公开(公告)号：CN108281479A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201710011800.7

申请日：2017-01-06

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 周飞

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7825 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7856

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底内具有相邻接的第一阱区和第二阱区；在第二阱区内形成第一隔离层，第一隔离层将第二阱区分为靠近第一阱区的第一区域、第二区域以及第三区域；形成栅极结构和第一掩膜栅结构；在栅极结构露出的第一阱区内和第一掩膜栅结构露出的第二阱区第二区域内分别形成源漏掺杂区。本发明技术方案能够延长第二阱区内源漏掺杂区与第一阱区内源漏掺杂区之间的距离，有利于延长所形成半导体结构源区与漏区之间的距离，延长半导体结构沟道导通后电流通道的长度，有利于提高半导体结构的耐压性能。

公开(公告)号：CN107123678A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201611242583.4

申请日：2016-12-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴俊庆 ,  王柏仁

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7823 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/404

摘要： 一种MOS晶体管，包括：衬底、第一区域、第二区域、源极区、漏极区、有源栅极堆叠件和伪栅极堆叠件。衬底具有第一导电性。具有第一导电性的第一区域形成在衬底中。具有第二导电性的第二区域形成在衬底中并且与第一区域相邻。具有第二导电性的源极区形成在第一区域中。具有第二导电性的漏极区形成在第二区域中。有源栅极堆叠件设置在第一区域上。伪栅极堆叠件设置在第二区域上，并且伪栅极堆叠件电连接至可变电压。本发明实施例涉及LDMOS晶体管。

公开(公告)号：CN107093632A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710090928.7

申请日：2017-02-20

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·施密特 ,  E·勒尔彻

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1095 ,  H01L21/04 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/266 ,  H01L21/34 ,  H01L21/40 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76202 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/66674

摘要： 一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括将第一导电类型的掺杂剂掺入到包括第一导电类型的基础掺杂的半导体衬底的附近本体区域部分中。第一导电类型的掺杂剂的掺入通过半导体衬底的边缘区域的至少一部分处的掩模结构来掩蔽。该方法还包括在半导体衬底中形成第二导电类型的晶体管结构的本体区域。半导体衬底的附近本体区域部分被定位成与晶体管结构的本体区域相邻。

公开(公告)号：CN106972050A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611100505.0

申请日：2016-12-02

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 林欣 ,  左江凯 ,  杨红凝 ,  程序 ,  张志宏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/0642

摘要： 一种装置包括：半导体衬底；掩埋掺杂隔离层，其被安置在所述半导体衬底中以隔离所述装置；漏极区，其被安置在所述半导体衬底中且在操作期间电压被施加到所述漏极区；以及耗尽区，其被安置在所述半导体衬底中且具有与所述掩埋掺杂隔离阻障和所述漏极区一样的导电类型。所述耗尽区在所述半导体衬底中达到一深度以与所述掩埋掺杂隔离层接触。所述耗尽区在所述掩埋掺杂隔离层与所述漏极区之间建立电链路，使得所述掩埋掺杂隔离层在低于施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下被偏压。

公开(公告)号：CN104112775B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410154514.2

申请日：2014-04-17

申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

发明人： K-H.格布哈特 ,  A.迈泽 ,  T.施勒泽 ,  M.施特拉泽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0653 ,  H01L27/088 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823

摘要： 公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。在半导体衬底中形成的半导体器件包括在半导体衬底中使半导体器件的相邻部件横向绝缘的隔离沟槽。横向隔离层布置在隔离沟槽中。半导体器件还包括源极区和漏极区以及布置在源极区和漏极区之间的主体区和漂移区。半导体器件附加地包括相邻于主体区的至少一部分的栅极电极和相邻于漂移区的至少一部分的场板。场介电层布置在漂移区和场板之间。场介电层的顶表面布置在比横向隔离层的顶表面更大的从半导体衬底的第一主表面测量的高度处。

公开(公告)号：CN106549052A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201510593413.X

