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公开(公告)号：CN105762117A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610293391.X
申请日：2016-05-06
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC分类号： H01L2224/40245 , H01L2924/00014 , H01L2224/37099 , H01L23/15 , H01L23/48 , H01L25/00
摘要： 本发明提供了一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，包括底层LTCC基板、中间层LTCC基板和顶层LTCC基板，中间层LTCC基板包括至少两层，每层LTCC基板上均设置有芯片腔槽，LTCC基板呈阶梯型上下层交错设置，底层、中间层和顶层LTCC基板之间通过金丝或金带实现电连接，通过导电胶粘贴实现力学支撑及共地连接；本发明采用多块传统的LTCC基板交错层叠实现三维封装结构，每层错位电连接区通过相邻层错开的方式，空出部分区域可放置尺寸较大附属器件；使用常规的LTCC基板加工技术、金丝金带键合技术和导电胶粘接技术即可实现，工艺简单，且具有机械强度高、相邻层接触面积大、电路体积小等特点。
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公开(公告)号：CN110931452A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911055588.X
申请日：2019-10-31
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种射频直流旋转对称正反复用型菊花链结构，包括作为上板的基板A和作为下载板的基板B，两个基板通过BGA垂直互连；基板A、B均包括奇数层金属层，基板之间信号连接为：射频通道和直流通道分别相间布局，与各自的对比通道之间成180°旋转对称，每个通道均由多段互连结构，基板A、B通过BGA倒装互连后，通道上串连多个BGA，形成完整菊花链传输结构，基于TDR、VNA等检测手段，可实现对BGA垂直互连可靠性分析；射频通道走线采用类同轴带状线结构，射频通道之间为直流通道，直流通道采用折线型布局方式，因此保证了射频通道侧面参考地连接的完整性，避免通道间的强相互干扰，保证了射频通道的高频传输性能。
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公开(公告)号：CN105789142B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201610291905.8
申请日：2016-05-05
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/14 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/552
摘要： 本发明公开了一种有机基板高密度集成的三维微波电路结构，包括内埋置无源器件的微波有机基板、带隔条的铝腔体，密封焊接的接插件，密封焊接的微波绝缘子，腔体上下盖板。微波有机基板通过螺钉固定到腔体隔条上，接插件和微波绝缘子通过焊接固定到腔体上，腔体上下盖板通过激光封焊焊接到腔体上，使腔体内部密封；本发明组装工艺简单，机械强度高，可靠性高，封装体积小。
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公开(公告)号：CN105762117B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610293391.X
申请日：2016-05-06
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明提供了一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，包括底层LTCC基板、中间层LTCC基板和顶层LTCC基板，中间层LTCC基板包括至少两层，每层LTCC基板上均设置有芯片腔槽，LTCC基板呈阶梯型上下层交错设置，底层、中间层和顶层LTCC基板之间通过金丝或金带实现电连接，通过导电胶粘贴实现力学支撑及共地连接；本发明采用多块传统的LTCC基板交错层叠实现三维封装结构，每层错位电连接区通过相邻层错开的方式，空出部分区域可放置尺寸较大附属器件；使用常规的LTCC基板加工技术、金丝金带键合技术和导电胶粘接技术即可实现，工艺简单，且具有机械强度高、相邻层接触面积大、电路体积小等特点。
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公开(公告)号：CN104766833A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510170825.2
申请日：2015-04-10
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/02 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板正反面布置电路的微波电路三维封装结构，包LTCC基板、支撑铝板和铝腔体，支撑铝板上表面粘接在LTCC基板下表面上，支撑铝板下表面粘接在铝腔体的腔体内，所述支撑铝板为中间镂空的铝框。本发明组装工艺简单，而且对位精度要求低，机械强度高，封装体积小。
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公开(公告)号：CN110931452B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201911055588.X
申请日：2019-10-31
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种射频直流旋转对称正反复用型菊花链结构，包括作为上板的基板A和作为下载板的基板B，两个基板通过BGA垂直互连；基板A、B均包括奇数层金属层，基板之间信号连接为：射频通道和直流通道分别相间布局，与各自的对比通道之间成180°旋转对称，每个通道均由多段互连结构构成，基板A、B通过BGA倒装互连后，通道上串连多个BGA，形成完整菊花链传输结构，基于TDR、VNA等检测手段，可实现对BGA垂直互连可靠性分析；射频通道走线采用类同轴带状线结构，射频通道之间为直流通道，直流通道采用折线型布局方式，因此保证了射频通道侧面参考地连接的完整性，避免通道间的强相互干扰，保证了射频通道的高频传输性能。
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公开(公告)号：CN106506034A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611103646.8
申请日：2016-12-05
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种低噪声开关双工器，包括单刀双掷开关一、单刀双掷开关二、单刀双掷开关三、单刀双掷开关四、低噪声放大器一、低噪声放大器二、双工器，单刀双掷开关一和单刀双掷开关三与双工器连接，双工器连接天线；所述单刀双掷开关二的输入接发射通道，单刀双掷开关二的输出分别至单刀双掷开关一和单刀双掷开关三，单刀双掷开关一输出至单刀双掷开关四的线路上设置有低噪声放大器二，单刀双掷开关三输出至单刀双掷开关四的线路上设置有低噪声放大器一，单刀双掷开关四输出至接收通道；本发明通过在特定位置接入低噪声放大器，可有效降低接收信道的噪声系数，提高接收灵敏度，并改善接收通道和发射通道的隔离度。
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公开(公告)号：CN109411373A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811087383.5
申请日：2018-09-18
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种采用载体支撑实现多层基板三维堆叠的方法，该方法使用单块基板作为电路和元器件的载体；在基板上根据散热需求及力学支撑需求选择位置焊接支撑载体，支撑载体的材料需根据所述基板的热力学性质进行匹配；然后在支撑载体上表面放置焊料，焊料厚度需与BGA焊球焊接后的形变量配合，保证同时实现可靠焊接，使其能实现与上层基板的焊接；基板上按电互联需求、功能区隔离需求和BGA阵列设计规则约束设计BGA焊球排布，BGA焊球作为电路不同功能区的分隔墙、实现上下层基板间的电互联、电信号的输入输出；将多层具备上述结构的基板堆叠，则形成多层基板三维堆叠的电路。
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公开(公告)号：CN104766834B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510170823.3
申请日：2015-04-10
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC分类号： H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板堆叠的微波电路三维封装结构，包括上层LTCC基板、下层LTCC基板和中层铝板，中层铝板为中间镂空的铝框，所述上层LTCC基板粘接在中层铝板的上表面上，所述下层LTCC基板粘接在中层铝板的下表面上，所述上层LTCC基板和下层LTCC基板通过金丝或金带连接。本发明组装工艺简单，而且对位精度要求低，机械强度高。
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公开(公告)号：CN104766833B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510170825.2
申请日：2015-04-10
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/02 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板正反面布置电路的微波电路三维封装结构，包LTCC基板、支撑铝板和铝腔体，支撑铝板上表面粘接在LTCC基板下表面上，支撑铝板下表面粘接在铝腔体的腔体内，所述支撑铝板为中间镂空的铝框。本发明组装工艺简单，而且对位精度要求低，机械强度高，封装体积小。
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