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公开(公告)号:CN102433465A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201110419741.X
申请日:2011-12-14
申请人: 国核宝钛锆业股份公司 , 上海大学
IPC分类号: C22C16/00
摘要: 一种含铋锆合金由下述wt%的成份组成:Sn 0.4~1.0,Nb 0.2~1.2,Fe 0.2~0.4,Cr 0.05~0.3,Bi 0.005~0.4,余量为Zr和不可避免的杂质。本发明在360℃/18.6MPa/0.01M LiOH水溶液、400℃/10.3MPa过热蒸汽两种水化学条件下腐蚀时都表现出优良的耐腐蚀性能,明显优于ZIRLO合金。可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳、格架等堆芯结构体的材料。
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公开(公告)号:CN102660699A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201210150230.7
申请日:2012-05-16
申请人: 上海大学 , 国核宝钛锆业股份公司
IPC分类号: C22C16/00
摘要: 本发明涉及一种核电站燃料包壳用Zr-Sn-Nb-Fe-Si合金,属于锆合金材料技术领域。本发明的锆合金由下述wt%的成份组成:Sn0.3~1.0,Nb0.3~1.2,Fe0.1~0.5,Si0.005~0.08,余量为Zr。合金优选由下述成份组成:Sn0.4~0.7,Nb0.3~0.8,Fe0.2~0.4,Si0.008~0.03,余量为Zr。本发明的锆合金在两种水化学条件下均表现出优良的耐腐蚀性能,优于ZIRLO合金,可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳、格架等堆芯结构体的材料。
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公开(公告)号:CN102660699B
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201210150230.7
申请日:2012-05-16
申请人: 上海大学 , 国核宝钛锆业股份公司
IPC分类号: C22C16/00
摘要: 本发明涉及一种核电站燃料包壳用Zr-Sn-Nb-Fe-Si合金,属于锆合金材料技术领域。本发明的锆合金由下述wt%的成份组成:Sn0.3~1.0,Nb0.3~1.2,Fe0.1~0.5,Si0.005~0.08,余量为Zr。合金优选由下述成份组成:Sn0.4~0.7,Nb0.3~0.8,Fe0.2~0.4,Si0.008~0.03,余量为Zr。本发明的锆合金在两种水化学条件下均表现出优良的耐腐蚀性能,优于ZIRLO合金,可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳、格架等堆芯结构体的材料。
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公开(公告)号:CN105400997B
公开(公告)日:2018-04-27
申请号:CN201510902368.1
申请日:2015-12-09
申请人: 上海大学
CPC分类号: Y02E30/40
摘要: 本发明涉及一种能用作压水堆核电站燃料包壳以及定位格架条带等结构材料含锗铋的锆铌合金,属于锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为:0.9%~1.1%Nb,0.01%~0.1%Ge,0.1%~0.6%Bi,余量为Zr。合金元素优选范围为:0.9%~1.1%Nb,0.03%~0.08%Ge,0.2%~0.4%Bi。本发明的锆合金在400℃/10.3 MPa过热蒸汽和360 ℃/18.6 MPa去离子水中表现出优良的耐腐蚀性能,明显优于Zr‑1Nb合金,且加工性能良好,可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。
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公开(公告)号:CN104576885B
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201410806017.6
申请日:2014-12-18
申请人: 上海大学
摘要: 本发明的倒装LED封装构件,包括:基板、倒装LED芯片、导电层以及硅胶层;在所述基板上开设第一电极槽和第二电极槽,所述第一电极槽和所述第二电极槽之间形成阻隔件;设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内的导电层;所述倒装LED芯片的两电极分别对应设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内;所述硅胶层设置在所述倒装LED芯片表面。采用本方案的倒装LED封装构件,巧妙的利用在基板上开设的第一电极槽和第二电极槽,倒装LED芯片能够精准、便捷的设置在基板上,同时通过导电层固定倒装LED芯片,倒装LED芯片与基板互联更为简单,最后通过硅胶层实现倒装LED芯片的封装。
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公开(公告)号:CN105483444A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201510904398.6
申请日:2015-12-09
申请人: 上海大学
