-
公开(公告)号：CN101937878B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201010241550.4
申请日：2010-07-30
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/02 , H01L27/115
摘要： 本发明公开了一种存储器以及制造存储器的方法。该制造存储器的方法包括：存储器多晶硅刻蚀步骤，用于形成刻蚀后的存储器多晶硅层；栅极多晶硅刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的存储器多晶硅层上形成刻蚀后的栅极多晶硅层；以及字线刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的栅极多晶硅层上刻蚀字线，并去除栅极多晶硅刻蚀步骤中产生的多晶硅残留；其中，栅极多晶硅刻蚀步骤之后，刻蚀后的栅极多晶硅层在刻蚀后的栅极多晶硅层平面的三个方向上覆盖刻蚀后的存储器多晶硅层。根据本发明的制造存储器的方法不仅能够在制造存储器的同时制造出PPS电容器，并且能够避免由于消除栅极多晶硅残留而产生硅衬底凹陷。
-
公开(公告)号：CN101593703B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN200910049793.5
申请日：2009-04-22
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
发明人： 孔蔚然
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/10
摘要： 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法及其器件，其制造方法为：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面上形成一绝缘层；在所述绝缘层上形成一凹槽；分别在所述凹槽侧壁下方的半导体衬底内形成轻掺杂漏极区；在所述凹槽的侧壁上分别形成栅极侧墙；在所述栅极侧墙之间的凹槽表面上形成栅极介电层；在所述栅极侧墙和栅极介电层围成的收容空间内形成栅极；去除所述绝缘层；在所述栅极侧墙两侧的半导体衬底内，分别形成源极区和漏极区。本发明的制造方法突破了光刻设备能够实现的最小栅长的限制，缩小了源极区和漏极区之间形成的沟道长度；依照上述方法形成的器件有助于增强器件的开启电流，减小短沟道效应导致的漏电。
-
公开(公告)号：CN102569327A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210061931.3
申请日：2012-03-09
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
发明人： 孔蔚然
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/374
摘要： 本发明公开了一种内置菲涅耳透镜的图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括多个菲涅耳透镜以及多个感光元件，所述菲涅耳透镜和感光元件一一对应设置。本发明将菲涅耳透镜集成到图像传感器中，所述菲涅耳透镜和感光元件一一对应设置，利用菲涅耳透镜替代了传统的微透镜，制造工艺简单，且能够提高图像传感器的填充系数。
-
公开(公告)号：CN102568558A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210048689.6
申请日：2012-02-28
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
CPC分类号： G11C5/06 , G11C7/00 , G11C7/18 , G11C16/0416 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11519 , H01L27/11565
摘要： 一种存储器及其操作方法。所述存储器包括包含多个共源极存储单元的存储单元阵列，所述多个共源极存储单元分别包括两个子存储单元，各个子存储单元分别对应一条位线，并且各条位线的电性独立。本发明存储器中的各个子存储单元分别对应一条位线，并且各条位线的电性独立，从而在编程操作过程中，就可以有效地避免对其他不需要编程操作的存储单元的串扰。
-
公开(公告)号：CN102543210A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210030422.4
申请日：2012-02-10
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C29/44
摘要： 根据本发明的闪存错误检查及纠正修复方法包括：初始测试步骤，用于使闪存通过晶圆级测试以及封装级测试；应用步骤，用于将闪存应用至特定应用领域；第一判断步骤，用于判断是否存在擦除动作；其中，当第一判断步骤中判断存在擦除动作时读取整个擦除区域；在读取整个擦除区域之后执行第二判断步骤，用于判断是否存在读取失效。当第二判断步骤中判断存在读取失效时执行用于判断是否存在行失效的第三判断步骤。当第三判断步骤中判断存在行失效时执行用于判断冗余扇区是否失效的第四判断步骤。当第四判断步骤中判断冗余扇区失效时利用冗余扇区来进行修复。
