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公开(公告)号：CN105009442A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201380073661.0
申请日：2013-12-13
Applicant: 住友理工株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/188 , H01L41/1136
Abstract: 本发明提供一种能够针对较宽频域的振动输入实现高效率的发电的、构造新颖的发电装置。发电装置(10)的振动系统形成为多自由度振动系统，该多自由度振动系统构成为包括第1块构件(20)被第1弹簧构件(22)弹性支承的第1振动系统(14)和第2块构件(32)利用第2弹簧构件(34)弹性连结于第1块构件(20)的第2振动系统(16)，并且，发电元件(38)配置在第1块构件(20)与第2块构件(32)之间，通过该第1块构件(20)与第2块构件(32)之间的相对位移，从而振动构件(12)的振动能量向发电元件(38)输入，而且，第1振动系统(14)的固有振动频率与第2振动系统(16)的固有振动频率不同。
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公开(公告)号：CN105009442B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380073661.0
申请日：2013-12-13
Applicant: 住友理工株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/188 , H01L41/1136
Abstract: 本发明提供一种能够针对较宽频域的振动输入实现高效率的发电的、构造新颖的发电装置。发电装置(10)的振动系统形成为多自由度振动系统，该多自由度振动系统构成为包括第1块构件(20)被第1弹簧构件(22)弹性支承的第1振动系统(14)和第2块构件(32)利用第2弹簧构件(34)弹性连结于第1块构件(20)的第2振动系统(16)，并且，发电元件(38)配置在第1块构件(20)与第2块构件(32)之间，通过该第1块构件(20)与第2块构件(32)之间的相对位移，从而振动构件(12)的振动能量向发电元件(38)输入，而且，第1振动系统(14)的固有振动频率与第2振动系统(16)的固有振动频率不同。
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公开(公告)号：CN102405403A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201080017481.7
申请日：2010-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/553 , G01N33/54366
Abstract: 本发明提供一种等离子体传感器，具备第1金属层、和具有与第1金属层的下面对置的上面的第2金属层。向第1金属层的上面供给电磁波。在第1和第2金属层之间设有中空区域，该中空区域构成为以含有媒介的样品进行填充。这种等离子体传感器具有小型且简易的构造。
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公开(公告)号：CN101401495A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008539.X
申请日：2007-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/0306 , H01G4/0085 , H01G4/129 , H01G4/30 , H03H7/0115 , H03H2001/0085 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , Y10T29/435
Abstract: 本发明涉及由介电陶瓷及银电极构成的陶瓷叠层器件，在可以在低温下烧结且相对介电常数以及Q值较高的介电陶瓷中，通过将烧结时的陶瓷与银之间的反应抑制得较低，并控制电极附近的特定元素的偏析，从而可以稳定地获得具有较高的Q值、低损耗的滤波器。为此，在至少由陶瓷及含有硅的玻璃构成的陶瓷叠层体中，使距银电极的距离为5μm以下范围内的硅元素浓度A、与距银电极的距离大于5μm的范围内的硅元素浓度B之比即A/B为2以下。
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公开(公告)号：CN1293573C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200410070353.5
申请日：2004-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/6455 , C04B35/495 , C04B35/638 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/36 , C04B2235/656 , H05K1/0306 , Y10T428/24917
Abstract: 介电陶瓷含有主要组分和相对于主要组分为0.05～2重量%的次要组分。主要组分在xBiO3/2-yCaO-zNbO5/2表示的三元组成图中的特定四角形区域内。次要组分是至少含有SiO2、Li2O、MO(其中M是Ca、Sr、Ba中的至少一种或以上)的玻璃组合物。将以该介电陶瓷为介电体层、以银为主要组分的导体层同时烧结得到的陶瓷电子部件的Q值降低小，并且微波特性优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1175562C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN01121608.5
申请日：2001-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20345
Abstract: 一种电介质分层装置，包括：一个包括多个电介质层的层状物；和安排在层状物内部的多个带状线导体；其中所述多个带状线导体之中的至少一个带状线导体侧部的至少一部分比中部厚。
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公开(公告)号：CN102405403B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080017481.7
申请日：2010-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/553 , G01N33/54366
Abstract: 本发明提供一种等离子体传感器，具备第1金属层、和具有与第1金属层的下面对置的上面的第2金属层。向第1金属层的上面供给电磁波。在第1和第2金属层之间设有中空区域，该中空区域构成为以含有媒介的样品进行填充。这种等离子体传感器具有小型且简易的构造。
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公开(公告)号：CN100550218C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200410011446.0
申请日：2004-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01C7/10
CPC classification number: H01C7/112 , H01C7/1006 , H01C17/06546 , H01C17/06586
Abstract: 静电防护部件的制造方法，具备制造至少含有压敏电阻粒子和树脂粘合剂的浆料的工序；由该浆料制造压敏电阻生料片的工序；形成导体层的工序；在陶瓷基板形成粘合剂层的工序；在粘合剂层上贴合压敏电阻生料片的工序；焙烧工序。能够提供高性能且稳定的静电防护部件。
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公开(公告)号：CN101080960A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200680001419.2
申请日：2006-10-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K3/4611 , B32B18/00 , C04B35/645 , C04B2237/343 , C04B2237/562 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , H05K1/0306 , H05K3/28 , H05K3/4629 , H05K2201/09881 , H05K2201/09909 , H05K2203/308
Abstract: 未烧结积层体具有位于第一陶瓷层的表面上的导体，覆盖导体的端部的位于第一陶瓷层的所述表面上的绝缘体，和位于导体和绝缘体上的第二陶瓷层。在第一陶瓷层烧结而第二陶瓷层不烧结的温度下烧成未烧结积层体。烧成积层体后，将第二陶瓷层从积层体除去，从而获得积层陶瓷基板。绝缘体具有10μm以上40μm以下的厚度。通过该方法，可以获得高密度的绝缘体，而可以容易地形成导体。
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公开(公告)号：CN1978386A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610171943.6
申请日：2006-09-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 用于添加在陶瓷基材中的、与上述陶瓷基材共同烧成而制备烧结陶瓷材料的烧结助剂。该烧结助剂含有氧化铜、氧化钛和氧化铌。在其组成用xCuO－yTiO2－zNbO2.5(x、y、z是摩尔比，x+y+z＝1.0)表示时的三成分组成图中，x、y和z在点A、B、C、D为顶点的四角形ABCD区域内：A：(x，y，z)＝(0.500，0.250，0.250)B：(x，y，z)＝(0.300，0.250，0.450)C：(x，y，z)＝(0.640，0.040，0.320)D：(x，y，z)＝(0.384，0.040，0.576)。使用该烧结助剂，抑制陶瓷基材特性劣化的同时能够得到烧成温度低的陶瓷材料。
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