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公开(公告)号：CN111316408B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880068708.7
申请日：2018-10-25
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。
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公开(公告)号：CN107851639B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201680046354.7
申请日：2016-09-29
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 提供一种电力用半导体装置，该电力用半导体装置能够使电力用半导体元件的电极与布线的连接可靠性比以往提高。具备半导体元件(5)、具有接合有半导体元件的电极层(1)的绝缘基板(10)、具有与半导体元件的上表面电极焊接并向上表面方向折弯的外部连接用端部(7d)的外部布线(7)、以及固定于绝缘基板的电极层的框体部件(8)，框体部件具有与外部连接用端部嵌合的嵌合部(8b)，外部布线具有向半导体元件侧突出的至少两个突起部(7b)。
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公开(公告)号：CN108475647A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780006451.8
申请日：2017-01-06
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 电力用半导体装置具有基板、和使用烧结性金属接合材料接合到基板上的半导体元件。半导体元件具有母材、设置于母材的基板侧的第1面的第1导电层、以及设置于母材的与第1面相向的第2面的第2导电层。第1导电层的厚度是第2导电层的厚度的0.5倍以上2.0倍以下。
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公开(公告)号：CN109155305A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201680085939.X
申请日：2016-05-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/3205 , H01L21/52 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L25/18
摘要： 在功率用半导体装置中，将半导体元件(3)的保护膜(33)的厚度尺寸设为小于上侧电极(34)的厚度尺寸，因此，不会因利用金属烧结体(2)进行接合时来自上方的加压而导致按压保护膜(33)，将骑上保护膜(33)的倾斜面(33a)的上侧电极(34)剥离的力不起作用，因此，上侧电极(34)不会产生开裂，保持了半导体元件(3)的稳固性。此外，将利用焊料(6)与半导体元件(3)的上侧电极(34)接合的引线(7)设为对线膨胀系数优化后的铜与殷瓦合金的覆层材料，由此可实现优于现有的引线接合中的铝布线的耐久性。
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公开(公告)号：CN107851639A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680046354.7
申请日：2016-09-29
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 提供一种电力用半导体装置，该电力用半导体装置能够使电力用半导体元件的电极与布线的连接可靠性比以往提高。具备半导体元件(5)、具有接合有半导体元件的电极层(1)的绝缘基板(10)、具有与半导体元件的上表面电极焊接并向上表面方向折弯的外部连接用端部(7d)的外部布线(7)、以及固定于绝缘基板的电极层的框体部件(8)，框体部件具有与外部连接用端部嵌合的嵌合部(8b)，外部布线具有向半导体元件侧突出的至少两个突起部(7b)。
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公开(公告)号：CN109155305B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201680085939.X
申请日：2016-05-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/3205 , H01L21/52 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/522 , H01L25/18
摘要： 在功率用半导体装置中，将半导体元件(3)的保护膜(33)的厚度尺寸设为小于上侧电极(34)的厚度尺寸，因此，不会因利用金属烧结体(2)进行接合时来自上方的加压而导致按压保护膜(33)，将骑上保护膜(33)的倾斜面(33a)的上侧电极(34)剥离的力不起作用，因此，上侧电极(34)不会产生开裂，保持了半导体元件(3)的稳固性。此外，将利用焊料(6)与半导体元件(3)的上侧电极(34)接合的引线(7)设为对线膨胀系数优化后的铜与殷瓦合金的覆层材料，由此可实现优于现有的引线接合中的铝布线的耐久性。
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公开(公告)号：CN111316408A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880068708.7
申请日：2018-10-25
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 电力用半导体装置具备：基板；以及半导体元件，在基板的第1面上使用烧结性金属接合材料接合，基板在第1面具有在比半导体元件的发热部的正下方更靠外侧的位置形成的多个凹坑，通过在形成凹坑后的基板上供给烧结性金属接合材料，并实施加热和加压，将半导体元件接合到基板。
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公开(公告)号：CN105408997A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041510.1
申请日：2014-07-31
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/473
CPC分类号： H01L23/473 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L2224/32225
摘要： 本发明的目的在于，能够缓和在矫正在将陶瓷电路基板30经由焊料等接合层5接合到散热器10a时发生的翘曲时对接合层5施加的变形集中，得到可靠性保证期间变长的功率半导体模块。在本发明的半导体模块100中，散热器10a具有：凸状部11，凸平面15具有比与接合层5的接合面积小的面积；第1阶梯部12，设置于凸状部11的端部，对应的部分的散热器10a的厚度比与凸状部11对应的部分的散热器10a的厚度薄；以及第2阶梯部13，设置于第1阶梯部12的端部，对应的部分的散热器10a的厚度比与第1阶梯部12对应的部分更薄，接合层在散热器的凸状部11以及第1阶梯部12处接合。
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公开(公告)号：CN114981937A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080093359.1
申请日：2020-08-13
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 提供一种半导体装置的制造方法，能够抑制在对接合材料接合半导体元件时该半导体元件破损。半导体装置的制造方法具备准备基板(1)的工序、供给的工序以及接合的工序。在供给的工序中，向基板(1)的表面(1a)上供给烧结性金属接合材料(22)。在接合的工序中，经由烧结性金属接合材料(22)将半导体元件接合到基板(1)。在供给的工序中，在基板(1)的表面(1a)上配置具有开口部(7)的金属掩模(6)，使用涂刷器(9)对在开口部(7)的内部露出的基板(1)的表面部分(1aa)供给烧结性金属接合材料(22)。在供给的工序中，在俯视时，被供给烧结性金属接合材料(22)的基板(1)的表面部分(1aa)和在金属掩模(6)中涂刷器(9)接触的接触区域(6aa)是隔开间隔地配置的。
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