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公开(公告)号：CN1200266C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03128829.4
申请日：2003-05-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海市药品检验所 , 华东师范大学
IPC分类号： G01N21/33
摘要： 本发明公开了一种用红外光谱检测中药中化学药物的方法，该方法是利用预测的已知的化学药物光谱和样品测得的红外光谱进行组合，由计算机的自动分析给出特征值，便可获得样品中是否含有所关注的化学药物。它适合于在中药形成的复杂红外吸收光谱本底中对化学药物光谱结构判读，进而提取出相关的化学成分，有利于快速和半定量地给出相关化学的含量，从而大大地简化了对中药中化学药物检验的复杂性和难度。该发明专利介绍了测量与分析的基本过程，包括样品制备，测量方法、谱图分析方法和实现低漏检率和高灵敏度分析途径的取值函数等。
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公开(公告)号：CN1487280A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03128829.4
申请日：2003-05-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海市药品检验所 , 华东师范大学
IPC分类号： G01N21/33
摘要： 本发明公开了一种用红外光谱检测中药中化学药物的方法，该方法是利用预测的已知的化学药物光谱和样品测得的红外光谱进行组合，由计算机的自动分析给出特征值，便可获得样品中是否含有所关注的化学药物。它适合于在中药形成的复杂红外吸收光谱本底中对化学药物光谱结构判读，进而提取出相关的化学成分，有利于快速和半定量地给出相关化学的含量，从而大大地简化了对中药中化学药物检验的复杂性和难度。该发明专利介绍了测量与分析的基本过程，包括样品制备，测量方法、谱图分析方法和实现低漏检率和高灵敏度分析途径的取值函数等。
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公开(公告)号：CN1787234A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的籿底，选择刻蚀蚀去剩余的籿底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN100442545C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的衬底，选择刻蚀蚀去剩余的衬底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN114519373B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210123355.4
申请日：2022-02-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种采用红外长波焦平面探测器的干涉信号去噪方法。通过红外焦平面探测器和迈克尔逊干涉仪搭建的傅里叶光谱仪采集得到干涉信号。用卡尔曼滤波算法对探测器每一探测元每一时刻的输出进行滤波处理，然后再对每一段滤波结果值求平均，进一步滤除其他噪声；最后排序重构成干涉图。整个去噪方法简单易行，相比于之前直接对多组光谱数据求均值来提高光谱信噪比的方法，该方法在干涉图傅里叶变化成光谱图之前，对干涉信号中的噪声进行抑制，可进一步滤除随机噪声并保留原始光谱特征。为未来采用长波焦平面探测器的傅里叶光谱仪干涉信号处理提供技术基础。
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公开(公告)号：CN110729375B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201910850370.7
申请日：2019-09-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift‑off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速度。本发明的探测器具有信噪比高、量子效率和光电转换效率高、响应快的特点，并且可应用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN116314428A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310325851.2
申请日：2023-03-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/112 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L23/66
摘要： 本发明公开的是基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件，在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlxGa1‑xAs缓冲层、AlxGa1‑xAs势垒层、Si的δ掺杂底层、AlxGa1‑xAs的隔离层、InxGa1‑xAs的沟道层、AlxGa1‑xAs的隔离层、Si的δ掺杂层、AlxGa1‑xAs势垒层、未掺杂的AlAs层、未掺杂的GaAs层、掺杂Si的AlAs势垒层和掺杂Si的GaAs帽层。源极、漏极分别于GaAs缓冲层以及各个势垒层两端接触形成欧姆接触，并在沟道层之间形成的二维电子气通道。其主要特征是InGaAs/AlGaAs形成的二维电子气具有非常高的电子迁移率，并可与太赫兹波产生等离子共振，增强了太赫兹波的吸收，并提高了光电转换效率。本发明的优点是设计的阵列器件不仅可以实现较高的响应，还实现了较优秀的均匀性特征，以此为基础的线阵列芯片利于大规模集成拓展。
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公开(公告)号：CN116263517A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111514743.7
申请日：2021-12-13
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器，其结构包括衬底、底部布拉格反射层、谐振腔层、下电极、介电间隔层、上电极、可互相静电栅控的石墨烯双层结构及顶部布拉格反射层。该吸收器基于法布里‑珀罗腔共振，在底部和顶部布拉格反射层之间的谐振腔层内形成共振模式。该共振模式的辐射损耗速率主要由布拉格反射层的构成组分、周期数以及石墨烯的费米能级共同决定，而吸收损耗速率由石墨烯的费米能级决定。共振模式的带宽由辐射损耗速率和吸收损耗速率的大小共同决定。通过构建组分以及周期数合适的布拉格反射层、调控石墨烯的费米能级，使系统达到临界耦合，可以实现从可见到中红外可调谐的超窄带完美吸收。
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公开(公告)号：CN114420783A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210123375.1
申请日：2022-02-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器，包括衬底、缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层、钝化层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被第一吸收层，第二吸收层所吸收，且在第一吸收层和I型层进行倍增。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流，提高增益。
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公开(公告)号：CN113964235A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111127775.1
申请日：2021-09-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/075
摘要： 本发明公开了一种原子层厚度调控二维材料PtSSe掺杂特性的方法。本方法通过机械剥离减薄二维材料PtSSe，随着原子层厚度的减薄，二维原子层材料的掺杂类型从p型转变成i型，继而转变成n型，载流子浓度从1012cm‑2变化到1011cm‑2。可控掺杂关键点是制备不同厚度的二维材料，随着二维材料厚度的变化，材料中发生应力变化，使得二维材料PtSSe点缺陷种类发生变化，实现二维材料掺杂。而且，二维材料PtSSe的厚度仅改变0.8nm，掺杂浓度发生明显变化，实现了二维材料原子层厚度的掺杂。本发明的优点在于简单、无损伤、单原子层可控地实现了二维原子层半导体材料掺杂类型和掺杂浓度的连续变化。
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