申请日：2015-09-17

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 萧世楹 ,  洪佳民

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7823 ,  H01L21/441 ,  H01L21/471 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/47635 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/24 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7816

摘要： 本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制作方法。LDMOS晶体管包括一半导体基底、一绝缘结构、一栅极结构以及多个浮接电极。绝缘结构设置于半导体基底中。栅极结构设置于半导体基底上。浮接电极嵌入绝缘结构中，其中最接近栅极结构的浮接电极从绝缘结构的一上表面突出或栅极结构包括至少一分支部嵌入绝缘结构中，且浮接电极与栅极结构分离。

公开(公告)号：CN106486480A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610741795.0

申请日：2016-08-26

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 嘉屋旨哲 ,  中原宁

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L29/1087 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838 ,  H03K3/356 ,  H03K17/06 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H03K2217/0081

摘要： 本发明涉及半导体器件。实现了半导体器件的性能的提高。该半导体器件包括耦合晶体管，该耦合晶体管由p沟道MOSFET制成且形成在由p型半导体制成的基底上方的n-型半导体区域中。耦合晶体管具有作为p型半导体区域的resurf层，并且将低压电路区域耦合到高压电路区域，比供应给低压电路区域的电源电势高的电源电势供应给高压电路区域。半导体器件具有p型半导体区域，该p型半导体区域在平面图中形成在n-型半导体区域围绕耦合晶体管的部分中。

公开(公告)号：CN106206739A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610729114.9

申请日：2016-08-25

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  肖倩倩 ,  余洋 ,  詹珍雅 ,  张波

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7823 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634

摘要： 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P+接触区；P型区内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的三角形子区域61、62….6N；曲率结终端结构中的漏极N+接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区分别与直线结终端结构中的漏极N+接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区相连并形成环形结构，本发明通过对曲率终端结构中的P型区采用多窗口注入进而对N型漂移区浓度进行杂质补偿，从而降低N型漂移区的浓度，使得N型漂移区被低浓度的P型衬底完全耗尽，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

公开(公告)号：CN106057870A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610470538.8

申请日：2016-06-24

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 段文婷

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7823 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66681

摘要： 本发明公开了一种高压NLDMOS器件，在P型衬底中具有第一及第二N型深阱，第一N型深阱上具有场氧；第二N型深阱中还具有P阱；所述第一N型深阱作为NLDMOS器件的漂移区，第一N型深阱中含有NLDMOS器件的漏区，位于场氧的一侧；所述第二N型深阱中含有P阱，P阱中具有所述NLDMOS器件的源区以及重掺杂P型区；第二N型深阱靠近第一N型深阱的部分覆盖栅氧化层和多晶硅栅极；器件表面具有层间介质，层间介质上具有金属连线将器件电极引出；源、漏区层间介质上分别具有源端场板及漏端场板；第一N型深阱和P阱中，均具有P型注入层；所述的第一N型深阱中间位置的层间介质上覆盖有浮空的第二金属场板。本发明还公开了所述高压NLDMOS器件的工艺方法。

公开(公告)号：CN103367447B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310099192.1

申请日：2013-03-26

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  P.伊尔西希勒 ,  A.维尔梅罗特

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H02M3/155

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0826 ,  H01L27/0828 ,  H01L27/10841 ,  H01L27/10864 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/10 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/7926 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/88

摘要： 本发明涉及具有超级结晶体管和另外的器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体以及设置在半导体主体的第一器件区中的功率晶体管。功率晶体管包括至少一个源极区、漏极区和至少一个主体区、至少一个第一掺杂类型的漂移区和至少一个与第一掺杂类型互补的第二掺杂的补偿区以及被设置成邻近所述至少一个主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置也包括设置在半导体主体的第二器件区中的另外的半导体器件。第二器件区包括包围第一掺杂类型的第一半导体区的第二掺杂类型的阱状结构。所述另外的半导体器件包括设置在第一半导体区中的器件区。