公开(公告)号：CN102655160A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210051338.0

申请日：2012-03-01

申请人： 佳能株式会社

发明人： 市村知昭 ,  冈田聪 ,  长野和美 ,  野村庆一 ,  石田阳平 ,  佐佐木庆人 ,  中山明哉

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  G21K4/00 ,  G01T1/20

CPC分类号： G21K4/00 ,  G01T1/2002 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14658

摘要： 本发明涉及放射线检测装置、闪烁体板、其制造方法和放射线检测系统。提供一种包括传感器板和闪烁体板的放射线检测装置。闪烁体板包含：基板；被设置在基板上的闪烁体；和具有第一有机保护层和无机保护层并且覆盖闪烁体的闪烁体保护膜。闪烁体保护膜位于传感器板和闪烁体之间。第一有机保护层相对于无机保护层位于闪烁体侧。闪烁体的传感器板侧的表面与无机保护层部分地接触。

公开(公告)号：CN116887755A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202180093028.2

申请日：2021-12-22

申请人： 佳能株式会社

发明人： 野田刚司 ,  鸟居聪太 ,  竹中克郎 ,  中山明哉 ,  佐藤大辅 ,  岩井春树

IPC分类号： A61B6/00

摘要： 一种放射线成像装置包括：图像获得单元，所述图像获得单元被配置为获得与入射的放射线对应的图像数据；以及图像处理单元，所述图像处理单元被配置为基于利用第一曝光场由所述图像获得单元获得的图像数据执行第一骨骼密度测量，并且基于利用第二曝光场由所述图像获得单元获得的图像数据执行第二骨骼密度测量，所述第二曝光场比所述第一曝光场窄。

公开(公告)号：CN111820928A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010303343.0

申请日：2020-04-17

申请人： 佳能株式会社

发明人： 须和英智 ,  中山明哉 ,  近藤弘人 ,  铃木正隆 ,  樱木七平 ,  竹内敦史 ,  江川陸 ,  渡部哲绪 ,  权田贵昭

IPC分类号： A61B6/00

摘要： 公开了放射线成像装置。提供了一种放射线成像装置，该放射线成像装置包括：内部单元，该内部单元包括：放射线检测器，被布置成将穿过被检体的放射线转换成电信号；以及基板，被布置成支撑放射线检测器；壳体，具有长方体形状并且被布置成容纳内部单元；以及嵌合构件，被插入在壳体的内壁与内部单元的端部之间，并且在从放射线的入射方向看时的平面图中被嵌合到壳体的内壁和内部单元的端部。

公开(公告)号：CN102655160B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210051338.0

申请日：2012-03-01

申请人： 佳能株式会社

发明人： 市村知昭 ,  冈田聪 ,  长野和美 ,  野村庆一 ,  石田阳平 ,  佐佐木庆人 ,  中山明哉

IPC分类号： H01L27/146 ,  G21K4/00 ,  G01T1/20

CPC分类号： G21K4/00 ,  G01T1/2002 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14658

摘要： 本发明涉及放射线检测装置、闪烁体板、其制造方法和放射线检测系统。提供一种包括传感器板和闪烁体板的放射线检测装置。闪烁体板包含：基板；被设置在基板上的闪烁体；和具有第一有机保护层和无机保护层并且覆盖闪烁体的闪烁体保护膜。闪烁体保护膜位于传感器板和闪烁体之间。第一有机保护层相对于无机保护层位于闪烁体侧。闪烁体的传感器板侧的表面与无机保护层部分地接触。

公开(公告)号：CN103705256A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310460100.8

申请日：2013-09-30

申请人： 佳能株式会社

发明人： 佐佐木庆人 ,  冈田聪 ,  石田阳平 ,  中山明哉

IPC分类号： A61B6/00 ,  G01T1/20

CPC分类号： G01T1/2006 ,  G01T1/202

摘要： 本发明提供放射线成像系统、放射线成像装置及其制造方法。放射线成像装置包括：传感器基板，其上布置有光电转换元件；闪烁体基体，在所述闪烁体基体上布置有用于将放射线转换成具有能被光电转换元件检测的波长的光的闪烁体层，并且所述闪烁体基体被粘附于传感器基板以使得闪烁体层被布置在传感器基板与闪烁体基体之间；以及密封部件，被配置为固定传感器基板与闪烁体基体的边缘部分，并与闪烁体层分隔开，其中，闪烁体基体在布置闪烁体层的区域的外边缘与被密封部件固定的边缘部分之间的区域中包含用于减小作用于密封部件上的应力的弯曲部分。

