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    一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法
    2.
    发明授权
    一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法 有权

    公开(公告)号：CN114220886B

    公开(公告)日：2023-11-24

    申请号：CN202111526223.8

    申请日：2021-12-14

    申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

    发明人： 黄烈云 ,  吴可 ,  刘钟远 ,  李睿智 ,  龙雨霞 ,  程建 ,  张晓琴 ,  胡莉娟

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/146 ,  H01L31/107

    摘要： 本发明公开了一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法，主要包括在硅外延衬底的上表面生长一层二氧化硅薄膜；采用光刻工艺在所述二氧化硅薄膜上制作出呈相应阵列分布的环状掺杂窗口；利用离子注入以及高温推结工艺在所述环状掺杂窗口进行深结磷掺杂，以在硅外延衬底上形成磷掺杂的隔离环；采用常规拉通型APD工艺在所述二氧化硅薄膜上通过光刻工艺和离子注入工艺制作阵列像元结构；通过金属溅积工艺和光刻工艺在所述APD像元和隔离环上溅积金属电极；本发明所述拉通型硅APD阵列像元间隔离结构，采用硅平面工艺在像元间隔区实现，工艺简单，能有效抑制APD像元的边缘击穿，提高器件分辨率和可靠性。

    一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法
    3.
    发明公开
    一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114220886A

    公开(公告)日：2022-03-22

    申请号：CN202111526223.8

    申请日：2021-12-14

    申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

    发明人： 黄烈云 ,  吴可 ,  刘钟远 ,  李睿智 ,  龙雨霞 ,  程建 ,  张晓琴 ,  胡莉娟

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/146 ,  H01L31/107

    摘要： 本发明公开了一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法，主要包括在硅外延衬底的上表面生长一层二氧化硅薄膜；采用光刻工艺在所述二氧化硅薄膜上制作出呈相应阵列分布的环状掺杂窗口；利用离子注入以及高温推结工艺在所述环状掺杂窗口进行深结磷掺杂，以在硅外延衬底上形成磷掺杂的隔离环；采用常规拉通型APD工艺在所述二氧化硅薄膜上通过光刻工艺和离子注入工艺制作阵列像元结构；通过金属溅积工艺和光刻工艺在所述APD像元和隔离环上溅积金属电极；本发明所述拉通型硅APD阵列像元间隔离结构，采用硅平面工艺在像元间隔区实现，工艺简单，能有效抑制APD像元的边缘击穿，提高器件分辨率和可靠性。

    用于内线转移CCD的引线-遮光结构
    4.
    发明公开
    用于内线转移CCD的引线-遮光结构 无效

    公开(公告)号：CN108565271A

    公开(公告)日：2018-09-21

    申请号：CN201810062600.9

    申请日：2018-01-23

    申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

    发明人： 姜华男 ,  熊玲 ,  龙雨霞 ,  向鹏飞 ,  李睿智

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本发明公开了一种用于内线转移CCD的引线-遮光结构，包括多晶硅转移栅、回留层、遮光金属层、平坦化层和金属总线层；多晶硅转移栅形成在衬底上；回留层覆盖在多晶硅转移栅表面，回留层上设置有与多晶硅转移栅对应的接触孔，遮光金属层覆盖在回留层表面并将所述接触孔填充；平坦化层覆盖在遮光金属层表面，平坦化层上设置有连接孔；金属总线层层叠在平坦化层的上侧面上，金属总线层将连接孔填充，遮光金属层通过连接孔与金属总线层电连接。本发明的有益技术效果是：提出了一种用于内线转移CCD的引线-遮光结构，该结构可以起到较好的遮光效果，同时，还能使遮光金属层起到电连接作用，改善器件的工作频率。

    一种新型结构的APD四象限探测器及其制备方法
    5.
    发明公开
    一种新型结构的APD四象限探测器及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN111106201A

    公开(公告)日：2020-05-05

    申请号：CN201911253180.3

    申请日：2019-12-09

    申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所

    发明人： 黄烈云 ,  刘钟远 ,  罗春林 ,  龙雨霞 ,  任丽平

    IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明涉及一种硅雪崩光电探测器，尤其涉及一种新型结构的APD四象限探测器及其制备方法，所述探测器自上向下依次包括正面钝化层(1)、N电极(2)、N+有源区(3)、P-雪崩区(4)、P型衬底层(5)、P+光敏区(6)、背面钝化层(7)、增透层(8)以及P电极(9)；在正面P-雪崩区(4)、N+有源区周围设计制作有一个P+截止环(10)及两个N+保护环(11)，两个N+保护环(11)设置在内侧，P+截止环(10)设置在外侧；本发明的探测器有效避免器件边缘击穿，减小像元间距离，增大探测面积；背照式硅APD吸收光子产生的电子-空穴对中，空穴未参与倍增，可有效降低器件噪声。