阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置

    公开(公告)号:CN106935546B

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201710236527.8

    申请日:2017-04-12

    IPC分类号: H01L21/77 H01L27/12

    摘要: 本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置,用以减少显示装置多个亮点和暗点的发生。制备方法包括提供一衬底基板,在衬底基板上形成有源层,在有源层朝向衬底基板或背离衬底基板的一侧形成栅极层,在有源层背离衬底基板的一侧形成层间介质层,沿远离衬底基板方向形成的层间介质层包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层,第一膜层和第三膜层包括氧化硅层,第二膜层和第四膜层包括氮化硅层;形成位于层间介质层上的光刻胶层;形成从层间介质层延伸至有源层的过孔;形成位于层间介质层背离衬底基板一侧的源、漏极层,在形成源、漏极层的同时去除层间介质层中未被源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。

    阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置

    公开(公告)号:CN106935546A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710236527.8

    申请日:2017-04-12

    IPC分类号: H01L21/77 H01L27/12

    摘要: 本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置,用以减少显示装置多个亮点和暗点的发生。制备方法包括提供一衬底基板,在衬底基板上形成有源层,在有源层朝向衬底基板或背离衬底基板的一侧形成栅极层,在有源层背离衬底基板的一侧形成层间介质层,沿远离衬底基板方向形成的层间介质层包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层,第一膜层和第三膜层包括氧化硅层,第二膜层和第四膜层包括氮化硅层;形成位于层间介质层上的光刻胶层;形成从层间介质层延伸至有源层的过孔;形成位于层间介质层背离衬底基板一侧的源、漏极层,在形成源、漏极层的同时去除层间介质层中未被源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。