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公开(公告)号：CN105629597B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610025575.8
申请日：2016-01-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC分类号： G06F3/0418 , G02F1/13338 , G02F1/136204 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107 , G06F2203/04111 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0876 , G09G2320/02 , G09G2354/00 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1259
摘要： 本发明涉及一种阵列基板及其显示驱动方法、制作方法、显示装置，其中的阵列基板包括位于衬底上的晶体管器件层，还包括依次层叠的第一透明导电层、第一绝缘层、第二透明导电层、第二绝缘层和第三透明导电层；所述第一透明导电层在显示区域内覆盖所述晶体管器件层；所述第二透明导电层包括触控电极的图形；所述第三透明导电层包括像素电极的图形；所述显示区域中的任一像素区域内，所述像素电极通过设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的过孔连接所述晶体管器件层的像素电极连接端；所述第一透明导电层在所述过孔处设有开口。本发明可以在实现内嵌式触控的情况下保障公共电极的电屏蔽特性，有利于产品良率和产品性能的提升。
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公开(公告)号：CN108388378A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810210253.X
申请日：2018-03-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G06F3/041
摘要： 本发明实施例提供一种显示面板及其修复方法，以解决现有技术中的显示面板存在的维修难度较大或无法维修的问题。所述显示面板包括：多条沿第一方向延伸的触控信号线，以及设置在所述显示面板外围非显示区的至少一条修复线，所述修复线包括沿所述第一方向延伸的第一延伸部，以及与所述第一延伸部的两端分别对应连接的第二延伸部和第三延伸部，所述第二延伸部和所述第三延伸部的延伸方向与所述第一方向垂直，且均与所述触控信号线相互绝缘，所述第二延伸部与至少部分所述触控信号线交叠，在交叠位置处形成第一修复点，所述第三延伸部与相应所述触控信号线交叠，在交叠位置处形成第二修复点。
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公开(公告)号：CN106935546B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710236527.8
申请日：2017-04-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置，用以减少显示装置多个亮点和暗点的发生。制备方法包括提供一衬底基板，在衬底基板上形成有源层，在有源层朝向衬底基板或背离衬底基板的一侧形成栅极层，在有源层背离衬底基板的一侧形成层间介质层，沿远离衬底基板方向形成的层间介质层包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层，第一膜层和第三膜层包括氧化硅层，第二膜层和第四膜层包括氮化硅层；形成位于层间介质层上的光刻胶层；形成从层间介质层延伸至有源层的过孔；形成位于层间介质层背离衬底基板一侧的源、漏极层，在形成源、漏极层的同时去除层间介质层中未被源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。
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公开(公告)号：CN106935546A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710236527.8
申请日：2017-04-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置，用以减少显示装置多个亮点和暗点的发生。制备方法包括提供一衬底基板，在衬底基板上形成有源层，在有源层朝向衬底基板或背离衬底基板的一侧形成栅极层，在有源层背离衬底基板的一侧形成层间介质层，沿远离衬底基板方向形成的层间介质层包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层，第一膜层和第三膜层包括氧化硅层，第二膜层和第四膜层包括氮化硅层；形成位于层间介质层上的光刻胶层；形成从层间介质层延伸至有源层的过孔；形成位于层间介质层背离衬底基板一侧的源、漏极层，在形成源、漏极层的同时去除层间介质层中未被源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。
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公开(公告)号：CN105140177A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510434559.X
申请日：2015-07-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214
摘要： 本发明提供一种阵列基板的制备方法，阵列基板、显示面板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有技术中阵列基板的挡光层和有源层分别图形化产生工艺复杂、成本较高的问题。本发明的阵列基板的制备方法，阵列基板、显示面板、显示装置，由于采用同一掩膜板将阵列基板的挡光层和有源层进行图形化，节省了掩膜板的数量、节省了一步构图工艺、降低了成本；同时无需考虑构图工艺过程中的对齐问题，降低对设备的要求和控制精度。
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公开(公告)号：CN105097552A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510502027.5
申请日：2015-08-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/134363 , G02F1/136227 , H01L21/77 , H01L27/124 , H01L27/32 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/66742 , H01L27/1214
摘要： 薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括在半导体层的图案上形成包括两种不同厚度的光刻胶的第一光刻胶图案；以第一光刻胶图案为阻挡掩模对半导体层的图案进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区的图案；对第一光刻胶图案进行灰化处理，以去除第二厚度光刻胶，并减薄第一厚度光刻胶，形成第二光刻胶图案；再以第二光刻胶图案为阻挡掩模对半导体层的图案进行轻掺杂离子注入工艺，形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的图案。本方法可以精确高效地控制源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的关键尺寸，并且减少了工艺步骤，从而可缩短生产时间，降低成本，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN105527735B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610076266.3
申请日：2016-02-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种基板检测设备及其工作方法，属于显示技术领域。基板检测设备，用于对传送的基板进行检测，所述基板检测设备包括多个检测单元和与所述多个检测单元分别连接的基板信息收集器，每一检测单元包括：用于与传送的基板形成面接触的接触部；检测所述接触部与所述传送的基板的接触状态的处理部；在至少一个所述接触部与所述传送的基板形成面接触后，所述基板信息收集器接收所述处理部的检测结果，并根据所述处理部的检测结果判断所述基板是否损坏。本发明的技术方案能够检测出基板是否破碎，实现成本低。
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公开(公告)号：CN105527735A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610076266.3
申请日：2016-02-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
CPC分类号： G02F1/1309 , G01N27/82
摘要： 本发明提供了一种基板检测设备及其工作方法，属于显示技术领域。基板检测设备，用于对传送的基板进行检测，所述基板检测设备包括多个检测单元和与所述多个检测单元分别连接的基板信息收集器，每一检测单元包括：用于与传送的基板形成面接触的接触部；检测所述接触部与所述传送的基板的接触状态的处理部；在至少一个所述接触部与所述传送的基板形成面接触后，所述基板信息收集器接收所述处理部的检测结果，并根据所述处理部的检测结果判断所述基板是否损坏。本发明的技术方案能够检测出基板是否破碎，实现成本低。
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公开(公告)号：CN107204345B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710370614.2
申请日：2017-05-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可屏蔽设备积累的静电与阵列基板的衬底背面相接触后，通过感应产生的ESD传输到阵列基板中的信号线和/或TFT元件上，提高了产品良率。该制备方法包括，在衬底基板上方形成栅线、数据线和薄膜晶体管的步骤；以及在前述步骤之前的，在衬底基板上依次形成静电屏蔽层、覆盖所述静电屏蔽层的隔离层的步骤；其中，所述静电屏蔽层的图案在所述衬底基板上的正投影覆盖待形成的所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管中至少一者的图案在所述衬底基板上的正投影。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。
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公开(公告)号：CN107204345A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710370614.2
申请日：2017-05-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可屏蔽设备积累的静电与阵列基板的衬底背面相接触后，通过感应产生的ESD传输到阵列基板中的信号线和/或TFT元件上，提高了产品良率。该制备方法包括，在衬底基板上方形成栅线、数据线和薄膜晶体管的步骤；以及在前述步骤之前的，在衬底基板上依次形成静电屏蔽层、覆盖所述静电屏蔽层的隔离层的步骤；其中，所述静电屏蔽层的图案在所述衬底基板上的正投影覆盖待形成的所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管中至少一者的图案在所述衬底基板上的正投影。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。
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