公开(公告)号：CN100459036C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480015978.X

申请日：2004-06-18

申请人： 株式会社尼康

发明人： 蛯原明光

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70333 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70225 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70716 ,  G03F7/70725 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/70758 ,  G03F7/70816 ,  Y10T29/49826

摘要： 液压静力衬垫(32)和液压静力衬垫(34)保持晶片(W)和其上安置该晶片的台(TB)。液压静力衬垫(32)将轴承表面和晶片(W)之间在投影光学系统(PL)的光轴方向上的距离维持在预定值。另外，因为液压静力衬垫与静压气体轴承不同，液压静力衬垫利用在轴承表面和支撑物体(衬底)之间的不可压缩的流体(液体)的静压，所以轴承的刚度很高而且在轴承表面和衬底之间的距离维持稳定和恒定。此外，液体(如纯水)的粘滞度比气体(如空气)高，在振荡阻尼方面也比气体好。因此，在不一定必须布置焦点位置探测系统的情况下，可以实现转印到晶片(衬底)上的图案基本上没有散焦。

公开(公告)号：CN101243360A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200680029692.6

申请日：2006-05-26

申请人： 卡尔蔡司SMT股份公司

发明人： S·贝德 ,  W·辛格 ,  K·-H·舒斯特

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G02B17/0892 ,  B82Y10/00 ,  G02B17/0804 ,  G02B17/0812 ,  G03F7/70225 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70958

摘要： 一种适合于微光刻投影曝光机的投影物镜，其用于将该投影物镜的物平面(OP)中提供的图案成像到该投影物镜的像平面(IP)上，其具有多个光学元件，其对于该投影物镜的工作波长处的辐射是透明的。至少一个光学元件(LOE1，LOE2)是由在工作波长处折射率n≥1.6的高折射率材料制成的高折射率光学元件。

公开(公告)号：CN1570771A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410055265.8

申请日：2004-02-03

申请人： 株式会社东芝

发明人： 铃木启之 ,  大川秀树 ,  户野谷纯一

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/7035 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/942

摘要： 提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂13和具有铬膜22的光掩模20靠近来对上述上层抗蚀剂13进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部23的上述铬膜22通过纯水膜15与上述上层抗蚀剂13靠近，利用近场光K在与上述开口部23相对应的位置上对上述上层抗蚀剂13进行曝光。

公开(公告)号：CN109212912A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201711261402.7

申请日：2017-12-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈铭锋 ,  周硕彦

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L27/0207 ,  G03F1/14 ,  G03F1/36 ,  G03F1/54 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70325

摘要： 半导体装置的制造方法包含在基底上方提供具有图案化的吸收层的光掩模，使用具有横向电(TE)波和横向磁(TM)波混合的光束照射光掩模，照射包含在图案化的吸收层的侧壁上产生表面等离子体电磁极化子(SPP)，表面等离子体电磁极化子用于抑制横向磁波，同时反射横向电波，将目标基底暴露于横向电波。

公开(公告)号：CN101124521A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200580033714.1

申请日：2005-06-23

申请人： 先进微装置公司

发明人： R·R·戈鲁甘苏 ,  M·R·布鲁斯

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G03F7/70325

摘要： 揭露一种使用固态浸没透镜的微影术。于一实施态样中，提供一种包含具有第一面和第二面之抗蚀膜(resist film)的装置，其中，该第二面为第一面的相对面。将一个或多个固态浸没透镜设置于该抗蚀膜的第一面之上。于另一实施态样中，提供一种制造方法，包括形成抗蚀膜以及利用穿透过一个或多个固态浸没透镜的辐射使该抗蚀膜曝光。

公开(公告)号：CN101052921A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580036281.5

申请日：2005-10-13

申请人： 保罗·谢勒学院

发明人： H·H·索拉克

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70408 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/22 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/7035

摘要： 本发明的目的在于提供一种以成本有效的方式得到具有在5－100nm范围内的周期的周期性和准周期性图形的系统和方法。当然，该系统对周期在该范围之外的图形也具有一般适用性。该目的通过本发明来实现，本发明公开了一种用于通过使用干涉光刻技术在样品上产生周期性和/或准周期性图形的系统，该系统包括：a)光子源；b)具有与所希望的图形相应的周期性或准周期性图形的掩模；所述掩模被设置在与光子源的第一距离处或被设置在例如瞄准仪、收集器、反射镜、透镜、滤光器和光阑的中间光学元件之后；c)用于保持样品的样品保持器在光子源的相对侧被设置在与掩模的第二距离处，由此该第二距离被选择成在这样的范围内，在该范围内强度分布基本上是固定的和距离不变的，或者第二距离被改变以便在样品表面上得到所希望的平均强度分布。

