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公开(公告)号：CN112368835B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201980044441.2
申请日：2019-07-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H10B43/27 , H10B43/35 , H10B43/50 , H01L29/792
摘要： 一种蚀刻衬底的方法包括在蚀刻处理系统的槽中提供蚀刻溶液，其中该蚀刻处理系统被配置为控制该蚀刻溶液的温度、该蚀刻溶液的浓度以及该蚀刻溶液在该槽内的流动。该衬底包含具有第一材料和第二材料的交替层的微加工结构，并且该蚀刻溶液包括蚀刻该第一材料并导致要从该衬底上移除的蚀刻产物的酸。该方法进一步包括监测该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度，并将该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度维持在低于预定值，以防止该蚀刻产物以阻碍通过该蚀刻溶液蚀刻该第一材料的量沉积在该第二材料上。
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公开(公告)号：CN112368835A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980044441.2
申请日：2019-07-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L29/792
摘要： 一种蚀刻衬底的方法包括在蚀刻处理系统的槽中提供蚀刻溶液，其中该蚀刻处理系统被配置为控制该蚀刻溶液的温度、该蚀刻溶液的浓度以及该蚀刻溶液在该槽内的流动。该衬底包含具有第一材料和第二材料的交替层的微加工结构，并且该蚀刻溶液包括蚀刻该第一材料并导致要从该衬底上移除的蚀刻产物的酸。该方法进一步包括监测该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度，并将该蚀刻溶液内该蚀刻产物的浓度维持在低于预定值，以防止该蚀刻产物以阻碍通过该蚀刻溶液蚀刻该第一材料的量沉积在该第二材料上。
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公开(公告)号：CN108885989A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780022040.8
申请日：2017-03-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 德里克·巴塞特 , 华莱士·P·普林茨 , 安东尼奥·L·P·罗通达龙 , 辉实箕南 , 享弘古川
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/31111 , H01L21/6708 , H01L22/10
摘要： 提供了在氮化硅蚀刻步骤期间除去胶态二氧化硅沉积物在高纵横比结构的表面上的生长的技术。使用高选择性过蚀刻步骤以除去沉积的胶态二氧化硅。所公开的技术包括使用磷酸从具有形成在具有高纵横比的窄间隙或沟槽结构中的氮化硅的结构中除去氮化硅，在所述结构中通过水解反应在所述窄间隙或沟槽的表面上形成了胶态二氧化硅沉积物。使用第二蚀刻步骤，其中形成胶态二氧化硅沉积物的水解反应是可逆的，并且由于氮化硅的消耗，附近的磷酸中的二氧化硅的浓度现在较低，平衡驱动反应向反方向进行，使沉积的二氧化硅溶解回溶液中。
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公开(公告)号：CN112789718A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064790.0
申请日：2019-09-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H02N13/00 , B23Q3/15 , H01L21/02
摘要： 在一个示例性实施例中，本文描述了一种用于减小微粒与衬底表面之间的吸引力以辅助去除衬底表面上的微粒的新颖技术。更具体而言，利用一种多电极吸盘来辅助清洁衬底。利用该多电极吸盘减小微粒与该衬底之间的吸引力并移动该衬底表面上存在的松动微粒。使用在电极偏压波之间具有相移的交流(AC)电压对该吸盘的电极进行偏压。该衬底表面上所产生的电场波通过使微粒极化来将微粒松动，并使松动的微粒跨衬底移动。
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公开(公告)号：CN108885989B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780022040.8
申请日：2017-03-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 德里克·巴塞特 , 华莱士·P·普林茨 , 安东尼奥·L·P·罗通达龙 , 辉实箕南 , 享弘古川
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 提供了在氮化硅蚀刻步骤期间除去胶态二氧化硅沉积物在高纵横比结构的表面上的生长的技术。使用高选择性过蚀刻步骤以除去沉积的胶态二氧化硅。所公开的技术包括使用磷酸从具有形成在具有高纵横比的窄间隙或沟槽结构中的氮化硅的结构中除去氮化硅，在所述结构中通过水解反应在所述窄间隙或沟槽的表面上形成了胶态二氧化硅沉积物。使用第二蚀刻步骤，其中形成胶态二氧化硅沉积物的水解反应是可逆的，并且由于氮化硅的消耗，附近的磷酸中的二氧化硅的浓度现在较低，平衡驱动反应向反方向进行，使沉积的二氧化硅溶解回溶液中。
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公开(公告)号：CN115298800A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021173.X
申请日：2021-03-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 特拉斯·赫德 , 安东尼奥·路易斯·帕切科罗通达罗 , 德里克·巴塞特 , 小杉仁
摘要： 在一个示例中，一种用于晶片干燥的方法包括提供第一晶片的表面，该第一晶片的表面包括待通过干燥工艺去除的液体。该方法进一步包括在第一处理室中将该液体替换为第一固体膜，该第一固体膜覆盖该第一晶片的表面。该方法进一步包括将该第一晶片从该第一处理室转移至第二处理室。该方法进一步包括通过使超临界流体流经该第二处理室来在该第二处理室中处理该第一晶片，其中，该超临界流体去除该第一固体膜。
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公开(公告)号：CN110473805A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910386033.7
申请日：2019-05-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及用于干燥基板的方法和设备。具体地，提供了通过表面流体的快速沸腾来在液体可能导致毛细管图案坍塌发生之前蒸发流体来完成基板干燥的方法和设备。更具体地，利用电磁感应加热来提供横向于基板表面的振荡磁场，以在基板中引起电涡流，而电涡流使基板快速升温。然后流体将迅速蒸发而不会导致图案坍塌。这样的技术对于IPA干燥特别有用。
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