公开(公告)号：CN102959736B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180032436.3

申请日：2011-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  中幡英章 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

Abstract: 提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。

公开(公告)号：CN102612758B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180004431.X

申请日：2011-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  中幡英章 ,  猪口康博 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。

公开(公告)号：CN102203960A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201080003113.7

申请日：2010-07-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  石塚贵司 ,  秋田胜史 ,  永井阳一 ,  田边达也

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，其中能够有效地生长具有许多对量子阱的多量子阱结构并同时确保优异的晶体品质。本发明还提供了通过这种方法制造的半导体器件。本发明制造半导体器件的方法包括形成具有50对以上由III-V族化合物半导体构成的量子阱的多量子阱结构(3)的步骤。在所述形成多量子阱结构(3)的步骤中，通过全金属有机气相淀积法(全金属有机MOVPE法)来形成所述多量子阱结构。

公开(公告)号：CN103426966A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310258404.6

申请日：2010-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035209 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种可减少暗电流的受光元件，其具备衬底、受光层、扩散浓度分布调整层及窗层，受光层设置在衬底与扩散浓度分布调整层之间，扩散浓度分布调整层设置在受光层与窗层之间，包含窗层及扩散浓度分布调整层的半导体区域包含沿着与受光层的接合面依次配置的第一及第二区域，第一区域含有规定的杂质元素且与第二区域邻接，第一区域的导电型为p型，自窗层与扩散浓度分布调整层的接合面在第二区域中朝上述窗层内或扩散浓度分布调整层内延伸的规定区域内的n型载体浓度的最大值在5×1015cm-3以上、1×1019cm-3以下的范围内。

公开(公告)号：CN102782879A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180012717.2

申请日：2011-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  石塚贵司 ,  秋田胜史 ,  猪口康博 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14652 ,  H01L29/15 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光接收元件等，其中能够在II型多量子阱（MQW）结构中防止短波长侧的响应度降低，同时总体提高响应度。该光接收元件特征在于，该光接收元件设置有II型MQW的光接收层（3），具有像素P，并位于衬底1上，该光接收层（3）形成在由III-V族化合物半导体构成的衬底（1）上，MQW结构包括50对以上的两个不同的III-V族化合物半导体层（3a、3b）。在该成对的两个不同的III-V族化合物半导体层中，具有较高的价带势能的层（3a）的厚度比另一个层（3b）的厚度薄。

公开(公告)号：CN102292833A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005491.9

申请日：2010-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035209 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体受光元件，其具有含有含Sb作为V族构成元素的III-V化合物半导体层的受光层及n型InP窗层，且可减少暗电流。由于受光层(21)的GaAsSb层成长时所供给的锑的记忆效应，所以成长在受光层(21)上的InP层(23)中含有锑作为杂质。在III-V族化合物半导体受光元件(11)中，InP层(23)含有锑作为杂质，并且在InP层(23)中添加有硅作为n型掺杂剂。虽然InP层(23)中的锑杂质以生成空穴的方式作用，但添加至InP层(23)中的硅补偿该生成载体，从而InP层(23)的第二部分(23d)表现充分的n导电性。

公开(公告)号：CN105144410A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022894.2

申请日：2014-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柴田馨 ,  秋田胜史 ,  藤井慧 ,  石塚贵司

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14652 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。

公开(公告)号：CN102203960B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201080003113.7

申请日：2010-07-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  石塚贵司 ,  秋田胜史 ,  永井阳一 ,  田边达也

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，其中能够有效地生长具有许多对量子阱的多量子阱结构并同时确保优异的晶体品质。本发明还提供了通过这种方法制造的半导体器件。本发明制造半导体器件的方法包括形成具有50对以上由III-V族化合物半导体构成的量子阱的多量子阱结构(3)的步骤。在所述形成多量子阱结构(3)的步骤中，通过全金属有机气相淀积法(全金属有机MOVPE法)来形成所述多量子阱结构。

公开(公告)号：CN103503165A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021545.X

申请日：2012-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  藤井慧 ,  石塚贵司 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/109

Abstract: 提供了以下内容：一种光电探测器，其中，在具有近红外区到远红外区中的灵敏度的III-V半导体中，可以以高精度来控制载流子浓度；一种外延晶片，其形成用于光电探测器的材料；以及，一种用于制作外延晶片的方法。本发明提供有：衬底，其包括III-V族化合物半导体；光接收层，其用于接收光；窗口层，其具有比光接收层大的带隙能量；以及，p-n结，其至少被定位在光接收层处；并且特征在于，窗口层表面的均方根表面粗糙度为10nm或更大且40nm或更小。

公开(公告)号：CN103403884A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010022.5

申请日：2012-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035209 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/68 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提供一种光电二极管等，该光电二极管可以在1.5μm至1.8μm的近红外波长范围内具有足够高的灵敏度并且可以具有低暗电流。根据本发明的光电二极管（10）包括：缓冲层（2），其设置为与InP衬底（1）的顶部相邻并与之接触；和吸收层（3），其位于缓冲层上并与之接触。吸收层包括50或更多个对，其中第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）构成一对，第一半导体层（3a）具有0.73eV或更小的带隙能量，第二半导体层（3b）具有比第一半导体层（3a）的带隙能量大的带隙能量。第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）形成应变补偿量子阱结构，并且每层都具有不小于1nm且不大于10nm的厚度。