通孔(36)以便连接到多个连接垫。该POL结构(10)还包括引线框(26)，其电联接到POL子模块(14)，其中引线框(26)包括引线(28)，引线(28)被配置成形成到外部电路结构(27)的互连。