公开(公告)号：CN119301299A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043551.3

申请日：2023-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽亮太 ,  菊地贵伦

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 用于在布置在处理室中的衬底上沉积膜的方法包括重复循环。该循环包括前体步骤和反应物步骤，并且可以包括吹扫步骤。在该循环的至少一部分期间进行还原剂步骤。该前体步骤包括将该衬底暴露于前体气体以在该衬底处由该前体气体形成中间体膜。该前体气体可以是金属卤化物气体，如四氯化钛气体。该反应物步骤包括将该衬底暴露于反应物气体以与该中间体膜发生化学反应从而形成膜。该反应物气体可以是具有至少两个氮原子的氮氢化合物气体，如肼气体。该还原剂步骤包括将该衬底暴露于还原剂气体，如含氢的气体，像氢气。

公开(公告)号：CN102753727A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180006900.1

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽亮太 ,  高桥哲朗 ,  大崎良规 ,  铃木公贵 ,  齐藤智博 ,  山下润 ,  佐藤吉宏 ,  盐泽俊彦 ,  山崎幸一 ,  古木和弘

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 在电介质板（28）和盖部件（13）的支撑部（13a）之间具有环状的O型环（29a），并且在该O型环（29a）的外周侧设置有用于在处理容器（1）的上部配置的盖部件（13）的支撑部（13a）和电介质板（28）之间形成缝隙（d）的垫片（60）。即使处理容器（1）内的等离子体的热导致盖部件（13）和电介质板（28）热膨胀，通过缝隙（d），盖部件（13）和电介质板（28）也不会接触、摩擦，能够防止电介质板（28）的破损和颗粒的产生。

公开(公告)号：CN102738059A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210088844.7

申请日：2012-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽亮太 ,  山崎和良 ,  佐野正树

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02247 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种STI工艺中沿着硅的沟道的内壁面形成对氧的扩散具有阻挡性的数nm左右厚度的薄膜的方法。在等离子体处理装置(100)中，通过从平面天线(31)经由微波透过板(28)放射到处理容器(1)内的微波，在处理容器(1)内形成电磁场，从而分别使Ar气和N2气等离子体化。通过等离子体中的活性种的作用，使晶片(W)的沟道的内壁面极薄地氮化，由此形成致密的内衬SiN膜。

公开(公告)号：CN102737946A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210093444.5

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  米泽亮太

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明旨在提供一种将形成在基板上的沟槽侧面的氧化膜薄膜化且抑制沟槽上的图案上部的边角被侵蚀的等离子体处理方法。它是一种在热氧化膜60形成后用等离子体对形成有沟槽61的晶圆W进行氧化处理的等离子处理方法，在该方法中，晶圆W被放置在施加有离子引入用高频电压的基座上，用等离子体进行的氧化处理是边将离子引入用高频电压施加到基板上边进行的。等离子体氧化处理中的处理气体为含氦与氧的混合气体，等离子体处理在减压容器内于6.7～133Pa的压力下进行。