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公开(公告)号：CN101800150B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010135135.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种高场不对称波形离子迁移管及其制作方法，高场不对称波形离子迁移管包括基片、支撑梁、迁移区电极、检测电极、主屏蔽电极、辅助屏蔽电极、加热电阻和温度传感器。主屏蔽电极和辅助屏蔽电极降低了迁移区电场对检测电极的干扰，加热电阻和温度传感器直接集成于迁移管上，在不增加迁移管体积的前提下实现了迁移管温度的精确控制；制作方法采用丝网印刷浆料而后高温烧结的厚膜工艺，基片采用陶瓷材料，而不是易碎的硼硅玻璃材料，制作方法简单，工艺周期短，成本低，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN100459031C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610098136.6
申请日：2006-11-28
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种硅微机械两维倾角传感器芯片及制作方法，所述的传感器由一个可动的蝶形质量块、成“十”字型结构的四个硅应变梁以及具有过载限位保护功能的硼硅玻璃衬底构成。该传感器芯片能同时检测出X和Y两个方向的倾角变化。每个单晶硅应变梁在敏感位置布置两个压阻敏感电阻，对应两个梁上的四个敏感电阻构成全桥输出，检测倾角变化。制作方法采用感应耦合等离子体干法刻蚀，有效地增加质量块体积和精确控制应变梁厚度，提高传感器芯片的阵列密度，制作工艺简单，容易实现。离子注入工艺对压敏电阻区的掺杂，压敏电阻的一致性好，离子注入形成的电阻区结深较浅，这样压敏电阻就能充分利用最大应变表层，因此具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1970431A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610098136.6
申请日：2006-11-28
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种硅微机械两维倾角传感器芯片及制作方法，所述的传感器由一个可动的蝶形质量块、成“十”字型结构的四个硅应变梁以及具有过载限位保护功能的硼硅玻璃衬底构成。该传感器芯片能同时检测出X和Y两个方向的倾角变化。每个单晶硅应变梁在敏感位置布置两个压阻敏感电阻，对应两个梁上的四个敏感电阻构成全桥输出，检测倾角变化。制作方法采用感应藕合等离子体干法刻蚀，有效地增加质量块体积和精确控制应变梁厚度，提高传感器芯片的阵列密度，制作工艺简单，容易实现。离子注入工艺对压敏电阻区的掺杂，压敏电阻的一致性好，离子注入形成的电阻区结深较浅，这样压敏电阻就能充分利用最大应变表层，因此具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101293535B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810126440.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了汽车方向盘转角的测量方法。汽车方向盘中的主旋转体在转动轴的转动带动下带动副旋转体旋转，主旋转体与副旋转体传动比为m∶n，主旋转体通过第一转角传感器获得主旋转体的相对转角θ1，副旋转体通过第二转角传感器获得副旋转体的相对转角θ2，由此获得实际截矩K，由实际截矩K获得理论截矩L，再由理论截矩L获得主旋转体的转动圈数P，将所述主旋转体的相对转角θ1和副旋转体的相对转角θ2输入微处理器，微处理器处理后输出主旋转体的m圈内绝对转角θ，即是由主旋转体转动圈数P和主旋转体相对转角θ1获得主旋转体在m圈内绝对转角θ。这种汽车方向盘转角的测量方法能够消除由空程引起的系统误差，实现在小体积、简单结构内精确测量m圈内绝对转角θ。
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公开(公告)号：CN101293535A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810126440.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了汽车方向盘转角的测量方法。汽车方向盘中的主旋转体在转动轴的转动带动下带动副旋转体旋转，主旋转体与副旋转体传动比为m∶n，主旋转体通过第一转角传感器获得主旋转体的相对转角θ1，副旋转体通过第二转角传感器获得副旋转体的相对转角θ2，由此获得实际截矩K，由实际截矩K获得理论截矩L，再由理论截矩L获得主旋转体的转动圈数P，将所述主旋转体的相对转角θ1和副旋转体的相对转角θ2输入微处理器，微处理器处理后输出主旋转体的m圈内绝对转角θ，即是由主旋转体转动圈数P和主旋转体相对转角θ1获得主旋转体在m圈内绝对转角θ。这种汽车方向盘转角的测量方法能够消除由空程引起的系统误差，实现在小体积、简单结构内精确测量m圈内绝对转角θ。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101587038B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910117169.4
