提高岩体结构识别效率的自适应稀疏方法、介质及设备

    公开(公告)号:CN115953528A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202211414633.8

    申请日:2022-11-11

    Abstract: 本发明涉及一种提高岩体结构识别效率的自适应稀疏方法、介质及设备,以不同分辨率将高精度的初始三维点云数据处理为低精度,进行岩体结构面的几何参数识别,判定不同分辨率下各破碎程度的岩体结构面的识别精度,平衡识别效率和识别精度,确定自动识别最佳分辨率;基于数字地质调查系统获取岩体的三维点云数据,根据岩体破碎程度,以最佳分辨率自动识别;基于此实现计算机可读存储介质及计算机设备的应用。本发明建立一套确定最佳点云分辨率的方法,可以以现有计算机实现基于超大数量点云的自动识别计算效率,满足性能需求,岩体结构面特征识别时间可控,可实现数字化应用;获得不同破碎程度结构面的最佳分辨率,满足在工程中进一步推广和应用。

    一种往复式液体泵的阀门动态特性试验系统

    公开(公告)号:CN116124442A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310177403.2

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种往复式液体泵的阀门动态特性试验系统,往复式液体泵的入口端和出口端分别可拆卸的固定有入口阀模块和出口阀模块;入口阀模块包含待测试的入口阀以及用于测量入口阀阀芯位移的第一电涡流位移传感器,出口阀模块包含待测试的出口阀以及用于测量出口阀阀芯位移的第二电涡流位移传感器;入口阀的阀前、出口阀的阀后、往复式液体泵的泵缸均设有一个压力表;三个压力表监测的压力数据、两个电涡流位移传感器的位移数据发送给显示仪表进行实时显示和监测,并传递给控制平台。本发明利用无接触的电涡流位移传感器和可拆卸的阀门模块,可实现低温高压的恶劣工况下往复式液体泵的阀进排液阀动态特性测试以及阀门组件的快速替换。

    水稻叶夹角基因OsPUB77等位基因的应用

    公开(公告)号:CN119752948B

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510253968.3

    申请日:2025-03-05

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明属于植物基因工程领域,具体涉及水稻叶夹角基因OsPUB77等位基因的应用。本发明提供了水稻叶夹角等位基因OsPUB77R、OsPUB77I的用途,为以下至少任一:调控水稻叶夹角、改良水稻株型;所述水稻叶夹角等位基因OsPUB77R的核苷酸序列如SEQ ID NO:1所示;所述水稻叶夹角等位基因OsPUB77I的核苷酸序列如SEQ ID NO:3所示。含有等位基因OsPUB77R的水稻,叶夹角小、株型紧凑;含有等位基因OsPUB77I的水稻,叶夹角大,株型松散。

    一种低温液体输送管干式预冷系统

    公开(公告)号:CN119062844A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411077372.4

    申请日:2024-08-07

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种低温液体输送管干式预冷系统,包括若干个密封连接的预冷管路子系统;每个预冷管路子系统包括输送管单元、制冷机导热单元和冷箱单元;输送管单元包括内金属管道和外金属管道,内外金属管道的夹层空间设有多层绝热材料;制冷机导热单元包含制冷机和柔性热桥,冷箱单元包含真空冷箱和温度控制模块;真空冷箱设置在内金属管道中间位置,内金属管道和外金属管道的夹层空间与真空冷箱共用真空环境;制冷机的冷头布置在真空冷箱内部,通过柔性热桥与内金属管道表面连接导热;温度控制模块用于监测真空冷箱内的传感器参数变化并完成对制冷机的功率调控。本发明可以解决低温液体输送管预冷流程复杂、两相流不稳定、液体消耗量大等难题。

    隔离芯片层间介质层的制造方法及隔离芯片

    公开(公告)号:CN118692986A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202411180660.2

    申请日:2024-08-27

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,提供一种隔离芯片层间介质层的制造方法及隔离芯片。所述方法包括:采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法,在金属层上生长低K介质材料形成第一层薄介质层;采用连续式的等离子增强化学气相淀积方法,采用高频与低频交替的射频频率,在第一层薄介质层表面生长低K介质材料形成第二层厚介质层;采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法,在第二层厚介质层表面生长低K介质材料形成第三层薄介质层;第一层薄介质层、第二层厚介质层及第三层薄介质层构成隔离芯片层间介质层。本发明采用脉冲式沉积和连续性沉积的方式交替生长低K介质膜,克服了现有技术中隔离芯片层间介质层粘附性较差、应力过大的缺陷。

    一种适用不同催化剂活化方式的多温区正仲氢标定系统及方法

    公开(公告)号:CN118341340A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410283873.1

    申请日:2024-03-13

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种适用不同催化剂活化方式的多温区正仲氢标定系统及方法,包括正仲氢催化剂的活化装置和多温区的标定装置;所述活化装置包括真空泵、恒温油浴箱和活化腔,所述活化腔浸泡在恒温油浴箱中获得恒温环境,活化腔内部放置有正仲氢催化剂,活化腔的上部腔口经由过滤管连接真空泵;所述的标定装置包括气相色谱仪、氢气发生器、标定转化器、液浴池和驱动气瓶;其中,氢气发生器的出口分为两路,一路经过流量调节阀后直接连接气相色谱仪,另一路经过可拆卸接头连接到标定转化器,然后经过流量计连接气相色谱仪;所述的标定转化器放置于液浴池中;所述的驱动气瓶经过减压阀连接气相色谱仪。利用本发明,可以实现正仲氢催化剂的准确标定。

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