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公开(公告)号：CN101441192A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810244460.3
申请日：2008-12-06
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种生物电极及其制作方法，在金属薄膜电极(2)表面存在有序多孔基材料改性层(7)，是由有序多孔氧化铝(4b)和碳纳米管(5)组成的复合薄膜；碳纳米管(5)位于有序多孔氧化铝(4b)的孔道中，与所述的金属薄膜电极(2)接触。方法是：在金属薄膜电极(2)表面沉积铝层(4)，通过阳极氧化工艺得到有序多孔氧化铝(4b)，通过化学气相沉积工艺在有序多孔氧化铝(4b)的孔道中生长碳纳米管(5)。采用吸附、交联、共价键合手段将氧化还原蛋白质(6)固定于有序多孔基材料改性层(7)的孔道中，得到生物电极。有序多孔氧化铝(4b)比表面积大、碳纳米管(5)电导率高，该生物电极检测灵敏度高、信号响应速度快。
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公开(公告)号：CN101441192B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200810244460.3
申请日：2008-12-06
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种生物电极及其制作方法，在金属薄膜电极(2)表面存在有序多孔基材料改性层(7)，是由有序多孔氧化铝(4b)和碳纳米管(5)组成的复合薄膜；碳纳米管(5)位于有序多孔氧化铝(4b)的孔道中，与所述的金属薄膜电极(2)接触。方法是：在金属薄膜电极(2)表面沉积铝层(4)，通过阳极氧化工艺得到有序多孔氧化铝(4b)，通过化学气相沉积工艺在有序多孔氧化铝(4b)的孔道中生长碳纳米管(5)。采用吸附、交联、共价键合手段将氧化还原蛋白质(6)固定于有序多孔基材料改性层(7)的孔道中，得到生物电极。有序多孔氧化铝(4b)比表面积大、碳纳米管(5)电导率高，该生物电极检测灵敏度高、信号响应速度快。
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公开(公告)号：CN101587132B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910117170.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种弱磁方向传感器的标定方法，特别是磁场响应值相当于或者小于地磁场的弱磁方向传感器标定方法。该方法实现装置包括一个台面水平的一维旋转平台，一个装弱磁方向传感器的长方体，整个装置无磁。通过在一维旋转平台水平方向360度旋转以及长方体块90度整数倍翻转的弱磁方向传感器空间位置变化所对应的传感器输出变化，确定弱磁方向传感器敏感方向在磁场与水平面组成的坐标系和长方体块坐标系中的空间位置，确定弱磁方向传感器输出特性。该方法不需要现有弱磁传感器标定使用的磁屏蔽房和亥姆霍兹线圈，在简单设备情况下实现对弱磁方向传感器的高精度标定。
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公开(公告)号：CN101587132A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910117170.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种弱磁方向传感器的标定方法，特别是磁场响应值相当于或者小于地磁场的弱磁方向传感器标定方法。该方法实现装置包括一个台面水平的一维旋转平台，一个装弱磁方向传感器的长方体，整个装置无磁。通过在一维旋转平台水平方向360度旋转以及长方体块90度整数倍翻转的弱磁方向传感器空间位置变化所对应的传感器输出变化，确定弱磁方向传感器敏感方向在磁场与水平面组成的坐标系和长方体块坐标系中的空间位置，确定弱磁方向传感器输出特性。该方法不需要现有弱磁传感器标定使用的磁屏蔽房和亥姆霍兹线圈，在简单设备情况下实现对弱磁方向传感器的高精度标定。
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公开(公告)号：CN101067616B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710023322.8
申请日：2007-06-06
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了纵向高场不对称波形离子迁移谱装置，包括介质阻挡放电离化源、屏蔽电极、检测仪。介质阻挡放电离化源包括阻挡介质，即硼硅玻璃及镀于硼硅玻璃上的离化电极和离化电路，屏蔽电极置有分别平行镀于硼硅玻璃上的离化迁移内屏蔽电极、离化迁移外屏蔽电极和迁移检测屏蔽电极。进气样品通过介质阻挡放电离化源被离化、然后进入离子迁移管被分离、最后到达检测仪被检测到。本发明通过集成高离化率的离化源，通过改变装置结构以缩短离子复合时间，使得到达检测区的离子数大幅度增加，并比较容易地被检测到，提高了装置的灵敏度，另一方面通过使用屏蔽电极消除了介质阻挡放电离化源、离子迁移管、检测仪之间的相互影响，提高了装置的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101504426B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910116228.6
