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公开(公告)号：CN107068588A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611161171.8
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103 , H05B1/0233 , H05B2203/037 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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公开(公告)号：CN111162025B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201911082504.1
申请日：2019-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 碛本荣一
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供能够通过简易的结构一边使基板旋转一边对基板进行加热的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：基板保持旋转部，其将基板保持在载置台上并使基板旋转；激光照射头，其向所述载置台的下表面照射激光光线；以及控制部，其至少控制所述基板保持旋转部的旋转和所述激光光线的照射，其中，所述激光照射头以与所述载置台分离的方式固定于所述载置台的下方，所述控制部在通过所述基板保持旋转部使所述载置台旋转时，使所述激光照射头照射所述激光光线。
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公开(公告)号：CN111162025A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911082504.1
申请日：2019-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 碛本荣一
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供能够通过简易的结构一边使基板旋转一边对基板进行加热的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：基板保持旋转部，其将基板保持在载置台上并使基板旋转；激光照射头，其向所述载置台的下表面照射激光光线；以及控制部，其至少控制所述基板保持旋转部的旋转和所述激光光线的照射，其中，所述激光照射头以与所述载置台分离的方式固定于所述载置台的下方，所述控制部在通过所述基板保持旋转部使所述载置台旋转时，使所述激光照射头照射所述激光光线。
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公开(公告)号：CN108231627B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201711404451.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质。在对基板进行热处理的该热处理装置中，以简单的装置结构抑制基板的质量的偏差。热处理装置(40)在包括盖体(130)的处理室(S)内具备热板(132)，该热板载置晶圆(W)并对该载置的晶圆进行加热，该盖体(130)用于覆盖载置在该热板(132)上的晶圆(W)的被处理面，并且，该热处理装置具备：控制部，其对晶圆(W)的温度进行控制；以及温度传感器(133)，其测定盖体(130)的温度，在热板(132)的设定温度被变更了时，控制部基于由温度传感器(133)测定出的盖体(130)的温度来进行对热板(132)的加热量的校正以得到变更后的设定温度。
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公开(公告)号：CN107068588B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201611161171.8
申请日：2016-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119725185A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411298853.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够高精度地将基片输送到所希望的载置位置的基片输送装置、基片输送方法和存储介质。基片输送装置包括：第一基片保持部，其具有用于吸引并保持基片的第一吸引孔；吸引力变更部，其用于针对上述第一吸引孔的吸引力，切换为对上述基片作用第一吸引力的第一状态和对上述基片作用比第一吸引力小的第二吸引力的第二状态；检测部，其用于检测吸引力的状态；和移动机构，其使以上述第一状态保持上述基片的上述第一基片保持部在从第一高度向载置部的上方的第二高度下降的中途减速，接着在检测到变更为上述第二状态之后使上述第一基片保持部从上述第二高度下降至比上述载置部的上端靠下方的第三高度，由此使该第一基片保持部移动以将上述基片从上述第一基片保持部移动到该载置部。
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公开(公告)号：CN108231627A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711404451.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/027 , G03F7/202 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67225 , H01L21/67248 , H01L21/67098
Abstract: 本发明提供一种热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质。在对基板进行热处理的该热处理装置中，以简单的装置结构抑制基板的质量的偏差。热处理装置(40)在包括盖体(130)的处理室(S)内具备热板(132)，该热板载置晶圆(W)并对该载置的晶圆进行加热，该盖体(130)用于覆盖载置在该热板(132)上的晶圆(W)的被处理面，并且，该热处理装置具备：控制部，其对晶圆(W)的温度进行控制；以及温度传感器(133)，其测定盖体(130)的温度，在热板(132)的设定温度被变更了时，控制部基于由温度传感器(133)测定出的盖体(130)的温度来进行对热板(132)的加热量的校正以得到变更后的设定温度。
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公开(公告)号：CN110783226B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910670107.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制覆盖凹凸图案的液膜干燥时凹凸图案崩溃的技术。本发明的基片处理装置包括：以基片的形成有凹凸图案的面向上的方式保持上述基片的基片保持部；通过对被上述基片保持部保持的上述基片供给处理液，在上述凹凸图案的凹部形成液膜的液体供给单元；对被上述基片保持部保持的上述基片或上述液膜照射用于加热上述液膜的激光光线的加热单元；和控制上述加热单元的加热控制部，上述加热控制部通过从上述加热单元对上述基片或上述液膜照射上述激光光线，使上述凹部的深度方向整体从上述处理液露出。
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公开(公告)号：CN117856702A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311242255.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H02P29/60
Abstract: 本发明提供能够在基片处理装置中将被输送体高精度地向输送目标位置输送的电动机控制方法、输送装置和计算机程序产品。电动机控制方法用于利用在电动机的驱动下移动的移动体来输送基片处理装置中的被输送体，所述电动机控制方法的特征在于，包括：数据获取步骤，在不同的时间获取关于所述电动机的驱动的驱动数据，该驱动数据会因该电动机的发热而改变；和输送步骤，基于所述各驱动数据来控制向所述电动机供给的电流，以补偿由该电动机的发热引起的所述被输送体相对于输送目标位置的偏移，并输送所述被输送体。
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公开(公告)号：CN110783226A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910670107.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制覆盖凹凸图案的液膜干燥时凹凸图案崩溃的技术。本发明的基片处理装置包括：以基片的形成有凹凸图案的面向上的方式保持上述基片的基片保持部；通过对被上述基片保持部保持的上述基片供给处理液，在上述凹凸图案的凹部形成液膜的液体供给单元；对被上述基片保持部保持的上述基片或上述液膜照射用于加热上述液膜的激光光线的加热单元；和控制上述加热单元的加热控制部，上述加热控制部通过从上述加热单元对上述基片或上述液膜照射上述激光光线，使上述凹部的深度方向整体从上述处理液露出。
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