公开(公告)号：CN109758172A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811328368.5

申请日：2018-11-09

申请人： 佳能株式会社

发明人： 佐佐木庆人 ,  市村知昭 ,  竹田慎市 ,  西部航太 ,  保科智启 ,  中山明哉

IPC分类号： A61B6/04

CPC分类号： G21K1/025 ,  A61B6/0407 ,  A61B6/06 ,  A61B6/4266 ,  A61B6/4283 ,  A61B6/4291 ,  A61B6/4452

摘要： 本发明涉及成像台和放射线成像系统。成像台包括：滤线器装置，放射线成像装置能够安装至所述滤线器装置；顶板，所述顶板连接至滤线器装置并允许受试者登到顶板上；和旋转机构，所述旋转机构设置成以相对可旋转的方式连接滤线器装置和顶板。本发明的成像台可以容易地适合多种成像技术。

公开(公告)号：CN102386198A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110261646.1

申请日：2011-08-29

申请人： 佳能株式会社

发明人： 松木康浩 ,  铃木隆典 ,  都筑幸司 ,  长谷川真 ,  小坂忠志 ,  中山明哉

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请涉及一种制造光学传感器的方法，该方法包括以下步骤：提供具有多个像素区域的半导体晶片；在半导体晶片上形成包围每个像素区域的网格状肋，所述网格状肋具有预定宽度并由固定构件形成；提供透光衬底，在该透光衬底的主表面上具有间隙部分，所述间隙部分具有宽度小于网格状肋的沟槽和多个通孔中的至少一种；固定半导体晶片和透光衬底，以使得网格状肋和间隙部分彼此面对；和将固定的半导体晶片和透光衬底切割为片，以使得每片包括一个像素区域。

公开(公告)号：CN1551375A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038646.5

申请日：2004-05-08

申请人： 佳能株式会社

发明人： 中山明哉 ,  田村秀男 ,  高井康好

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022475 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明涉及一种叠层型光电器件，该光电器件叠置多层具有pin结构的单位元件、在该层叠的单位元件的光入射侧的面上具有透明电极，设置于上述光入射侧的透明电极是由氧化铟锡(ITO)构成的，在上述多个单位元件之中，通过光收集效率测定的电流最小的单位元件中该透明电极的最大吸收波长的光的透射率大于等于90％、小于等于99.8％，并且电阻大于等于50Ω/□小于等于300Ω/□。利用这种结构，可以实现光电转换效率良好、成本低廉并且可靠性高的叠层型光电元件。

公开(公告)号：CN1476052A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03178616.2

申请日：2003-07-17

申请人： 佳能株式会社

发明人： 近藤隆治 ,  田村秀男 ,  保野篤司 ,  远山上 ,  园田雄一 ,  岩田益光 ,  中山明哉 ,  宮本祐介

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

摘要： 一种叠层体形成方法是，以具有：在基体上边形成中间层的第1工序；和在所述中间层上边形成与所述基体的粘附力比所述中间层小且反射率比所述中间层大的金属层的第2工序，所述第2工序的途中增加所述金属层的形成速度为特征。由此，提供具有良好特性，即使在高温下、潮湿下、或连续长时间使用下等也有优良的反射特性和粘附性的叠层体的形成方法和光电器件的制造方法。

公开(公告)号：CN1125357A

公开(公告)日：1996-06-26

申请号：CN95116679.4

申请日：1995-08-24

申请人： 佳能株式会社

发明人： 中山明哉

IPC分类号： H01L31/052 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/056 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

摘要： 一种有纹理结构的背部反射体层，和形成它的方法。由于防止了底部金属或合金的氧化，这种背部反射体层有高的反射率。进一步的目的是提供一种性能优良的光电元件制造它的工艺过程。这种背部反射体层具有一种金属或合金和形成于其上的一种第二金属的透明氧化物。一种光电元件，它是在这种背部反射体层之上形成半导体结合体而形成的。