申请日：2009-02-23
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81C5/00
CPC classification number: G01P2015/082
Abstract: 本发明涉及梳齿电容式双轴加速度计，包括有基片，基片上有敏感质量块，所述敏感质量块上分别安装有固定梳齿，所述敏感质量块的每个周边与对应的固定梳齿之间还有可动梳齿，所述敏感质量块的四个边角处还分别连接有四个支撑架，所述四个支撑架沿敏感质量块中心对称，其另一端连接至基片上。本发明体积小，重量轻，可实现高灵敏度、高分辨率的二维加速度测量。
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公开(公告)号：CN101800150A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010135135.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种高场不对称波形离子迁移管及其制作方法，高场不对称波形离子迁移管包括基片、支撑梁、迁移区电极、检测电极、主屏蔽电极、辅助屏蔽电极、加热电阻和温度传感器。主屏蔽电极和辅助屏蔽电极降低了迁移区电场对检测电极的干扰，加热电阻和温度传感器直接集成于迁移管上，在不增加迁移管体积的前提下实现了迁移管温度的精确控制；制作方法采用丝网印刷浆料而后高温烧结的厚膜工艺，基片采用陶瓷材料，而不是易碎的硼硅玻璃材料，制作方法简单，工艺周期短，成本低，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN101504426A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910116228.6
申请日：2009-02-23
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81C5/00
CPC classification number: G01P2015/082
Abstract: 本发明涉及梳齿电容式双轴加速度计，包括有基片，基片上有敏感质量块，所述敏感质量块上分别安装有固定梳齿，所述敏感质量块的每个周边与对应的固定梳齿之间还有可动梳齿，所述敏感质量块的四个边角处还分别连接有四个支撑架，所述四个支撑架沿敏感质量块中心对称，其另一端连接至基片上。本发明体积小，重量轻，可实现高灵敏度、高分辨率的二维加速度测量。
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公开(公告)号：CN101067616A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710023322.8
申请日：2007-06-06
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了纵向高场不对称波形离子迁移谱装置，包括介质阻挡放电离化源、屏蔽电极、检测仪。介质阻挡放电离化源包括阻挡介质，即硼硅玻璃及镀于硼硅玻璃上的离化电极和离化电路，屏蔽电极置有分别平行镀于硼硅玻璃上的离化迁移内屏蔽电极、离化迁移外屏蔽电极和迁移检测屏蔽电极。进气样品通过介质阻挡放电离化源被离化、然后进入离子迁移管被分离、最后到达检测仪被检测到。本发明通过集成高离化率的离化源，通过改变装置结构以缩短离子复合时间，使得到达检测区的离子数大幅度增加，并比较容易地被检测到，提高了装置的灵敏度，另一方面通过使用屏蔽电极消除了介质阻挡放电离化源、离子迁移管、检测仪之间的相互影响，提高了装置的稳定性。
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公开(公告)号：CN101800150B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010135135.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种高场不对称波形离子迁移管及其制作方法，高场不对称波形离子迁移管包括基片、支撑梁、迁移区电极、检测电极、主屏蔽电极、辅助屏蔽电极、加热电阻和温度传感器。主屏蔽电极和辅助屏蔽电极降低了迁移区电场对检测电极的干扰，加热电阻和温度传感器直接集成于迁移管上，在不增加迁移管体积的前提下实现了迁移管温度的精确控制；制作方法采用丝网印刷浆料而后高温烧结的厚膜工艺，基片采用陶瓷材料，而不是易碎的硼硅玻璃材料，制作方法简单，工艺周期短，成本低，适合大批量生产。
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