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种大气压下液态样本解吸附离化方法，将含有待测物质的液态样雾化成为雾滴样本；使载气电离成为载气等离子体，称为第一等离子体；雾滴样本进入载气等离子体区域，在第一等离子体作用下，其中的待测物质分子转变成待测物质离子，相应的第一等离子体转变成为含有待测物质离子的第二等离子体；第二等离子体中的待测物质离子在外界电场或者气流或者本身扩散的作用下进入离子检测装置被检测。本发明将雾化技术与大气压下低温等离子体技术相结合，扩大了低温等离子体与液态样本的接触面积，从而增加了待测溶质的解吸附数量，提高了待测溶质转变成气态离子的比例，为离子检测装置提供了更多的待测物质离子。
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公开(公告)号：CN101067616B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710023322.8
申请日：2007-06-06
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了纵向高场不对称波形离子迁移谱装置，包括介质阻挡放电离化源、屏蔽电极、检测仪。介质阻挡放电离化源包括阻挡介质，即硼硅玻璃及镀于硼硅玻璃上的离化电极和离化电路，屏蔽电极置有分别平行镀于硼硅玻璃上的离化迁移内屏蔽电极、离化迁移外屏蔽电极和迁移检测屏蔽电极。进气样品通过介质阻挡放电离化源被离化、然后进入离子迁移管被分离、最后到达检测仪被检测到。本发明通过集成高离化率的离化源，通过改变装置结构以缩短离子复合时间，使得到达检测区的离子数大幅度增加，并比较容易地被检测到，提高了装置的灵敏度，另一方面通过使用屏蔽电极消除了介质阻挡放电离化源、离子迁移管、检测仪之间的相互影响，提高了装置的稳定性。
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公开(公告)号：CN101504426B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910116228.6
申请日：2009-02-23
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81C5/00
CPC classification number: G01P2015/082
Abstract: 本发明涉及梳齿电容式双轴加速度计，包括有基片，基片上有敏感质量块，所述敏感质量块上分别安装有固定梳齿，所述敏感质量块的每个周边与对应的固定梳齿之间还有可动梳齿，所述敏感质量块的四个边角处还分别连接有四个支撑架，所述四个支撑架沿敏感质量块中心对称，其另一端连接至基片上。本发明体积小，重量轻，可实现高灵敏度、高分辨率的二维加速度测量。
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公开(公告)号：CN101800150A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010135135.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种高场不对称波形离子迁移管及其制作方法，高场不对称波形离子迁移管包括基片、支撑梁、迁移区电极、检测电极、主屏蔽电极、辅助屏蔽电极、加热电阻和温度传感器。主屏蔽电极和辅助屏蔽电极降低了迁移区电场对检测电极的干扰，加热电阻和温度传感器直接集成于迁移管上，在不增加迁移管体积的前提下实现了迁移管温度的精确控制；制作方法采用丝网印刷浆料而后高温烧结的厚膜工艺，基片采用陶瓷材料，而不是易碎的硼硅玻璃材料，制作方法简单，工艺周期短，成本低，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN101587038A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910117169.4
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种大气压下液态样本解吸附离化方法，将含有待测物质的液态样雾化成为雾滴样本；使载气电离成为载气等离子体，称为第一等离子体；雾滴样本进入载气等离子体区域，在第一等离子体作用下，其中的待测物质分子转变成待测物质离子，相应的第一等离子体转变成为含有待测物质离子的第二等离子体；第二等离子体中的待测物质离子在外界电场或者气流或者本身扩散的作用下进入离子检测装置被检测。本发明将雾化技术与大气压下低温等离子体技术相结合，扩大了低温等离子体与液态样本的接触面积，从而增加了待测溶质的解吸附数量，提高了待测溶质转变成气态离子的比例，为离子检测装置提供了更多的待测物质离子。
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