利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

4 条记录 (耗时 0.021 秒)

    半导体装置的制造方法
    2.
    发明授权
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106169430B

    公开(公告)日：2019-03-15

    申请号：CN201610341995.7

    申请日：2016-05-20

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 角野翼 ,  日坂隆行 ,  中本隆博

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L33/62

    摘要： 得到如下半导体装置的制造方法，即，能够在半导体装置的配线层全部形成之前实施测试，能够针对晶体管单体进行测试，而不依赖于半导体装置的电路结构。在衬底(1)之上彼此独立地形成晶体管(2、3)、电路元件(4、5)以及多个接触焊盘(6a～6f)各自的底层配线。在形成有底层配线的衬底(1)之上的整个面形成第1供电层(14)。对第1供电层(14)进行图案化，形成使晶体管(2、3)的各端子与电路元件(4、5)独立并且分别与不同的接触焊盘连接的测试图案(25～28)。使用接触焊盘和测试图案，针对晶体管(2、3)单体进行测试。在测试之后，将晶体管(2、3)和电路元件(4、5)连接而形成电路。

    半导体装置的制造方法
    3.
    发明公开
    半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106169430A

    公开(公告)日：2016-11-30

    申请号：CN201610341995.7

    申请日：2016-05-20

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 角野翼 ,  日坂隆行 ,  中本隆博

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L33/62

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/823475 ,  H01L22/10 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066

    摘要： 得到如下半导体装置的制造方法，即，能够在半导体装置的配线层全部形成之前实施测试，能够针对晶体管单体进行测试，而不依赖于半导体装置的电路结构。在衬底(1)之上彼此独立地形成晶体管(2、3)、电路元件(4、5)以及多个接触焊盘(6a～6f)各自的底层配线。在形成有底层配线的衬底(1)之上的整个面形成第1供电层(14)。对第1供电层(14)进行图案化，形成使晶体管(2、3)的各端子与电路元件(4、5)独立并且分别与不同的接触焊盘连接的测试图案(25～28)。使用接触焊盘和测试图案，针对晶体管(2、3)单体进行测试。在测试之后，将晶体管(2、3)和电路元件(4、5)连接而形成电路。