公开(公告)号：CN113964199A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202010702041.0

申请日：2020-07-21

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 尹炅一 ,  吴容哲 ,  刘金彪 ,  贺晓彬 ,  王桂磊 ,  王垚 ,  丁明正

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备。该金属氧化物半导体场效应管包括：有源区；隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化物层，位于所述有源区上；所述栅极氧化物层在所述有源区上相对于所述隔离结构往沟道方向缩进；第一栅极层，位于所述栅极氧化物层上；第二栅极层，位于所述第一栅极层上；其中，每一所述隔离结构与所述栅极氧化物层之间具有一定的间隔距离。本公开实施例提供的金属氧化物半导体场效应管，有源区的顶部两侧具有栅极非重叠区，能够有效消除浅沟槽结构所产生的寄生晶体管现象。

公开(公告)号：CN114429897A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202011181876.2

申请日：2020-10-29

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 尹炅一 ,  吴容哲 ,  高建峰 ,  张月 ,  刘卫兵

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本公开具体提供了一种半导体器件及其加工方法、晶圆的处理方法，该半导体器件包括晶圆。晶圆具有正面、背面及侧面，正面和背面分别处于晶圆的两侧。晶圆的侧面具有弧形延展部和竖直延展部，弧形延展部自晶圆的正面延伸出，竖直延展部同时垂直于晶圆的正面和晶圆的背面。该加工方法包括：执行晶圆处理工艺后，对晶圆边缘进行研磨处理，以形成弧形延展部和竖直延展部，对晶圆背面进行研磨处理，以使晶圆的厚度减小至裸片的厚度。基于对晶圆边缘的研磨处理，本公开能够有效降低甚至避免晶圆边缘破损问题发生的可能性，从而有效地保护了待进行封装的晶圆。因此，本公开能够极大地提高半导体器件的良率，从而明显降低了半导体器件的生产成本。

公开(公告)号：CN111564495A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010270646.7

申请日：2020-04-08

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 尹炅一 ,  吴容哲 ,  刘金彪 ,  贺晓彬 ,  王桂磊 ,  丁明正

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108

摘要： 本申请公开了一种双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法，其中，双沟道MOSFET，包括：有源区；两个隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化层，位于所述有源区上；其中，所述栅极氧化层包括具有两种不同厚度的多个区域；栅极层，位于所述有源区和所述隔离结构上。本申请实施例提供的双沟道MOSFET，能够在有源区形成不同的两个沟道，从而实现通过一个MOSFET实现两种具有不同特性的晶体管功能。

公开(公告)号：CN114141771A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202010917325.1

申请日：2020-09-03

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 尹炅一 ,  吴容哲 ,  刘金彪 ,  贺晓彬 ,  丁明正 ,  王垚 ,  刘青

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构为轴对称结构，包括：一有源区；有源区的中部形成有凹陷部，凹陷部的两侧分别形成一凸起部；一漏极，位于凹陷部的底部；一数据线接触件，位于漏极上；栅极边墙层，位于所述数据线接触件的一侧；两个隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；两个栅极层，分别位于同侧所述栅极边墙层的远离对称轴的一侧；两个字线，分别位于同侧所述栅极层上方；两个源极，分别位于同侧所述凸起部上。本申请的半导体结构，能够减少制造工艺微细化导致的存储单元间干涉的干扰误差，防止行间耦合导致的特性变化(劣化)等问题,能有效提升高集成度半导体产品的可信赖度。

公开(公告)号：CN114628514A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011453143.X

申请日：2020-12-11

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 尹炅一 ,  刘金彪 ,  贺晓彬 ,  唐波 ,  杨涛 ,  李俊峰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本申请公开了一种场效应晶体管结构及其形成方法，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上方的栅极，所述栅极包括厚度不一致的栅电极层和栅介质层；位于所述栅极两侧且嵌入半导体衬底中的源极、漏极、源极延伸部和漏极延伸部，所述源极延伸部与所述漏极延伸部之间形成沟道；其中，所述漏极延伸部上方的栅介质层的厚度大于所述沟道上方的栅介质层的厚度。通过选择性的将栅极中的栅介质层的厚度做的不一致，即漏极延伸部(gate overlap)对应的栅介质层的厚度大于沟道部分对应的栅介质层的厚度，从而可以缓解漏极延伸部的电场，在电路中器件处于关态或者处于等待状态时，减少GIDL泄漏电流的影响。

公开(公告)号：CN111883532A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010597559.2

申请日：2020-06-28

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 尹炅一 ,  吴容哲 ,  高建峰 ,  白国斌 ,  李俊杰 ,  刘卫兵

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L23/60

摘要： 本公开提供一种半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的半导体结构包括：半导体衬底，包括第一有源区和第二有源区，在所述第一有源区具有栅极沟槽；第一栅极结构，填充于所述第一有源区的栅极沟槽中；第二栅极结构，形成于所述第二有源区之上。该半导体结构，将字线交错形成在半导体衬底的上方和下方，字线间的物理距离拉远，减小了相邻字线间的电磁干涉。

公开(公告)号：CN111883532B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202010597559.2

申请日：2020-06-28

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 尹炅一 ,  吴容哲 ,  高建峰 ,  白国斌 ,  李俊杰 ,  刘卫兵

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L23/60

摘要： 本公开提供一种半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的半导体结构包括：半导体衬底，包括第一有源区和第二有源区，在所述第一有源区具有栅极沟槽；第一栅极结构，填充于所述第一有源区的栅极沟槽中；第二栅极结构，形成于所述第二有源区之上。该半导体结构，将字线交错形成在半导体衬底的上方和下方，字线间的物理距离拉远，减小了相邻字线间的电磁干涉。

公开(公告)号：CN114388617A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202011140773.1

申请日：2020-10-22

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 尹炅一 ,  吴容哲 ,  刘金彪 ,  杨涛 ,  贺晓彬 ,  丁明正 ,  王垚

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备。该金属氧化物半导体场效应管包括：有源区；隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化物层，位于所述有源区上；所述栅极氧化物层的两侧分别与所述有源区两侧的隔离结构相接触；栅极层，位于所述隔离结构和所述栅极氧化物层上；所述有源区的上部两侧分别形成有两个栅极非重叠区；所述栅极非重叠区为所述隔离结构所覆盖。本申请的金属氧化物半导体场效应管，有源区的上部两侧分别具有两个栅极非重叠区，栅极非重叠区能够有效消除浅沟槽结构所产生的寄生晶体管现象，能更大程度地减少阈下驼峰现象。