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公开(公告)号：CN101038436A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088522.1
申请日：2007-03-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03F7/165 , C07F7/12 , C07F7/1804 , G03F7/0751 , G03F7/0755
Abstract: 本发明提供使用更少数量的处理步骤形成低缺陷的微粒图案，点阵图案或孔阵图案的光敏硅烷偶联剂，以及使用这种光敏硅烷偶联剂的构图方法，其中所使用的是具有被邻－硝基苄氧羰基保护的仲氨基的光敏硅烷偶联剂。
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公开(公告)号：CN101038439A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088523.6
申请日：2007-03-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: G03F7/0755 , C07F7/12 , C07F7/1804 , G03F7/022 , G03F7/0751 , G03F7/165
Abstract: 本发明提供一种使用更少数量的步骤形成低缺陷的微粒图案，点阵图案或孔阵图案的光敏硅烷偶联剂，以及使用这种光敏硅烷偶联剂的图案的形成方法，所使用的是含有1，2－萘醌－2－二叠氮基－5－磺酰基或1，2－萘醌－2－二叠氮基－4－磺酰基的光敏硅烷偶联剂。
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公开(公告)号：CN1977360B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200580021755.9
申请日：2005-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/14 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7035 , B82Y10/00 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/2014 , G03F7/70325 , G03F7/70433 , G03F7/70691 , G03F9/703 , G03F9/7053 , G03F9/7088
Abstract: 本发明公开了一种曝光设备、曝光方法和曝光掩模，用于改进的光学光刻。具体来讲，根据本发明的一个优选方式，该曝光设备被设置成与具有可弹性变形的保持部件和提供在该保持部件上并形成有开口图案的光阻挡膜的曝光掩模一起使用，其中，为了曝光，使曝光掩模弯曲以便与要曝光的物体接触。该曝光设备包括距离检测系统，用于检测弯曲之前的曝光掩模和要曝光的物体之间的距离，和距离控制系统，用于根据来自所述距离检测系统的信号来控制弯曲之前的曝光掩模和要曝光的物体之间的距离。
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公开(公告)号：CN1977360A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021755.9
申请日：2005-06-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/14 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7035 , B82Y10/00 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/2014 , G03F7/70325 , G03F7/70433 , G03F7/70691 , G03F9/703 , G03F9/7053 , G03F9/7088
Abstract: 本发明公开了一种曝光设备、曝光方法和曝光掩模，用于改进的光学光刻。具体来讲，根据本发明的一个优选方式，该曝光设备被设置成与具有可弹性变形的保持部件和提供在该保持部件上并形成有开口图案的光阻挡膜的曝光掩模一起使用，其中，为了曝光，使曝光掩模弯曲以便与要曝光的物体接触。该曝光设备包括距离检测系统，用于检测弯曲之前的曝光掩模和要曝光的物体之间的距离，和距离控制系统，用于根据来自所述距离检测系统的信号来控制弯曲之前的曝光掩模和要曝光的物体之间的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103033774A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210362959.0
申请日：2012-09-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01R33/323 , G01R33/24
Abstract: 公开了一种核磁共振成像设备以及核磁共振成像方法。本发明具有提供当共同的磁场被用作光学磁强计的偏磁场并用作要向样品施加的静磁场时避免带有光学磁强计的零灵敏度的区域并允许通过强的磁共振来进行成像的核磁共振成像设备等等的目标。当向样品施加静磁场的静磁场施加单元的方向是z方向时，多个标量磁强计的碱金属单元被布置为在z方向不与要被成像的区域重叠，并且在垂直于z方向的平面内方向不与要被成像的区域交叉。
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公开(公告)号：CN101038436B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200710088522.1
申请日：2007-03-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03F7/165 , C07F7/12 , C07F7/1804 , G03F7/0751 , G03F7/0755
Abstract: 本发明提供使用更少数量的处理步骤形成低缺陷的微粒图案，点阵图案或孔阵图案的光敏硅烷偶联剂，以及使用这种光敏硅烷偶联剂的构图方法，其中所使用的是具有被邻-硝基苄氧羰基保护的仲氨基的光敏硅烷偶联剂。
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公开(公告)号：CN103033781B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210362961.8
申请日：2012-09-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B5/055
CPC classification number: G01R33/26 , G01R33/482
Abstract: 公开了核磁共振成像装置和核磁共振成像方法。本发明的目的是提供核磁共振成像装置等，在共同磁场被用作光学磁强计的偏磁场和作为要向样品施加的静磁场时，避免光学磁强计的零灵敏度区域并允许利用强磁共振成像。当静磁场施加单元向样品施加静磁场的方向是z方向时，标量磁强计的碱金属单元被布置为在z方向上不与所述要成像的区域重叠，并且在与z方向正交的平面内方向上不与要成像的区域相交。
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公开(公告)号：CN103033774B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210362959.0
申请日：2012-09-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B5/055
CPC classification number: G01R33/323 , G01R33/24
Abstract: 公开了一种核磁共振成像设备以及核磁共振成像方法。本发明具有提供当共同的磁场被用作光学磁强计的偏磁场并用作要向样品施加的静磁场时避免带有光学磁强计的零灵敏度的区域并允许通过强的磁共振来进行成像的核磁共振成像设备等等的目标。当向样品施加静磁场的静磁场施加单元的方向是z方向时，多个标量磁强计的碱金属单元被布置为在z方向不与要被成像的区域重叠，并且在垂直于z方向的平面内方向不与要被成像的区域交叉。
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公开(公告)号：CN103033781A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210362961.8
申请日：2012-09-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01R33/26 , G01R33/482
Abstract: 公开了核磁共振成像装置和核磁共振成像方法。本发明的目的是提供核磁共振成像装置等，在共同磁场被用作光学磁强计的偏磁场和作为要向样品施加的静磁场时，避免光学磁强计的零灵敏度区域并允许利用强磁共振成像。当静磁场施加单元向样品施加静磁场的方向是z方向时，标量磁强计的碱金属单元被布置为在z方向上不与所述要成像的区域重叠，并且在与z方向正交的平面内方向上不与要成像的区域相交。
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