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公开(公告)号：CN112414677A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011245093.6
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及到一种高精度测量光学元件体内光斑大小的测试装置，所述测试装置结构上包括有激光器(1)、衰减器(2)、聚焦透镜(3)、平行光管(4)、成像镜头(5)、CCD相机(7)、第一电动位移平台(10)、第二电动位移平台(8)、分划板(9)和计算机(11)，还涉及一种应用所述的测试装置测量光学元件体内光斑大小的方法。本发明的测试装置和测试方法能够精确的计算出待测光学元件内任意位置处的光斑大小，解决了传统测试方法中无法直接测量光学元件任一位置光斑大小以及理论计算精度较低等问题，为光学元件的激光加工、非线性效应以及激光损伤等方面的生产和研究提供了更多的帮助。
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公开(公告)号：CN109361139A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811487197.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种栅栏脉冲产生系统，该系统包括光纤锁模激光器、波导幅度调制器和第一分束器，第一分束器的输出端分别连接有第一窄带滤波器和第二窄带滤波器，在第一窄带滤波器上串联有第一光纤延迟器，在第二窄带滤波器上串联有第一光纤衰减器，第一光纤延迟器的输出端和第一光纤衰减器的输出端并联然后均与第一耦合器的输入端相连，第一耦合器的输出端与若干二进制堆积单元串联，在二进制堆积单元的输出端分别连接有第一光纤放大器和第二光纤放大器，在第一光纤放大器上串联有第一N*1并联式堆积单元，在第二光纤放大器上串联有第二N*1并联式堆积单元，然后与合束器串联。本发明栅栏脉冲可以有效的抑制SRS和SBS的积累。
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公开(公告)号：CN118249180A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410302993.1
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多程激光放大器和激光放大方法，多程激光放大器包括楔形块状的增益介质，在增益介质的前后表面分别设置前特殊镀膜和后特殊镀膜，前特殊镀膜具有前临界角，后特殊镀膜具有后临界角，通过设置前临界角、后临界角及激光Ls与增益介质的入射角θ，使激光Ls在增益介质中经历多次反射，实现激光在增益介质中的多程放大。本申请中的多程激光放大器结构紧凑、大幅度减少了激光放大器内的光学元件、降低了多程激光放大器的制作成本，有效提高了单块增益介质的增益。本发明中的激光放大方法，通过确定多程激光放大器的参数来确定增益介质的表面特殊膜层，从而使激光Ls在增益介质中经历多次反射，实现激光在增益介质中的多程放大。
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公开(公告)号：CN116921855A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310764884.7
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: B23K26/06 , B23K26/067 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种激光自适应减薄剥离半导体材料的装置及方法，通过在激光加工装置中引入激光测距仪，对加工过程中材料发生的翘曲以及材料表面存在的凹凸缺陷信息进行实时测量；同时引入红外热成像仪，对加工过程中聚焦系统的温度进行实时监控，并将以上测量得到的信息传输给计算机，经过运算分析后实时反馈给衰减器、空间光调制器以及Z轴位移平台，对加工参数进行实时调整，实现激光精密减薄剥离半导体材料的加工。本发明不仅解决了接触式加工带来的损耗大、效率低的问题，同时也提高了激光改质剥离技术的加工精度，为降低第三代半导体材料的使用成本提供了可靠的帮助。
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公开(公告)号：CN116913809A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310783527.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Inventor： 单翀 , 耿靖骅 , 焦健 , 胡北辰 , 隋展 , 赵晓晖 , 崔勇 , 高妍琦 , 季来林 , 孙今人 , 饶大幸 , 夏兰 , 冯伟 , 刘栋 , 史建 , 蔡国栋 , 朱翔宇
