公开(公告)号：CN119480758A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411607236.1

申请日：2019-12-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多贺敏 ,  佐藤直行 ,  西田辰夫

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间，且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。

公开(公告)号：CN101641783A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880009852.X

申请日：2008-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人广岛大学

Inventor： 宫崎诚一 ,  鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  广田良浩

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供氮化硅膜和非易失性半导体存储器件，其中氮化硅膜作为半导体存储器件的电荷蓄积层有用并且具有优良的电荷蓄积能力。具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度的氮化硅膜具有高电荷蓄积能力。该氮化硅膜通过等离子体CVD成膜，该等离子体CVD使用通过具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波的等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入包含含氮化合物和含硅化合物的原料气体，由微波产生等离子体，通过该等离子体使氮化硅膜淀积在被处理体的表面。

公开(公告)号：CN101454480B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780019791.0

申请日：2007-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 在使用等离子体处理装置，利用微波使导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板表面堆积氮化硅膜时，通过含氮气体的种类和处理压力的组合来控制形成的氮化硅膜的应力。上述等离子体处理装置利用具有多个隙缝的平面天线向处理室内导入微波，产生等离子体。

公开(公告)号：CN101454880B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200780019181.0

申请日：2007-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  C23C16/34 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置。使用等离子体处理装置，通过微波使已导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，在利用该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜时，向载置台供给高频电力，其中，该等离子体处理装置设置有能够真空排气的处理室、在处理室内载置被处理体的载置台、产生微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过上述缝隙将微波产生源产生的微波导入上述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向处理室内的气体供给机构、和向载置台供给高频电力的高频电源。

公开(公告)号：CN101454880A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019181.0

申请日：2007-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  C23C16/34 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置。使用等离子体处理装置，通过微波使已导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，在利用该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜时，向载置台供给高频电力，其中，该等离子体处理装置设置有能够真空排气的处理室、在处理室内载置被处理体的载置台、产生微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过上述缝隙将微波产生源产生的微波导入上述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向处理室内的气体供给机构、和向载置台供给高频电力的高频电源。

公开(公告)号：CN111383986B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201911314810.3

申请日：2019-12-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多贺敏 ,  佐藤直行 ,  西田辰夫

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间，且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。

公开(公告)号：CN111383986A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911314810.3

申请日：2019-12-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多贺敏 ,  佐藤直行 ,  西田辰夫

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间，且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。

公开(公告)号：CN101517713B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200780034763.6

申请日：2007-09-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供等离子体清洁方法和等离子体CVD方法，该等离子体清洁方法包括：向在被处理基板表面沉积有氮化硅膜的等离子体CVD装置的处理容器内导入含有NF3气体的清洁气体，除去处理容器内的沉积物的工序(S1)；之后，向处理容器内导入含有氢气的气体并形成等离子体，除去残留在处理容器内的氟的工序(S2)；和进一步向处理容器内导入含有稀有气体的气体并形成等离子体，除去残留在处理容器内的氢的工序(S3)。

公开(公告)号：CN101044626A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580036152.6

申请日：2005-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西田辰夫 ,  石塚修一 ,  藤野丰 ,  中西敏雄 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/08 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/10873

Abstract: 在本发明中，在形成DRAM中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。随后即使不进行退火处理也可以在DRAM中有效地防止硼穿透现象，并且抑制成为器件驱动能力降低的原因的膜中的阱。

公开(公告)号：CN112410717A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010819371.8

申请日：2020-08-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西辽 ,  西田辰夫 ,  古屋敦城

IPC: C23C4/134

Abstract: 本发明提供一种等离子体喷镀装置和等离子体喷镀方法。提供能够控制等离子体射流的形状的技术。本公开的一技术方案的等离子体喷镀装置具备：供给部，其利用第1气体运送喷镀材料的粉末，并从顶端部的开口喷射该粉末；等离子体生成部，其使用喷射出的所述第1气体生成芯轴与所述供给部共通的等离子体；气体流路，其向所述等离子体的生成空间供给第2气体，该第2气体用于形成以所述供给部的中心轴线为旋转轴线的涡流；以及磁场产生部，其在所述等离子体的生成空间相对于所述供给部的中心轴线产生期望的分布的磁场。