-
公开(公告)号：CN117543213A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311326269.4
申请日：2023-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 国家电网有限公司 , 国网河北省电力有限公司营销服务中心
Abstract: 本申请提供了一种宽带环形微带天线和电磁环境监测系统传感器，其中宽带环形微带天线应用于电磁环境监测系统，包括介质基板、接地板、辐射部、微带馈线和匹配电阻，接地板设置在介质基板的第一侧面上，接地板上具有缺陷带，缺陷带将所述接地板分为第一部分和第二部分，辐射部、微带馈线和匹配电阻设置在介质基板的第二侧面上，微带馈线通过匹配电阻与辐射部相连接；其中，辐射部包括第一辐射单元、第二辐射单元和第三辐射单元，第三辐射单元包括第一段、第二段和连接段，第一辐射单元、第二辐射单元、第一段和第二段的中轴线共线设置，第一辐射单元的面积大于第二辐射单元的面积，第二辐射单元的面积大于第一段的面积，第二段设置在第一段内。
-
公开(公告)号：CN115377046A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110539407.1
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/60 , H01L25/16
Abstract: 本发明公布了一种半导体器件的封装结构以及封装方法，所述封装结构包括：相对设置的驱动模块和功率模块；所述功率模块包括第一封装基板以及位于所述第一封装基板朝向所述驱动模块一侧的功率单元；所述驱动模块包括第二封装基板以及位于所述第二封装基板背离所述功率模块一侧的驱动单元；其中，所述第二封装基板具有连接电路，所述连接电路至少用于通过贯穿所述第二封装基板的通孔，连接所述功率单元与所述驱动单元。所述封装结构减小了回路寄生电感。
-
公开(公告)号：CN104064546A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410306702.2
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498 , H01L25/00 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种多节“丰”字形类周期性柔性基板及其三维封装方法，该基板包括多个芯片和一个类周期性柔性基底，该多个芯片以二维方式布设于该类周期性柔性基底上，其中，一部分芯片以“一”字形顺序排列于该类周期性柔性基底的中轴线上，剩余的芯片设置在这些“一”字形顺序排列的芯片两侧，且位于该中轴线两端的芯片的两侧不设置芯片。利用本发明，解决了不同柔性基板子封装间由于柔性基板的不确定性带来的对接问题，同时提高了生产的便利性，并充分利用了电路的空间结构。
-
公开(公告)号：CN108287584A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810046100.6
申请日：2018-01-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/561
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准电路，包括：主体电路，运算放大器的反相输入端与第一晶体管的发射极耦合，运算放大器的同相输入端与第二晶体管的发射极通过第三电阻耦合，第一PMOS管、第二PMOS管的源极与电源端连接，栅极与运算放大器的输出端耦合，第一PMOS管的漏极以及第一电阻的一端与反相输入端耦合，第二PMOS管的漏极以及第二电阻的一端均与同相输入端耦合；电压输出模块，包括N条并联的输出支路，每条输出支路包括分路PMOS管和分路参考电阻，PMOS管的源极均与电源端连接，分路PMOS管的栅极均与运算放大器的输出端耦合，分路PMOS管的漏极与该支路中的分路参考电阻连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116682796A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210163509.2
申请日：2022-02-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/52 , H01L21/768
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅基板及其制作方法以及一种功率模块，与现有功率模块封装中采用热导率较低的覆铜陶瓷基板粘接内嵌有微通道的铜散热基板，使得功率器件的热量需经过两层铜金属层、陶瓷衬底及导热胶后才能到达内嵌有流通冷却液的微通道的铜散热基板相比，该碳化硅基板舍弃了热导率较低的陶瓷衬底，采用热导率更高的碳化硅衬底，并直接在碳化硅衬底内设置微通道，使得功率器件产生的热量只需经一层金属层就可以到达内嵌有流通冷却介质的微通道的碳化硅衬底，从而大大缩短了功率器件到达碳化硅衬底内嵌的微通道中流通的冷却介质的热传递路径，减小了热阻，提高了功率模块封装基板的散热效率，实现了快速降低功率器件结温的目的。
-
公开(公告)号：CN106712734A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611063683.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明提供一种自动增益控制装置。所述装置包括：衰减单元，所述衰减单元包括第一射频开关、第二射频开关和固定衰减器，还包括：检波器、控制器及比较器，其中，所述检波器输入端连接射频检波输入信号，输出端与所述比较器的同相输入端连接；所述控制器输入端连接参考电压信号，输出端与所述比较器的反相输入端连接，控制端连接衰减控制信号；所述比较器的电源正端与地连接，电源负端与第一负电压连接，输出端与所述第一射频开关及第二射频开关的控制端连接。本发明能够简化现有自动控制装置的电路结构，提高响应速度。
-
公开(公告)号：CN115859887A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211497374.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种基于Smith的渐变传输线的EDA方法、装置和设备，方案首先获取Smith圆图上的匹配路径，对匹配路径进行离散化处理，然后采用广义反射系数圆拟合离散化后的匹配路径，再基于拟合得到的各个广义反射系数圆的圆心坐标和广义反射系数圆与匹配路径的交点确定广义反射系数圆对应的传输线的特性阻抗和电长度，最后将拟合得到的各个广义反射系数圆对应的传输线的特性阻抗和电长度进行级联，将级联结果作为渐变传输线并输出。在本方案中，传输线的计算方式基于Smith圆图实现，而Smith圆图能够很容易的构建在EDA等设计工具，极大便利了技术人员的设计工作。
-
公开(公告)号：CN108287584B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201810046100.6
申请日：2018-01-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准电路，包括：主体电路，运算放大器的反相输入端与第一晶体管的发射极耦合，运算放大器的同相输入端与第二晶体管的发射极通过第三电阻耦合，第一PMOS管、第二PMOS管的源极与电源端连接，栅极与运算放大器的输出端耦合，第一PMOS管的漏极以及第一电阻的一端与反相输入端耦合，第二PMOS管的漏极以及第二电阻的一端均与同相输入端耦合；电压输出模块，包括N条并联的输出支路，每条输出支路包括分路PMOS管和分路参考电阻，PMOS管的源极均与电源端连接，分路PMOS管的栅极均与运算放大器的输出端耦合，分路PMOS管的漏极与该支路中的分路参考电阻连接。
-
公开(公告)号：CN106712734B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201611063683.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明提供一种自动增益控制装置。所述装置包括：衰减单元，所述衰减单元包括第一射频开关、第二射频开关和固定衰减器，还包括：检波器、控制器及比较器，其中，所述检波器输入端连接射频检波输入信号，输出端与所述比较器的同相输入端连接；所述控制器输入端连接参考电压信号，输出端与所述比较器的反相输入端连接，控制端连接衰减控制信号；所述比较器的电源正端与地连接，电源负端与第一负电压连接，输出端与所述第一射频开关及第二射频开关的控制端连接。本发明能够简化现有自动控制装置的电路结构，提高响应速度。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.072 seconds)
