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公开(公告)号：CN109461668A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811040713.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻，同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理，而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。
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公开(公告)号：CN109461668B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811040713.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻，同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理，而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。
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公开(公告)号：CN111192822A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010024306.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZnTe晶体进行倒角，物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺；然后将石墨烯转移至Si表面，或者将石墨烯转移至CZT表面，或者将石墨烯转移至CZT和Si表面，对两个晶体进行低温退火键合，避免过高的键合的问题，键合质量高，性能优异。
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公开(公告)号：CN111192822B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010024306.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZnTe晶体进行倒角，物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺；然后将石墨烯转移至Si表面，或者将石墨烯转移至CZT表面，或者将石墨烯转移至CZT和Si表面，对两个晶体进行低温退火键合，避免过高的键合的问题，键合质量高，性能优异。
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