Abstract: 本发明公开了一种多波长激光耦合剥离半导体材料的设备及方法，通过将多波长激光耦合辐照至半导体材料内，利用光子能量更高的短波长激光将价带的电子跃迁至导带形成自由电子，随后利用长波长激光对自由电子进行吸收，并产生热应力差，进而诱导半导体材料改质，最终实现剥离，有效地解决了传统机械切割碳化硅损耗大、难度高等问题，同时也解决了已有激光剥离方法采用单波长基频激光需要高功率且难以控制工艺等问题，不仅使得半导体材料剥离更加容易、损耗更低，同时也使得改质工艺更加精密可控，为碳化硅的广泛应用提供可靠的帮助。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109361139B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201811487197.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种栅栏脉冲产生系统，该系统包括光纤锁模激光器、波导幅度调制器和第一分束器，第一分束器的输出端分别连接有第一窄带滤波器和第二窄带滤波器，在第一窄带滤波器上串联有第一光纤延迟器，在第二窄带滤波器上串联有第一光纤衰减器，第一光纤延迟器的输出端和第一光纤衰减器的输出端并联然后均与第一耦合器的输入端相连，第一耦合器的输出端与若干二进制堆积单元串联，在二进制堆积单元的输出端分别连接有第一光纤放大器和第二光纤放大器，在第一光纤放大器上串联有第一N*1并联式堆积单元，在第二光纤放大器上串联有第二N*1并联式堆积单元，然后与合束器串联。本发明栅栏脉冲可以有效的抑制SRS和SBS的积累。
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公开(公告)号：CN109802294A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910227096.8
申请日：2019-03-25
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明涉及到一种任意时间整形和光谱整形的低相干脉冲产生装置，其结构包括有低相干宽带种子源、波导幅度调制器、任意波形发生器、光纤放大器、第一声光调制器、第一光纤准直器、起偏器，双折射晶体、检偏器、第二光纤准直器、光纤放大器和第二声光调制器，低相干宽带种子源连接波导幅度调制器输入端，波导幅度调制器的调制端口连接任意波形发生器，波导幅度调制器输出端连接光纤放大器；第一声光调制器与第一光纤准直器的尾纤相连，第一光纤准直器依次连接起偏器、双折射晶体和检偏器；第二光纤准直器的尾纤依次连接光纤放大器和第二声光调制器。本发明的装置可获得宽带低相干脉冲，脉冲宽度、形状、重复频率可以任意调节，光谱形状可调。
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公开(公告)号：CN114486190B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210031568.4
申请日：2022-01-12
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光学元件后表面激光损伤阈值的测试装置及测试方法，本发明通过多次测量背向受激布里渊散射和自聚焦效应的增益情况，将传统测试方法中忽略的两种非线性效应考虑进来，得到了激光诱导光学元件后表面损伤时真实的激光能量与激光光斑大小，从而规避了不同形状的光学元件引入不同的非线性效应所带来的损伤阈值测试结果误差，本发明的测试装置和方法不仅提高了测试精度，也为开展激光诱导光学元件后表面损伤机理以及相应的提高损伤阈值工艺提供了更多的帮助。
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公开(公告)号：CN115799954A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211561183.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多波长耦合激光冲击强化的装置及使用方法，该装置及使用方法将短波长激光和长波长激光耦合作用引入至激光冲击强化作业中，针对不同加工材料实现了多波长激光选取、能量配比、时间延迟以及实时监测的精密自动化调节，实现多波长激光耦合冲击强化的加工，提高了激光冲击强化效果，为研究材料冲击强化特性提供借鉴。
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公开(公告)号：CN112414677B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011245093.6
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及到一种高精度测量光学元件体内光斑大小的测试装置，所述测试装置结构上包括有激光器(1)、衰减器(2)、聚焦透镜(3)、平行光管(4)、成像镜头(5)、CCD相机(7)、第一电动位移平台(10)、第二电动位移平台(8)、分划板(9)和计算机(11)，还涉及一种应用所述的测试装置测量光学元件体内光斑大小的方法。本发明的测试装置和测试方法能够精确的计算出待测光学元件内任意位置处的光斑大小，解决了传统测试方法中无法直接测量光学元件任一位置光斑大小以及理论计算精度较低等问题，为光学元件的激光加工、非线性效应以及激光损伤等方面的生产和研究提供了更多的帮助。
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