公开(公告)号：CN101937844A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101048858B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200580036456.2

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101048858A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036456.2

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101937844B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101151721B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200680010595.2

申请日：2006-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  石塚修一 ,  中山友绘 ,  藤野丰

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明提供一种栅极绝缘膜的制造方法，该栅极绝缘膜的制造方法包括在等离子体处理装置的处理室内、使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，氧化处理工序中的处理温度大于600℃小于等于1000℃，含氧等离子体是通过将至少包含稀有气体和氧气的含氧处理气体导入上述处理室内、并且经由天线将高频或者微波导入该处理室内而形成的含氧处理气体的等离子体。

公开(公告)号：CN101151721A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010595.2

申请日：2006-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  石塚修一 ,  中山友绘 ,  藤野丰

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明提供一种栅极绝缘膜的制造方法，该栅极绝缘膜的制造方法包括在等离子体处理装置的处理室内、使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，氧化处理工序中的处理温度大于600℃小于等于1000℃，含氧等离子体是通过将至少包含稀有气体和氧气的含氧处理气体导入上述处理室内、并且经由天线将高频或者微波导入该处理室内而形成的含氧处理气体的等离子体。