公开(公告)号：CN106483728B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201710005218.X

申请日：2017-01-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 丁多龙 ,  刘华锋 ,  赵生伟 ,  孙超超 ,  王超 ,  吕景萍 ,  杨盟 ,  杨磊 ,  胡重粮 ,  谢霖 ,  顺布乐 ,  孙士民

IPC分类号： G02F1/1362

CPC分类号： G02F1/136213

摘要： 一种像素结构、阵列基板和显示装置，该像素结构包括：信号线；公共电极线，其与所述信号线的延伸方向相同；晶体管，其包括半导体层，所述半导体层包括源极区和漏极区；第一存储电极，其与所述公共电极线绝缘、与所述半导体层的漏极区连接；第二存储电极，其与所述公共电极线连接且与所述第一存储电极绝缘。在该像素结构中，所述第一存储电极和所述第二存储电极都包括设置于所述信号线和所述公共电极线之间且彼此交叠的部分，以形成第一存储电容。本发明实施例可以提高像素结构的存储电容。

公开(公告)号：CN106483728A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201710005218.X

申请日：2017-01-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 丁多龙 ,  刘华锋 ,  赵生伟 ,  孙超超 ,  王超 ,  吕景萍 ,  杨盟 ,  杨磊 ,  胡重粮 ,  谢霖 ,  顺布乐 ,  孙士民

IPC分类号： G02F1/1362

CPC分类号： G02F1/136213

摘要： 一种像素结构、阵列基板和显示装置，该像素结构包括：信号线；公共电极线，其与所述信号线的延伸方向相同；晶体管，其包括半导体层，所述半导体层包括源极区和漏极区；第一存储电极，其与所述公共电极线绝缘、与所述半导体层的漏极区连接；第二存储电极，其与所述公共电极线连接且与所述第一存储电极绝缘。在该像素结构中，所述第一存储电极和所述第二存储电极都包括设置于所述信号线和所述公共电极线之间且彼此交叠的部分，以形成第一存储电容。本发明实施例可以提高像素结构的存储电容。

公开(公告)号：CN106024633A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610465623.5

申请日：2016-06-23

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 孙超超 ,  王超 ,  刘华锋 ,  赵生伟 ,  顺布乐 ,  杨磊 ,  胡重粮 ,  杨盟 ,  吕景萍 ,  谢霖 ,  孙士民 ,  丁多龙

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/66742

摘要： 薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括：在形成有半导体层的衬底基板上形成具有均匀厚度的第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行重掺杂，以形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区；对所述第一光刻胶图案进行灰化处理，得到均匀厚度的第二光刻胶图案；以所述第二光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行轻掺杂，以形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区。该方法可以充分地利用光刻胶，精确高效控制源极轻掺杂区、漏极轻掺杂区的关键尺寸，保证产品的均一性。

公开(公告)号：CN105140177A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510434559.X

申请日：2015-07-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 赵生伟 ,  刘华锋 ,  张凯

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明提供一种阵列基板的制备方法，阵列基板、显示面板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有技术中阵列基板的挡光层和有源层分别图形化产生工艺复杂、成本较高的问题。本发明的阵列基板的制备方法，阵列基板、显示面板、显示装置，由于采用同一掩膜板将阵列基板的挡光层和有源层进行图形化，节省了掩膜板的数量、节省了一步构图工艺、降低了成本；同时无需考虑构图工艺过程中的对齐问题，降低对设备的要求和控制精度。

公开(公告)号：CN105097552A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510502027.5

申请日：2015-08-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 叶路路 ,  刘华锋 ,  吕景萍 ,  杨磊 ,  杨盟 ,  张凯 ,  王超 ,  孙超超 ,  赵生伟

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136227 ,  H01L21/77 ,  H01L27/124 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L27/1214

摘要： 薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括在半导体层的图案上形成包括两种不同厚度的光刻胶的第一光刻胶图案；以第一光刻胶图案为阻挡掩模对半导体层的图案进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区的图案；对第一光刻胶图案进行灰化处理，以去除第二厚度光刻胶，并减薄第一厚度光刻胶，形成第二光刻胶图案；再以第二光刻胶图案为阻挡掩模对半导体层的图案进行轻掺杂离子注入工艺，形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的图案。本方法可以精确高效地控制源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的关键尺寸，并且减少了工艺步骤，从而可缩短生产时间，降低成本，提高产品质量。

公开(公告)号：CN105629597B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201610025575.8

申请日：2016-01-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 孙超超 ,  刘华锋 ,  赵生伟 ,  张凯 ,  杨磊 ,  叶路路 ,  吕景萍 ,  王超 ,  胡重粮 ,  杨盟 ,  丁多龙 ,  顺布乐 ,  谢霖 ,  李瑶 ,  孙士民

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC分类号： G06F3/0418 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04107 ,  G06F2203/04111 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2320/02 ,  G09G2354/00 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259

