-
公开(公告)号：CN105810558B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201510919402.6
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转，同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R)，使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动，在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后，以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转，由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。
-
公开(公告)号：CN105702604B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201510919166.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法，向晶片上供给涂敷液的溶剂，在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜，使晶片以第一转速旋转，同时向晶片的中心部供给涂敷液(时间t1～t2)，使晶片以比第一转速快的第二转速旋转，使涂敷液在基板上扩散(时间t4～t5)。直至涂敷液与溶剂的液膜接触前持续进行溶剂的供给(时间t0～t3)。
-
公开(公告)号：CN105702604A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510919166.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法，向晶片上供给涂敷液的溶剂，在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜，使晶片以第一转速旋转，同时向晶片的中心部供给涂敷液(时间t1～t2)，使晶片以比第一转速快的第二转速旋转，使涂敷液在基板上扩散(时间t4～t5)。直至涂敷液与溶剂的液膜接触前持续进行溶剂的供给(时间t0～t3)。
-
公开(公告)号：CN108028177B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201680053566.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 防止在基板的周端部形成异常的抗蚀图案。本发明的基板处理方法包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所述下层膜的整个表面形成抗蚀膜。因而，在该基板的周端部，抑制曝光时对抗蚀膜的表面的聚焦偏移。作为其结果，能够抑制在该周端部形成异常的抗蚀图案。
-
公开(公告)号：CN108364886A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810074219.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/02087 , B08B3/041 , B08B3/08 , G03F7/168 , G03F7/40 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/68764 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在利用去除液将作为基板的晶圆表面上形成的涂布膜的周缘部去除时抑制在涂布膜端部产生凸起(隆起)的涂布膜去除装置、涂布膜去除方法以及存储介质。在从去除液喷嘴(3)向通过旋转卡盘(11)而旋转的晶圆(W)的周缘部喷出去除液来去除涂布膜的周缘部的不需要的膜时，在使晶圆以2300rpm以上的第一转速进行旋转的状态下，使去除液的供给位置从周缘位置向比该周缘位置靠内方侧的切断位置移动。接着，在供给位置到达切断位置之后，使该供给位置在1秒以内从切断位置向晶圆的周缘侧移动。通过使晶圆以2300rpm以上这样大的转速进行旋转，来对晶圆表面的去除液的液流作用大的离心力，将去除液向晶圆的外侧推压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105810558A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510919402.6
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转，同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R)，使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动，在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后，以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转，由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。
-
公开(公告)号：CN108364886B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201810074219.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在利用去除液将作为基板的晶圆表面上形成的涂布膜的周缘部去除时抑制在涂布膜端部产生凸起(隆起)的涂布膜去除装置、涂布膜去除方法以及存储介质。在从去除液喷嘴(3)向通过旋转卡盘(11)而旋转的晶圆(W)的周缘部喷出去除液来去除涂布膜的周缘部的不需要的膜时，在使晶圆以2300rpm以上的第一转速进行旋转的状态下，使去除液的供给位置从周缘位置向比该周缘位置靠内方侧的切断位置移动。接着，在供给位置到达切断位置之后，使该供给位置在1秒以内从切断位置向晶圆的周缘侧移动。通过使晶圆以2300rpm以上这样大的转速进行旋转，来对晶圆表面的去除液的液流作用大的离心力，将去除液向晶圆的外侧推压。
-
公开(公告)号：CN108028177A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053566.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G03F7/162 , B05C9/14 , B05C11/08 , B05D1/36 , B05D3/00 , G01B11/02 , G01B11/022 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/02115 , H01L21/02282 , H01L21/027 , H01L21/0276 , H01L22/20
Abstract: 防止在基板的周端部形成异常的抗蚀图案。本发明的基板处理方法包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所述下层膜的整个表面形成抗蚀膜。因而，在该基板的周端部，抑制曝光时对抗蚀膜的表面的聚焦偏移。作为其结果，能够抑制在该周端部形成异常的抗蚀图案。
-
公开(公告)号：CN107427860A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680013005.5
申请日：2016-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B05D1/005 , B05C11/08 , B05D3/104 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/2028 , H01L21/027 , H01L21/6715 , H01L21/67253
Abstract: 在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理方法，包括：在基板的中央部利用溶剂形成第1液膜，在基板的外周部利用该溶剂形成膜厚比第1液膜厚的环状的第2液膜的溶剂液膜形成步骤；一边使基板以第1转速旋转，一边对基板的中心部供给涂敷液的涂敷液供给步骤；和一边供给涂敷液，一边使基板以比所述第1转速快的第2转速旋转，使所述涂敷液在基板上扩散的涂敷液扩散步骤。
-
公开(公告)号：CN207883660U
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201820128282.7
申请日：2018-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本实用新型提供一种涂布膜去除装置。以往，在利用去除液将晶圆表面上形成的涂布膜的周缘部去除时在涂布膜端部产生凸起(隆起)。本实用新型的涂布膜去除装置在从去除液喷嘴向通过旋转卡盘而旋转的晶圆的周缘部喷出去除液来去除涂布膜的周缘部的不需要的膜时，在使晶圆以2300rpm以上的第一转速进行旋转的状态下，使去除液的供给位置从周缘位置向比该周缘位置靠内方侧的切断位置移动。接着，在供给位置到达切断位置之后，使该供给位置在1秒以内从切断位置向晶圆的周缘侧移动。通过使晶圆以2300rpm以上这样大的转速进行旋转，来对晶圆表面的去除液的液流作用大的离心力，将去除液向晶圆的外侧推压，抑制在涂布膜端部产生凸起。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.027 seconds)
