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公开(公告)号：CN119133164A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411232797.8
申请日：2024-09-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L25/16 , H02M1/00 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供了一种供配电模组及封装供配电模组的方法，供配电模组包括：变压器；两个封装模块，每个封装模块包括：封装基板，封装基板的底面设置有导电层，两个导电层分别与变压器的顶部和底部电连接，以形成垂直堆叠；以及多个电功能器件，封装在封装基板的内部；以及两个侧面电极组，两个侧面电极组分别沿竖直方向电连接在两个封装模块的两侧，以实现供配电模块与外部电路之间的电气连接和信号传输。
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公开(公告)号：CN116156752A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211240175.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺，属于微电子封装技术领域，解决了现有技术中供配电模组体积尺寸大、电流密度低、埋入式芯片封装热阻高、散热困难、结温过高的问题。该模组中，底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极层叠；集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部且在垂直方向上叠层。该封装工艺包括将集成电路芯片埋置于第一芯板中，将无源器件埋置于第二芯板中，压合构成封装基板；对封装基板进行钻孔、孔壁金属化和塞孔得到待封装整体；对待封装整体进行灌封、研磨和表面金属化。该模组和封装工艺能够有效提高电流密度。
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公开(公告)号：CN114628354A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210173511.8
申请日：2022-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种金属绝缘基板铜线结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于提供一种具有具有圆弧边缘和圆弧角的铜线层的金属绝缘基板铜线结构的技术方案。金属绝缘基板厚铜线路结构包括：金属板层、形成在金属板层上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的铜线层；其中，铜线层由电火花工艺对铜板层进行处理形成，铜线层具有圆弧边缘和圆弧角。金属绝缘基板铜线结构的制备方法包括以下步骤：提供金属板层，绝缘层以及铜板层层叠形成的第一叠层结构；利用电火花工艺对铜板层的非图形区域进行减薄处理，以将非图像区域的铜板层减薄至第二预设厚度；去除铜板层的非图形区域在电火花工艺中形成的硬化层，得到铜线层；其中，铜线层具有圆弧边缘和圆弧角。
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公开(公告)号：CN104900611A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510312334.7
申请日：2015-06-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性基板的三维封装散热结构及其制备方法，该三维封装散热结构具有一石墨烯散热片，该石墨烯散热片直接接触于封装体内各芯片的表面，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道。本发明是在基于柔性基板的三维封装过程中，在封装体内埋入超薄且柔韧性较好的石墨烯散热片，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道，利用石墨烯面内超高导热性能，使热量能迅速沿着石墨烯散热片进行面传递，进而使封装体内部芯片产生的热量能够迅速传递出去，提高了封装体内部芯片的散热效率，大大优化了散热效果，增加了器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103560117A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310530690.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于PoP封装的散热结构，包括：上层封装体，包括上层封装基板和贴在或焊在上层封装体的上层封装基板中多个thermal via上的多个上层封装导热芯片或器件；下层封装体，包括下层封装基板和贴在或焊在下层封装基板表面的多个下层封装导热芯片或器件；BGA支撑球，形成在上层封装体与下层封装体之间，实现上下两层封装体的电互联；BGA球，形成于下层封装体的下层封装基板的背面，以支撑上下两层封装体；散热罩，覆盖于上层封装体之上，以实现上层封装体的上层封装导热芯片或器件散热及屏蔽；以及热界面材料，形成于上层封装体的上层封装导热芯片或器件与散热罩之间，以减小上层封装体与散热罩之间的接触热阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560090A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310533245.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L21/4871 , H01L21/4882 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种用于PoP封装的散热结构的制作方法，包括：制作上层封装基板，其中上层封装基板内有thermal via，还有若干层大面积铜箔，四周有填充满铜的半过孔；将多个上层封装导热芯片或器件贴在或者焊在上层封装基板中的多个thermal via上，形成上层封装体；制作下层封装体；在上层封装基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球并回流，形成BGA支撑球；在下层封装体基板上表面焊盘上刷焊锡膏，下层封装焊盘与上层封装体BGA支撑球对齐后，回流实现上层封装体与下层封装体互联；在下层封装体基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球，回流实现下层封装体植球；在上层封装体顶部上设置一个散热罩，在上层封装导热芯片或器件与散热罩之间涂一层高导热率热界面材料。
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公开(公告)号：CN103560117B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310530690.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于PoP封装的散热结构，包括：上层封装体，包括上层封装基板和贴在或焊在上层封装体的上层封装基板中多个thermal via上的多个上层封装导热芯片或器件；下层封装体，包括下层封装基板和贴在或焊在下层封装基板表面的多个下层封装导热芯片或器件；BGA支撑球，形成在上层封装体与下层封装体之间，实现上下两层封装体的电互联；BGA球，形成于下层封装体的下层封装基板的背面，以支撑上下两层封装体；散热罩，覆盖于上层封装体之上，以实现上层封装体的上层封装导热芯片或器件散热及屏蔽；以及热界面材料，形成于上层封装体的上层封装导热芯片或器件与散热罩之间，以减小上层封装体与散热罩之间的接触热阻。
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公开(公告)号：CN103560090B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310533245.6
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种用于PoP封装的散热结构的制作方法，包括：制作上层封装基板，其中上层封装基板内有thermal via，还有若干层大面积铜箔，四周有填充满铜的半过孔；将多个上层封装导热芯片或器件贴在或者焊在上层封装基板中的多个thermal via上，形成上层封装体；制作下层封装体；在上层封装基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球并回流，形成BGA支撑球；在下层封装体基板上表面焊盘上刷焊锡膏，下层封装焊盘与上层封装体BGA支撑球对齐后，回流实现上层封装体与下层封装体互联；在下层封装体基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球，回流实现下层封装体植球；在上层封装体顶部上设置一个散热罩，在上层封装导热芯片或器件与散热罩之间涂一层高导热率热界面材料。
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公开(公告)号：CN103594433B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310533103.X
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Inventor： 侯峰泽
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种制作刚柔结合板的三维封装散热结构的方法，包括：制作柔性基板；将底部基板和两个刚性基板压合在柔性基板上；在两个刚性基板中挖空腔；将两个铜基分别粘接固定在两个刚性基板的背面；将底部芯片焊接到底部基板上，将两个顶部芯片分别焊到或粘到刚性基板由于挖空腔而露出的两个铜基上，并将两个顶部芯片键合到刚性基板上；弯曲柔性基板，使柔性基板两侧的两个刚性基板置于底部基板上的底部芯片上方，灌入塑封材料使之固定成型；在底部基板背面的焊盘上刷焊锡膏，钢网植BGA球，回流，形成封装体；将底部基板的背面固定于PCB板之上，在两个铜基之上安装散热器。利用本发明，增加了封装体的散热路径，能够更为有效的散出热量。
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公开(公告)号：CN118173507A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410302177.0
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/18 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种封装芯片，包括：热沉，热沉适用于对芯片进行热传导；热界面材料层，设置在芯片和热沉之间，适用于将芯片产生的热量通过热界面材料层传导至热沉；框架，框架包覆芯片和热沉，以将芯片和热沉固定在框架中，并且热沉穿过框架与外部冷源相连通；其中，框架内填充有第一填充物，框架和第一填充物适用于对芯片进行热隔绝；框架的热导率小于1W/mK；第一填充物的热导率小于0.5W/mK。
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