摘要: 本发明涉及一种用作压水堆核电站燃料包壳以及定位格架条带等结构材料锆铌铁系合金,属于锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为:0.8%~1.2%Nb,0.1%~0.4%Fe,10μg/g~100μg/gS,0.01%~0.2%Cu,0.01%~0.3%Bi,0.01%~0.2%Ge,余量为Zr。合金元素优选范围为:0.9%~1.1%Nb,0.1%~0.3%Fe,0.03%~0.07%Cu,0.04%~0.07%Bi,0.03%~0.07%Ge,余量为Zr。本发明的锆合金在400℃/10.3MPa过热蒸汽和360℃/18.6MPa去离子水中表现出优良的耐腐蚀性能,明显优于Zr-1Nb-0.15Fe合金,且加工性好,可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。
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公开(公告)号:CN103996784A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201410187633.8
申请日:2014-05-06
申请人: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC分类号: H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01L2924/16195 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/91 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及一种降低大功率LED热阻的封装结构及其制造方法。包括密封层、负电极、荧光片、金丝、LED芯片、金属互连层、正电极、通孔、基板、底部正电极、散热面、底部负电极。在芯片与基板互连过程中,芯片封装于基板中心位置,基板厚度0.7mm,有利于减小扩散热阻;回流焊接时固晶压力为2N~3N,大大减少互连层中空洞的产生,从而减小界面热阻;固晶材料选用AuSn,AuSn材料热导率高且产生空洞少;这样封装方法有利于降低界面热阻及扩散热阻,提高LED模块散热性能,从而改善LED的性能。
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公开(公告)号:CN102605213B
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201110428539.3
申请日:2011-12-20
申请人: 上海大学
CPC分类号: Y02E30/40
摘要: 本发明涉及一种能用作轻水堆核电站燃料包壳以及定位格架条带等结构材料含锗的锆锡铌合金,属于锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为:0.3%~1.5%Sn,0.1%~1.2%Nb,0.03%~0.4%Fe,0.02%~0.3%Cr,0.01%~0.8%Ge,余量为Zr。合金元素优选范围为:0.5%~1.0%Sn,0.2%~1.0%Nb,0.1%~0.35%Fe,0.03%~0.2%Cr,0.05%~0.5%Ge。本发明的锆合金在360℃/18.6MPa/0.01MLiOH水溶液中均表现出优良的耐腐蚀性能,明显优于Zr-4合金,且加工性好,可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。
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公开(公告)号:CN103451475A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201310398812.1
申请日:2013-09-05
申请人: 上海大学
CPC分类号: Y02E30/40
摘要: 本发明涉及一种能用作压水堆核电站燃料包壳以及定位格架条带等结构材料含硫高Nb的锆锡铌合金,属于锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为:0.3%~1.5%Sn,0.2%~1.2%Nb,0.1%~0.6%Fe,0~0.2%Cr,0.0005%~0.06%S,余量为Zr。合金元素优选范围为:0.6%~1.0%Sn,0.2%~1.0%Nb,0.1%~0.5%Fe,0.05%~0.15%Cr,0.0005%~0.06%S。本发明的锆合金在400℃过热蒸汽中均表现出优良的耐腐蚀性能,明显优于ZIRLO合金,可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。
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公开(公告)号:CN103178193A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201310106339.5
申请日:2013-03-29
申请人: 上海大学
CPC分类号: H01L24/32 , H01L2224/27013 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种防止大功率发光二极管芯片偏移的封装结构,在封装体内设置密封槽,在密封槽内,LED芯片的一端通过金属互连层与正电极表面部分焊接实现键合连接,密封槽主要由在安装LED芯片的焊接位置处制的防偏移凹槽形成,使LED芯片以间隙配合方式固定嵌入设置于防偏移凹槽内,防偏移凹槽作为芯片安装凹槽约束LED芯片的安装位置偏移,从而简化LED回流工艺,提高生产效率及可靠性。本发明还公开了该封装结构的制备工艺,通过刻蚀工艺或者精密机械加工技术制作一个比LED芯片尺寸略大的防偏移凹槽,优化回流焊接或共晶焊接,提高了发光二极管的生产效率及可靠性,提高封装的对位精度及美观,使发光二极管的出光均匀性显著提高。
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