摘要： 本发明涉及一种阵列基板及其显示驱动方法、制作方法、显示装置，其中的阵列基板包括位于衬底上的晶体管器件层，还包括依次层叠的第一透明导电层、第一绝缘层、第二透明导电层、第二绝缘层和第三透明导电层；所述第一透明导电层在显示区域内覆盖所述晶体管器件层；所述第二透明导电层包括触控电极的图形；所述第三透明导电层包括像素电极的图形；所述显示区域中的任一像素区域内，所述像素电极通过设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的过孔连接所述晶体管器件层的像素电极连接端；所述第一透明导电层在所述过孔处设有开口。本发明可以在实现内嵌式触控的情况下保障公共电极的电屏蔽特性，有利于产品良率和产品性能的提升。

公开(公告)号：CN108898563A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810710468.8

申请日：2018-07-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 谢霖 ,  刘华锋 ,  赵生伟 ,  孙超超 ,  王超 ,  周国庆 ,  顺布乐 ,  吕景萍 ,  张盼盼 ,  王腾飞 ,  潘信桦 ,  李乐乐 ,  常志强 ,  党少聪 ,  穆世杰 ,  王振 ,  麻小川

IPC分类号： G06T5/00 ,  G06T7/00

摘要： 本发明公开了一种显示面板光学检测图像的处理方法及计算机可读介质，针对显示面板光学检测图像出现的模糊问题，利用图像傅里叶频谱特性对显示面板光学检测图像中的模糊图像进行分析，确定模糊图像的模糊类型；其中，模糊类型包括：运动模糊图像和散焦模糊图像；之后采用与模糊类型匹配的修复方式，对模糊图像中的模糊区域进行还原处理，使优化修复后的图像更加能够反映真实的膜层情况，以便于对其进行分析判断。由于整个优化修复过程可自动化进行，无需人员操控，从而节省人力物力、提高不良分析效率。

公开(公告)号：CN104241139B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410433014.2

申请日：2014-08-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 李淳东 ,  刘华锋 ,  李知勋

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法及低温多晶硅薄膜晶体管。该方法包括：利用光刻胶图案对栅极金属层进行刻蚀操作，形成栅极中间图案，所述栅极中间图案的尺寸大于栅极目标图案的尺寸；利用所述光刻胶图案进行遮挡，在多晶硅层形成n+区；采用干法刻蚀工艺去除所述栅极中间图案相对于所述栅极目标图案的多余部分，得到所述栅极目标图案；利用所述栅极目标图案进行遮挡，在所述多晶硅层中形成n‑区。本发明制作的薄膜晶体管的n‑区的精度可以满足低温多晶硅薄膜晶体管对LDD结构尺寸的精确控制，同时简化了LTPS TFF的制作工艺流程。

公开(公告)号：CN108898563B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201810710468.8

申请日：2018-07-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 谢霖 ,  刘华锋 ,  赵生伟 ,  孙超超 ,  王超 ,  周国庆 ,  顺布乐 ,  吕景萍 ,  张盼盼 ,  王腾飞 ,  潘信桦 ,  李乐乐 ,  常志强 ,  党少聪 ,  穆世杰 ,  王振 ,  麻小川

IPC分类号： G06T5/00 ,  G06T7/00

摘要： 本发明公开了一种显示面板光学检测图像的处理方法及计算机可读介质，针对显示面板光学检测图像出现的模糊问题，利用图像傅里叶频谱特性对显示面板光学检测图像中的模糊图像进行分析，确定模糊图像的模糊类型；其中，模糊类型包括：运动模糊图像和散焦模糊图像；之后采用与模糊类型匹配的修复方式，对模糊图像中的模糊区域进行还原处理，使优化修复后的图像更加能够反映真实的膜层情况，以便于对其进行分析判断。由于整个优化修复过程可自动化进行，无需人员操控，从而节省人力物力、提高不良分析效率。

公开(公告)号：CN108761929A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810479864.4

申请日：2018-05-18

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 刘华锋 ,  赵生伟 ,  孙超超 ,  王超 ,  吕景萍 ,  谢霖 ,  周国庆 ,  张盼盼 ,  王腾飞 ,  潘信桦 ,  李乐乐 ,  常志强 ,  党少聪 ,  穆世杰 ,  王振

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/13

摘要： 本发明公开了一种显示基板、显示装置、制作方法及其修复方法，以解决现有技术在对电容结构进行维修时，存在容易发生维修失败的问题。所述电容结构包括：位于所述衬底基板之上的第一电极、位于所述第一电极之上且与所述第一电极绝缘的第二电极，其中，所述第一电极包括：条状的第一主体部、由第一主体部的一侧边延伸出的多个条状第一支部、位于所述第一主体部另一侧且与所述第一主体部间隔设置的条状第一辅助主体部；所述第二电极包括：条状的第二主体部、由第二主体部的一侧边延伸出的多个条状第二支部、位于所述第二主体部另一侧且与所述第二主体部间隔设置的条状第二辅助主体部。