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公开(公告)号:CN1783430A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200510127554.9
申请日:2005-12-05
申请人: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100),包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场,配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间,由支撑部件(2)所支撑,使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中,配置接地的导电性作用面AS,以扩展等离子体,进行调制,使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号:CN104810272A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201510206545.2
申请日:2008-08-15
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/306 , H01J37/32
CPC分类号: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
摘要: 本发明提供等离子体蚀刻方法,能够大幅改善充电损伤的发生,实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12),由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。
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公开(公告)号:CN100539000C
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200510127554.9
申请日:2005-12-05
申请人: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100),包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场,配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间,由支撑部件(2)所支撑,使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中,配置接地的导电性作用面AS,以扩展等离子体,进行调制,使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号:CN101370349A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200810135193.6
申请日:2008-08-15
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
摘要: 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质。在等离子体处理装置中,能够大幅改善充电损伤的发生,实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12),由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。
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公开(公告)号:CN1783431A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200510127676.8
申请日:2005-12-02
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要: 本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高,而且难以产生充电损坏(charge up damage)的电容耦合型的等离子体处理装置。具有:保持在真空气氛中的腔室(1);在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2),(18);和在第一和第二电极(2),(18)之间形成高频电场,生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10),在该电容耦合型的等离子体处理装置(100)中,第一电极(2)支撑晶片(W),并作为施加高频电力的阴极起作用,第二电极(18)作为接地的阳极起作用,第二电极(18)的与第一电极(2)对置的表面由导电体(18c)构成。
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