-
公开(公告)号：CN101673682B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910196450.1
申请日：2009-09-25
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3105
摘要： 本发明提供一种晶片刻蚀方法，晶片依次具有基底层、基础器件层和第二器件层，第二器件层和基础器件层之间采用氧化硅层隔开，并且第二器件层的外周以及未被第二器件层覆盖的基础器件层表面也覆盖有氧化硅层，所述方法包括以下步骤：对氧化硅层表面进行离子植入；对氧化硅层进行湿法刻蚀，停止在基础器件层上表面。本发明提出的方法，通过向氧化硅层定向注入离子，使得氧化硅表层结构疏松，刻蚀速率变快，侧壁由于没有注入离子，保持了原有的刻蚀速率，从而加快了刻蚀工序的时间，减少了氧化硅纵向侧壁侵蚀程度。
-
公开(公告)号：CN102436151A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110436366.X
申请日：2011-12-22
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明提供了一种光刻版图的形成方法，包括：提供待形成光刻版图的光刻版，所述光刻版具有多个单元区、环绕每个单元区的保护区和隔离相邻保护区的切割道；若保护区尺寸≤(第一尺寸-切割道尺寸)/2时，在单元区形成第一尺寸对准图形和第二尺寸对准图形；若(第一尺寸-切割道尺寸)/2＜保护区尺寸≤(第二尺寸-切割道尺寸)/2时，在保护区和与保护区相邻的切割道内形成第一尺寸对准图形，在单元区形成第二尺寸对准图形；若保护区尺寸＞(第二尺寸-切割道尺寸)/2时，在保护区和与保护区相邻的切割道形成第一尺寸对准图形和第二尺寸对准图形。本发明实施例的方法，节约了单元区的数量，提高了芯片的成品数量。
-
公开(公告)号：CN101996861B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910194450.8
申请日：2009-08-17
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
发明人： 孔蔚然
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/528
摘要： 一种电感器及其形成方法。其中电感器的形成方法，包括：在半导体衬底上依次间隔形成至少一层金属绝缘层和至少一层介质层；在金属绝缘层内形成贯穿金属绝缘层的电感线圈；在介质层内形成贯穿介质层且与电感线圈对应连接的连续沟槽，所述连续沟槽成螺旋状；在连续沟槽内填充满导电物质，形成连续沟槽线圈。本发明保证了电感器金属的厚度，减小电感器中电阻，提高了电感器的品质因子；同时能适应半导体器件集成度提高的需求。
-
公开(公告)号：CN102222646A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110103156.9
申请日：2011-04-25
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/423
摘要： 本发明提供了一种分栅式存储器制造方法以及分栅式存储器。根据本发明的分栅式存储器制造方法包括：光刻步骤，用于定义浅沟槽隔离区域；浅沟槽隔离区域刻蚀步骤，其中降低了分栅式存储器的单元阵列的字线区域的浅沟槽隔离的高度；阻挡层去除步骤，用于去除未被光阻覆盖的区域上的阻挡层；浮栅多晶硅刻蚀步骤，用于对未被光阻覆盖的浮栅多晶硅进行刻蚀；以及浮栅和字线刻蚀步骤，用于刻蚀浮栅和字线。根据本发明的分栅式存储器制造方法所制造而成的分栅式存储器单元的浮栅顶端的高度降低，浮栅和字线之间的电容也就减小，而浮栅FG和选择线路之间的电容保持不变，因此电容耦合率也相应减小，这有助于提高编程的效率，也有助于降低擦除电压。
-
公开(公告)号：CN102136295A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110102999.7
申请日：2011-04-22
申请人： 上海宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C16/14
摘要： 一种或非型闪存的数据擦除方法，所述或非型闪存包括多个存储块，每个存储块包含多个扇区，每个扇区包含有标识单元和数据单元，所述擦除方法包括：获取每个扇区中标识单元中记录的默认电压值；将与默认电压值相同的擦除电压施加到相应的扇区上对数据单元进行擦除操作；将校验电压施加于所述扇区，验证所述扇区是否擦除成功，若擦除成功，记录擦除电压和修改次数，若不成功，则修改擦除电压，进行重新擦除。如修改次数超过上限，则判定擦除失败。所述擦除方法有效减少了因过高电压使存储器件产生循环缺陷的问题，提高存储器件的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
105 条记录 (耗时 0.038 秒)
