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1.

发明授权
包括贯通式模具连接器的半导体封装件及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN106952879B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610638430.5

申请日：2016-08-05

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金钟薰 , 成基俊 , 刘荣槿 , 崔亨硕

IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/528 , H01L25/07 , H01L21/60

CPC分类号： H01L25/105 , H01L21/31058 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012

摘要： 本公开涉及包括贯通式模具连接器的半导体封装件及其制造方法。提供了一种半导体封装结构和用于制造该半导体封装结构的方法。根据该方法，第一模具层被形成为覆盖第一半导体芯片和第一凸块。第一模具层的一部分被去除以暴露出所述第一凸块的顶部，并且第二凸块被设置成被连接到各个第一凸块。第二模具层被形成，并且所述第二模具层被凹进以形成具有设置在所述第一凸块上的所述第二凸块的贯通式模具连接器，所述贯通式模具连接器基本上穿透所述第二模具层。

2.

发明授权
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN106898593B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201611031782.0

申请日：2016-11-22

申请人： 东和株式会社

发明人： 竹内慎

IPC分类号： H01L23/498 , H01L25/10 , H01L21/98

CPC分类号： H01L25/105 , H01L23/3121 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1076 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法，以提高构成PoP型半导体装置的下侧的半导体装置的生产率。在布线基板(2)的上表面设置多个布线(4)、相当于布线(4)的一端的焊接引线(5)、以及相当于布线(4)的另一端的焊盘(6)。在布线基板(2)的中央部安装半导体芯片(3)。使用焊线将半导体芯片(3)的电极垫(11)和焊接引线(5)电连接。在各焊盘(6)上分别设置焊球(13)。在布线基板(2)的上表面设置密封树脂(14)，该密封树脂(14)覆盖半导体芯片(3)、多个布线(4)、焊线(12)、焊球(13)等。在密封树脂(14)中设置使焊球(13)的上部露出的连续槽(15)。通过将在下侧的半导体装置(1)上设置的焊球(13)和在上侧的半导体装置上设置的焊球电连接，来制造PoP型半导体装置。

3.

发明授权
用于半导体封装的模塑组合物和使用该模塑组合物的半导体封装失效

公开(公告)号：CN104341774B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410273177.9

申请日：2014-06-18

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 池受玲 , 金承焕

IPC分类号： C08L77/12 , C08L63/00 , C08K3/04 , C09D177/12 , C09D163/00 , C09D7/61 , H01L23/29

CPC分类号： H01L23/295 , C08K3/042 , C08K3/20 , C08L63/00 , C08L63/04 , C08L67/03 , C09K19/3809 , C09K2019/521 , H01L23/3128 , H01L25/105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014

摘要： 本申请公开了一种用于半导体封装的模塑组合物和使用该模塑组合物的半导体封装。该模塑组合物包括液晶热固性聚合物树脂和氧化石墨烯，从而有效地降低热膨胀系数(CTE)和翘曲以及最大化导热系数的效应。

4.

发明授权
具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN105280569B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201510315540.3

申请日：2015-06-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金永培

IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/31 , H01L21/56

CPC分类号： H01L23/562 , H01L23/3135 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014

摘要： 提供具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括封装基底、半导体芯片、模制层和残余应力层。封装基底具有上表面和下表面。半导体芯片设置在封装基底的上表面上。模制层包封半导体芯片。残余应力层设置在半导体芯片上。残余应力层包括塑性形变的表面。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。

5.

发明授权
包括插入件开口的半导体封装件装置有权

公开(公告)号：CN104576557B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410512875.X

申请日：2014-09-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金相昱

IPC分类号： H01L23/31

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/42 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L25/10 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 提供了一种半导体封装件装置，所述半导体封装件装置包括下封装件、设置在下封装件上并且包括接地层和至少一个开口的插入件、位于插入件上的上封装件。下封装件包括第一封装件基板、位于第一封装件基板上的第一半导体芯片以及位于第一封装件基板上的第一模制化合物层。上封装件包括第二封装件基板和位于第二封装件基板上的至少一个上半导体芯片。热传递构件包括设置在插入件和上封装件之间的第一部分，设置在插入件的至少一个开口中的第二部分以及设置在插入件和下封装件之间的第三部分。

6.

发明授权
封装结构有权

公开(公告)号：CN103715168B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310464626.3

申请日：2013-10-08

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 金兴圭

IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/50 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05567 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/73259 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种封装结构，该封装结构包括：绝缘层；裸片，嵌入绝缘层的一个表面中；金属柱，形成在裸片的表面上并且延伸至绝缘层的另一表面；以及第一金属图案，形成在绝缘层的另一表面上并且电连接至金属柱。根据本发明的封装结构能够提供制造效率。

7.

发明授权
用于嵌入式管芯的封装组件及相关联的技术和配置有权

公开(公告)号：CN104253116B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410299475.5

申请日：2014-06-26

申请人： 英特尔公司

发明人： T·首藤

IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/98

CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本公开的实施例涉及一种用于嵌入式管芯的封装组件和相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种装置，其包括：管芯附连层、与管芯附连层耦合的管芯、与管芯附连层耦合的增强板、以及与增强板的第二侧耦合的一个或多个构建层，该管芯具有包括管芯的有源器件的有源侧和与有源侧相对设置的无源侧，该增强板具有第一侧和与第一侧相对设置的第二侧以及设置在增强板中的腔，该一个或多个构建层包括绝缘体和设置在绝缘体中的导电特征，该导电特征与管芯电耦合，其中管芯的无源侧与管芯附连层直接接触，增强板的第一侧与管芯附连层直接接触，并且管芯设置在腔中。可描述和/或要求保护其它的实施例。