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公开(公告)号：CN119634996A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411568844.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种激光精密加工碳化硅表面的调控方法，通过对激光加工碳化硅表面后的烧蚀面积以及相应拉曼光谱变化进行测试，对激光加工后碳化硅表面的碳化效应以及烧蚀边界进行标定，结合空间分辨法得到各类碳化硅晶体在不同参数激光辐照下，诱导其表面碳化以及烧蚀的相关阈值，并且可根据烧蚀和碳化加工尺寸需求，得到对应的入射激光能量密度和入射激光光强，从而实现激光精密、可控的加工各类碳化硅表面烧蚀以及碳化的尺寸，提高加工精度和质量，可根据需求实现不同需求的精密加工，为拓展碳化硅的应用提供可靠的加工方案。
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公开(公告)号：CN116430493A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310368585.1
申请日：2023-04-07
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高硬度纳米周期光栅的制备方法，该方法首先利用激光强化装置进行光栅制备材料的表面冲击强化；接着对强化后的光栅制备材料进行清洗抛光处理；最后利用纳米周期光栅制备激光系统，对抛光后的光栅制备材料进行加工，制备得到纳米周期光栅。通过本申请提出的高硬度纳米周期光栅的制备方法，制备得到的纳米周期光栅结构具有高强度、耐磨性好的特点，克服了传统制备纳米周期光栅极为脆弱的问题，大大降低了使用维护成本，并且扩展了更多极端条件下的应用场景。
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公开(公告)号：CN115371970A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211062433.0
申请日：2022-08-31
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光学元件激光损伤增长阈值的测试装置及方法，本发明通过以损伤后入射光斑的调制度以及透过率作为依据，将传统测试方法中忽略的由于损伤产生的光场调制以及能量损耗效应进行分析，得到光学元件损伤增长过程中的功能性损伤增长阈值，从而规避了传统测试方法中只考虑损伤面积增长，而忽略损伤对于元件对装置产生影响以及元件本身功能性影响的评价，本发明的测试装置及测试方法不仅提高了测试精度，也为高功率激光装置中光学元件损伤阈值测试中提供了新的评价体系，并提供了更多相应的损伤信息。
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公开(公告)号：CN106840612A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710069388.4
申请日：2017-02-08
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/0278
Abstract: 本发明公开了一种大口径光栅损伤的在线快速测量装置，该装置包括激光器、准直透镜、半波片、偏振分束器、第一透镜、第二透镜、大口径光栅、成像系统、数据处理系统，激光器发出的线偏振光束通过准直透镜准直为平行光束，平行光束经半波片后以高透过率通过偏振分束器，经偏振分束器后的透射光束依次经过第一透镜、第二透镜构成的扩束系统后将光束口径扩大，扩束后的光束入射到大口径光栅上，大口径光栅的衍射光将沿原路返回后入射到偏振分束器上，偏振分束器的反射光由成像系统接收，成像系统与数据处理系统相连接，由数据处理系统对成像系统获得的图像进行分析处理，得出大口径光栅的损伤信息。本发明能够实现大口径光栅损伤的在线快速测量。
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公开(公告)号：CN118249180A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410302993.1
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多程激光放大器和激光放大方法，多程激光放大器包括楔形块状的增益介质，在增益介质的前后表面分别设置前特殊镀膜和后特殊镀膜，前特殊镀膜具有前临界角，后特殊镀膜具有后临界角，通过设置前临界角、后临界角及激光Ls与增益介质的入射角θ，使激光Ls在增益介质中经历多次反射，实现激光在增益介质中的多程放大。本申请中的多程激光放大器结构紧凑、大幅度减少了激光放大器内的光学元件、降低了多程激光放大器的制作成本，有效提高了单块增益介质的增益。本发明中的激光放大方法，通过确定多程激光放大器的参数来确定增益介质的表面特殊膜层，从而使激光Ls在增益介质中经历多次反射，实现激光在增益介质中的多程放大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116921855A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310764884.7
