一种夹取芯片的镊子
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113305750A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202110688598.8

    申请日:2021-06-21

    Abstract: 本发明提供一种夹取芯片的镊子,用于夹取芯片,所述夹取芯片的镊子包括两个夹臂和限位结构;每一所述夹臂具有沿其长度方向呈相对设置的连接端及夹持端,所述两个夹臂的两个所述连接端相连接,所述两个夹臂的两个所述夹持端能够沿相互靠近的夹持方向活动;限位结构,包括限位件,所述限位件的长度可调地设于所述两个夹臂的所述两个夹持端之间;其中,所述两个夹臂的所述两个夹持端上均设有用以夹取芯片的金属片。通过限位件控制镊臂的闭合,起到缓冲作用,使用底端的金属片夹取芯片,增大接触面积,减免芯片夹取带来的损伤。本发明提供的夹取芯片的镊子无需调节,操作简单,有效降低夹取芯片带来的损伤。

    一种光电混合集成芯片
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114815092B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202210462381.X

    申请日:2022-04-28

    Abstract: 本公开提供了一种光电混合集成芯片,包括:衬底;凹槽,开设于衬底的上表面;第一光子集成元件和第二光子集成元件设置于衬底上,且位于凹槽的两侧;凹槽靠近第一光子集成元件和第二光子集成元件的侧面之间的夹角大于0°且小于180°;第一光子集成元件和第二光子集成元件通过光子引线进行光学连接。本公开通过在衬底上开设凹槽,且该凹槽的两侧设置有第一光子集成元件和第二光子集成元件,使得能够通过凹槽观测到光子引线和第一光子集成元件、第二光子集成元件之间的光学连接情况,从而提高光子引线和第一光子集成元件、第二光子集成元件之间的对准精度,降低了光耦合难度和损耗,提高了光电混合集成芯片的可靠性和实用性。

    一种光电混合集成芯片
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114815092A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210462381.X

    申请日:2022-04-28

    Abstract: 本公开提供了一种光电混合集成芯片,包括:衬底;凹槽,开设于衬底的上表面;第一光子集成元件和第二光子集成元件设置于衬底上,且位于凹槽的两侧;凹槽靠近第一光子集成元件和第二光子集成元件的侧面之间的夹角大于0°且小于180°;第一光子集成元件和第二光子集成元件通过光子引线进行光学连接。本公开通过在衬底上开设凹槽,且该凹槽的两侧设置有第一光子集成元件和第二光子集成元件,使得能够通过凹槽观测到光子引线和第一光子集成元件、第二光子集成元件之间的光学连接情况,从而提高光子引线和第一光子集成元件、第二光子集成元件之间的对准精度,降低了光耦合难度和损耗,提高了光电混合集成芯片的可靠性和实用性。

    光学滤模器
    8.
    发明公开
    光学滤模器 审中-实审

    公开(公告)号:CN118465916A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410700362.5

    申请日:2024-05-31

    Abstract: 本发明提供一种光学滤模器,包括衬底、中心波导和两个侧波导,中心波导和两根侧波导均呈直波导地设置在衬底上;中心波导包括沿中心光轴依次连接布置的第一波导段和传输波导,第一波导段的输入端的宽度小于第一波导段的输出端的宽度,第一波导段的输入端的宽度沿中心光轴逐渐变宽成第一波导段的输出端的宽度;两个侧波导分别位于传输波导的相对两侧并以中心光轴对称布置,侧波导与传输波导绝热耦合。本案采用三波导方式进行绝热耦合,能够尽可能小地减少对TE0模式光造成的损耗,通过两侧波导扇出进行扇出滤除,消除其他模式光对后续线路的影响,且本案器件尺寸布置更为紧凑,也具有更良好的对制造公差的鲁棒性以及宽带性能。

    一种减弱铌酸锂热释电对光刻影响的方法

    公开(公告)号:CN116133501A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211656714.9

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本公开实施例提供的一种减弱铌酸锂热释电对光刻影响的方法,包括:在清洗后的铌酸锂晶圆的第一表面上形成覆盖所述第一表面的第一导电层;在所述铌酸锂晶圆的第二表面上形成覆盖所述第二表面的第二导电层,所述第二表面和所述第一表面为所述铌酸锂晶圆上相对设置的两表面;使所述第一导电层和所述第二导电层连通。本公开方法通过使铌酸锂晶圆的等效正负极短路,以中和温度变化过程中在铌酸锂晶圆表面产生的电荷,使得产生的电荷不会累积,从而有效避免铌酸锂晶圆在光刻过程的光刻胶烘烤环节产生炸胶的情况,保证光刻效果。

    一种光芯片的出射模场测量装置及其测量方法

    公开(公告)号:CN114839730B

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202210455194.9

    申请日:2022-04-26

    Abstract: 本发明提供一种光芯片的出射模场测量装置及其测量方法,包括待测光芯片、放大透镜组件和平面探测器,待测光芯片设置有至少两个光波导,至少两个光波导的出射端位于同一侧上并呈预设间距相间隔,至少两个光波导的出射光经过放大透镜组件的成像放大后入射至平面探测器。以芯片波导间距进行定标,根据等比例关系可计算得出出射端处的出射光斑的尺寸,既克服了计算透镜组放大倍率难的问题,也避免了选择其它定标物带来的麻烦,从而简易且精确地测量得出光芯片出射模场。

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