公开(公告)号：CN101937844B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN102090153A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980103949.1

申请日：2009-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田欣也 ,  田才忠 ,  小林浩 ,  佐藤吉宏 ,  盐泽俊彦 ,  前川浩治

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，其中，对用于形成等离子体的微波进行放射的平面天线(31)，在其表面以同心状被分为中央区域(31a)、外周区域(31c)、中央区域和外周区域的中间区域(31b)的情况下，朝向各异的微波放射孔(32)的对以同心圆状在中央区域(31a)以及所述外周区域(31c)配列多个，在中间区域(31b)上不形成微波放射孔，微波透过板(28)在其微波放射面上形成有凹部(28a)。

公开(公告)号：CN101937844A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101048858B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200580036456.2

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101048858A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036456.2

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN301605348S

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201130035861.0

申请日：2011-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 西村敏 ,  藤野丰 ,  铃木公贵 ,  小林浩

Abstract: 1.外观设计产品的名称：微波导入用天线。2.外观设计产品的用途：本产品是在等离子体处理装置中所使用的微波导入用天线。高频电源所产生的微波通过导波管送入天线部，通过天线部中的该微波导入用天线将微波均匀地导入处理容器中。3.本外观设计的设计要点在于产品的形状和图案。4.指定图片：主视图。5.后视图与主视图对称，仰视图与俯视图对称，左视图与右视图对称，省略后视图、仰视图、左视图。