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: B23K26/06 , B23K26/067 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种激光自适应减薄剥离半导体材料的装置及方法，通过在激光加工装置中引入激光测距仪，对加工过程中材料发生的翘曲以及材料表面存在的凹凸缺陷信息进行实时测量；同时引入红外热成像仪，对加工过程中聚焦系统的温度进行实时监控，并将以上测量得到的信息传输给计算机，经过运算分析后实时反馈给衰减器、空间光调制器以及Z轴位移平台，对加工参数进行实时调整，实现激光精密减薄剥离半导体材料的加工。本发明不仅解决了接触式加工带来的损耗大、效率低的问题，同时也提高了激光改质剥离技术的加工精度，为降低第三代半导体材料的使用成本提供了可靠的帮助。
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公开(公告)号：CN116913809A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310783527.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Inventor： 单翀 , 耿靖骅 , 焦健 , 胡北辰 , 隋展 , 赵晓晖 , 崔勇 , 高妍琦 , 季来林 , 孙今人 , 饶大幸 , 夏兰 , 冯伟 , 刘栋 , 史建 , 蔡国栋 , 朱翔宇
Abstract: 本发明公开了一种多波长激光耦合剥离半导体材料的设备及方法，通过将多波长激光耦合辐照至半导体材料内，利用光子能量更高的短波长激光将价带的电子跃迁至导带形成自由电子，随后利用长波长激光对自由电子进行吸收，并产生热应力差，进而诱导半导体材料改质，最终实现剥离，有效地解决了传统机械切割碳化硅损耗大、难度高等问题，同时也解决了已有激光剥离方法采用单波长基频激光需要高功率且难以控制工艺等问题，不仅使得半导体材料剥离更加容易、损耗更低，同时也使得改质工艺更加精密可控，为碳化硅的广泛应用提供可靠的帮助。
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公开(公告)号：CN112467511B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011334304.3
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性频率转换的近场滤波和激光器横模控制系统，它包括激光器端镜、起偏器、增益介质与泵浦源、非线性倍频晶体、双色镜和精密平移台，激光器、非线性频率转换晶体和双色镜组成近场滤波和激光器横模控制系统，本发明还构建了一种基于非线性效应的近场滤波新方法，可控制激光器的横模数量。本发明的系统和方法在非线性频率转换过程中，高阶横模转换效率较低，将会从双色镜泄露出激光器腔，而低阶模在逆向传输过程中将被转换回基频，从而囚禁在激光腔中振荡，最终实现激光器横模控制。
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公开(公告)号：CN111579221B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010563416.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种光学元件非线性效应I*L值的测试方法及装置，所述方法通过利用焦距小于光学元件厚度的透镜并通过调整光学元件的位置的方法将激光束聚焦在光学元件体内，同时将激光辐照在待测光学元件入射面的激光能量密度调整至小于待测光学元件入射面的激光损伤阈值，模拟出了非聚焦条件下的扰动诱导小尺度自聚焦效应，解决了传统测试方法中由于光学元件入射面损伤先于体内自聚焦成丝损伤发生，因而由光学元件入射面损伤带来的散射、缺陷吸收等激光损耗的问题，不仅提高了测试精度，也为光学元件在高功率激光装置中的安全使用以及提高材料的抗激光损伤能力提供更多的帮助。
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公开(公告)号：CN112467511A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011334304.3
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性频率转换的近场滤波和激光器横模控制系统，它包括激光器端镜、起偏器、增益介质与泵浦源、非线性倍频晶体、双色镜和精密平移台，激光器、非线性频率转换晶体和双色镜组成近场滤波和激光器横模控制系统，本发明还构建了一种基于非线性效应的近场滤波新方法，可控制激光器的横模数量。本发明的系统和方法在非线性频率转换过程中，高阶横模转换效率较低，将会从双色镜泄露出激光器腔，而低阶模在逆向传输过程中将被转换回基频，从而囚禁在激光腔中振荡，最终实现激光器横模控制。
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