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    半导体光通信元件
    1.
    发明公开
    半导体光通信元件 无效

    公开(公告)号：CN1979235A

    公开(公告)日：2007-06-13

    申请号：CN200610150367.7

    申请日：2006-10-30

    申请人： 冲电气工业株式会社

    发明人： 岛村知周 ,  久保田宗亲 ,  山田光志

    IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/24

    CPC分类号： H01S5/0265 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/204 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2231

    摘要： 本发明提供一种能够在低电源电压下工作、且不会产生光的波形劣化的半导体光通信元件。其中，在绝缘性衬底(11)上隔着分离区域在LD区域和EA区域，分别形成由n型下侧包层(12)、芯层(13)和p型上侧包层(14)构成的LD和EA。分离区域通过注入质子等形成从上侧包层(14)穿过芯层(13)和下侧包层(12)，到达衬底(11)的绝缘层(17)。由于LD与EA是电分离的，所以能够将LD的阴极和EA的阳极与公共接地电位连接，向LD的阳极施加正电源电压，向EA的阴极施加进行了正偏置的调制信号。从而使向LD施加的电源电压不受调制信号的影响。并且能够降低电源电路的最大供给电压。

    半导体激光器件
    2.
    发明授权
    半导体激光器件 失效

    公开(公告)号：CN1244973C

    公开(公告)日：2006-03-08

    申请号：CN03120052.4

    申请日：2003-02-06

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 八木哲哉 ,  吉田保明

    IPC分类号： H01S5/22

    CPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2227 ,  H01S2301/18

    摘要： 半导体激光器件，具有：第一电极；设置在所述第一电极上的第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一包覆层；位于所述第一包覆层上的有源层；位于所述有源层上的与第一导电类型不同的第二导电类型的第二包覆层；绝缘体层；部分设置于所述绝缘体层上的与所述第二包覆层的第一部分电气连接的第二电极，其特征在于，第一和第二包覆层由AlGaInP制成，其中绝缘体层覆盖第二包覆层的第二部分但不覆盖第二包覆层的第一部分，第二包覆层的第一部分比第二部分厚，且位于两个所述第二包覆层的第二部分之间，所述绝缘体层具有导热率和厚度，所述绝缘体层的层厚倒数与导热率之积小于4×108W/(m2·K)。

    电可调太赫激光振荡装置
    5.
    发明授权
    电可调太赫激光振荡装置 失效

    公开(公告)号：CN101512850B

    公开(公告)日：2011-08-31

    申请号：CN200780032896.X

    申请日：2007-12-20

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 关口亮太 ,  尾内敏彦

    IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/062

    CPC分类号： H01S1/02 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/06255 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3027 ,  H01S5/3031 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/3422

    摘要： 提供一种具有长振荡波长(THz)的振荡装置，其中波长可变宽度相对较宽，并且波长扫描速率相对较高。振荡装置包括：相对于将振荡的电磁波具有增益的增益介质(103)；用于使电磁波谐振的腔结构(104，105)；以及用于将泵浦能量注入增益介质的能量注入部件(121，122A)。增益介质被夹在第一负介电常数介质(102，112)与第二负介电常数介质(101，111)之间，所述负介电常数介质中的每一个的介电常数实部相对于所述电磁波均为负的。为第一负介电常数介质和第二负介电常数介质中的至少一个提供电场施加部件(122B)，从而施加电场，以便改变在与增益介质的边界部分形成的耗尽区。