公开(公告)号：CN1280360A

公开(公告)日：2001-01-17

申请号：CN00120347.9

申请日：2000-07-07

申请人： 索尼株式会社

发明人： 今西慎悟

IPC分类号： G11B7/08 ,  G11B7/12

CPC分类号： G11B7/261 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70325 ,  G11B7/0908 ,  G11B7/122 ,  G11B7/1387

摘要： 为了高精度地控制在近场区域中的间隙长度,曝光装置包括发射曝光激光的曝光光源(11);发射其波长与曝光激光不同的间隙长度控制激光的间隙长度控制光源(16);将间隙长度控制间隙投射到聚光镜(14)和固态浸没透镜(SIL)(15)的聚光镜(17a)、准直透镜(17b)和分色镜(12);和检测来自SIL(15)的出射表面(15b)的间隙长度控制激光的返回部分强度的光检测器(22)。于是,在曝光装置中,根据来自光检测器(22)的检测回光强度控制在SILL(15)和对象(100)之间的间隙。

公开(公告)号：CN104395832B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380034909.2

申请日：2013-03-29

申请人： 株式会社V技术

发明人： 梶山康一 ,  桥本和重 ,  新井敏成

IPC分类号： G03F7/20 ,  G02F1/1337

CPC分类号： G02F1/133788 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/133753 ,  G02F2001/133757 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70308 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/70358

摘要： 本发明提供一种光取向曝光装置及光取向曝光方法。将取向曝光方式适用于多域法时，消除单位图像区域的分割区域中的边界附近的取向混乱。一种光取向曝光装置(100)，其将液晶显示元件的各单位图像区域分割为多个分割区域，并分别向不同方向对各分割区域的取向材料膜进行光取向，所述光取向曝光装置具备：第1掩模(M1)及第1曝光装置(11)，用于单独接近式曝光第1分割区域(Da1)；第2掩模(M2)及第2曝光装置(12)，用于单独接近式曝光与第1分割区域(Da1)相邻的第2分割区域(Da2)；及第3掩模(M3)及第3曝光装置(13)，用于曝光第1分割区域(Da1)与第2分割区域(Da2)的边界附近的第1分割区域(Da1)侧的区域，第3曝光装置(13)相对于被曝光面Bs具备与第1曝光装置(11)或第2曝光装置(12)相同的光照射角度，在第3掩模(M3)的掩模开口与被曝光面(Bs)之间具备聚光机构(20)，其使掩模透射光聚光于边界附近的第1分割区域(Da1)侧的区域。

公开(公告)号：CN103080843A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180043123.8

申请日：2011-07-05

申请人： 尤利塔股份公司

发明人： F.克卢贝 ,  C.戴斯 ,  H.索拉克

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70408 ,  G03B27/54 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/7035

摘要： 一种用于向光敏层中印刷所需图案的方法包括：提供承载与第一方向平行的线性特征的图案的掩模；布置与所述掩模平行并且从所述掩模分离的层；生成基本上单色光并且在基本上在与所述第一方向平行的平面中的角度范围上用所述光照射掩模图案，由此掩模透射的每个照射角度的光形成在Talbot平面之间的横向强度分布的范围并且在层处形成光场分量，并且所述分量的叠加印刷所需图案，其中相对于波长、间隔和周期选择角度的范围，使得所述分量的叠加基本上等同于光以角度之一形成的横向强度分布范围的平均。

公开(公告)号：CN101052921B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200580036281.5

申请日：2005-10-13

申请人： 尤利塔股份公司

发明人： H·H·索拉克

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70408 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/22 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/7035

摘要： 本发明的目的在于提供一种以成本有效的方式得到具有在5-100nm范围内的周期的周期性和准周期性图形的系统和方法。当然，该系统对周期在该范围之外的图形也具有一般适用性。该目的通过本发明来实现，本发明公开了一种用于通过使用干涉光刻技术在样品上产生周期性和/或准周期性图形的系统，该系统包括：a)光子源；b)具有与所希望的图形相应的周期性或准周期性图形的掩模；所述掩模被设置在与光子源的第一距离处或被设置在例如瞄准仪、收集器、反射镜、透镜、滤光器和光阑的中间光学元件之后；c)用于保持样品的样品保持器在光子源的相对侧被设置在与掩模的第二距离处，由此该第二距离被选择成在这样的范围内，在该范围内强度分布基本上是固定的和距离不变的，或者第二距离被改变以便在样品表面上得到所希望的平均强度分布。