公开(公告)号：CN103583087A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280026481.2

申请日：2012-05-30

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 中村清隆 ,  大桥嘉雄 ,  阿部裕一 ,  平野央介 ,  四方邦英 ,  关口敬一

IPC分类号： H05K1/11 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H05K1/09

CPC分类号： H05K1/09 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/115 ,  H05K3/4061 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2203/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种接合强度高、散热特性优异、且通过缩小在贯通导体上形成的金属配线层的凹陷而能够长期使用的可靠性高的电路基板以及在该电路基板上搭载电子部件而形成的电子装置。电路基板(10)在贯通于陶瓷烧结体(11)的厚度方向的贯通孔(12)中具备由金属构成的贯通导体(13)，并且具备将陶瓷烧结体(11)的至少一个主面侧的贯通导体(13)的表面覆盖而连接的金属配线层(14)，贯通导体(13)具有在贯通孔(12)的内壁侧沿着陶瓷烧结体(11)的厚度方向从贯通孔(12)的一端至另一端配置的第一区域(13a)以及与第一区域(13a)邻接的第二区域(13b)，第二区域(13b)的平均结晶粒径大于第一区域(13a)的平均结晶粒径。

公开(公告)号：CN103583087B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201280026481.2

申请日：2012-05-30

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 中村清隆 ,  大桥嘉雄 ,  阿部裕一 ,  平野央介 ,  四方邦英 ,  关口敬一

IPC分类号： H05K1/11 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H05K1/09

CPC分类号： H05K1/09 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/115 ,  H05K3/4061 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2203/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种接合强度高、散热特性优异、且通过缩小在贯通导体上形成的金属配线层的凹陷而能够长期使用的可靠性高的电路基板以及在该电路基板上搭载电子部件而形成的电子装置。电路基板(10)在贯通于陶瓷烧结体(11)的厚度方向的贯通孔(12)中具备由金属构成的贯通导体(13)，并且具备将陶瓷烧结体(11)的至少一个主面侧的贯通导体(13)的表面覆盖而连接的金属配线层(14)，贯通导体(13)具有在贯通孔(12)的内壁侧沿着陶瓷烧结体(11)的厚度方向从贯通孔(12)的一端至另一端配置的第一区域(13a)以及与第一区域(13a)邻接的第二区域(13b)，第二区域(13b)的平均结晶粒径大于第一区域(13a)的平均结晶粒径。