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公开(公告)号：CN1181222C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN97104502.X
申请日：1997-03-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4412 , C23C16/481 , C23C16/545
Abstract: 一种淀积膜形成装置，其特征在于：用于控制淀积室壁温度的温度控制部件通过一热传导率调整板与淀积室外壁相接触，该热传导率调整板能在膜形成过程中抑制淀积室温度上升时防止过冷却，并且它能在膜淀积时长时间维持淀积室壁的温度在一优选温度，从而形成淀积膜。结果该装置能在一长时间内批量生产质量稳定的淀积膜，尤其是大面积的和高质量的应用非晶半导体的光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN1048568A
公开(公告)日：1991-01-16
申请号：CN90103311.1
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/511 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3277 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/872 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 微波等离子CVD方法用以连续地形成大面积的长的功能性淀积膜，包括：使一衬底腹板从释放机构到卷收机构在纵向连续地运动；在运动中将衬底腹板弯曲和突出形成一圆柱形部分作为膜生成腔的圆周墙；将原料气体由供气装置引入到上述膜生成腔内；同时利用微波施加器装置将微波能量辐射到上述膜生成腔内，以在上述的膜生成腔内产生微波等离子，借此在暴露在上述微波等离子中的上述连续运动的圆周墙的内墙表面上形成淀积膜。
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公开(公告)号：CN1291062C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN01117434.X
申请日：2001-04-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4401 , G01M3/002
Abstract: 薄膜淀积设备或工艺，用抽气装置经抽气管道对内部可抽空的真空室抽气；在对真空室进行抽气时向真空室内送入材料气体；施加高频功率而在真空室内的衬底上淀积薄膜；温度传感器探测送入真空室的材料气体与从外部进入空气所含的氧起反应产生的反应热，依据温度传感器的测量值来检漏，从而能够停止材料气体的馈送。在薄膜淀积设备或工艺中，当因意外事故，如管道破裂，而致空气进入真空室时，能迅速检漏，因而能使用自燃性气体。
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公开(公告)号：CN1323917A
公开(公告)日：2001-11-28
申请号：CN01117434.X
申请日：2001-04-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4401 , G01M3/002
Abstract: 薄膜淀积设备或工艺,用抽气装置经抽气管道对内部可抽空的真空室抽气;在对真空室进行抽气时向真空室内送入材料气体;施加高频功率而在真空室内的衬底上淀积薄膜;温度传感器探测送入真空室的材料气体与从外部进入空气所含的氧起反应产生的反应热,依据温度传感器的测量值来检漏,从而能够停止材料气体的馈送。在薄膜淀积设备或工艺中,当因意外事故,如管道破裂,而致空气进入真空室时,能迅速检漏,因而能使用自燃性气体。
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公开(公告)号：CN1049870A
公开(公告)日：1991-03-13
申请号：CN90106809.8
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法，所述方法包括：按纵向连续移动的基片带；在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室；通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间；同时，通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区，由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1032021C
公开(公告)日：1996-06-12
申请号：CN90106810.1
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3222 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法，该法包括：沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤，此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁，于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间；再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体；同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波，由此向成膜空间提供微波功率，使在空间内激发起等离子体，从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。
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公开(公告)号：CN1030722C
公开(公告)日：1996-01-17
申请号：CN90103311.1
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/511 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3277 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/872 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 微波等离子CVD方法用以连续地形成大面积的长的功能性淀积膜，包括：使一衬底腹板从释放机构到卷收机构在纵向连续地运动；在运动中将衬底腹板弯曲和突出形成一圆柱形部分作为膜生成腔的圆周墙；将原料气体由供气装置引入到上述膜生成腔内；同时利用微波施加器装置将微波能量辐射到上述膜生成腔内，以在上述的膜生成腔内产生微波等离子，借此在暴露在上述微波等离子中的上述连续运动的圆周墙的内墙表面上形成淀积膜。
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公开(公告)号：CN1029994C
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN89100619.2
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 越前裕
CPC classification number: H01J37/32357 , C23C16/511
Abstract: 一种微波等离子化学汽相淀积装置(MW-PCVD装置)，包括真空容器，抽气装置。微波导入装置。微波传输回路包括共振腔，与两个匹配回路形成整体。MW-PCVD装置能在高运行率下运行，改进工作效率，降低A-Si元件的制造成本，降低用MW-PCVD装置淀积薄膜时，各元件间的性能偏差。
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公开(公告)号：CN1029993C
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN90106809.8
申请日：1990-06-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3277 , H01J2237/3325 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积功能性淀积薄膜的方法，所述方法包括：按纵向连续移动的基片带；在基片移动过程中通过弯曲和凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒形部分从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室；通过气体输送装置将成膜原材料气体导入所述成膜空间；同时，通过采用微波施加装置将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够以垂直于微波能传播方向具有方向性地辐射或传播所述微波能以便在所述成膜空间产生微波等离子区，由此在暴露于所述微波等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成功能性淀积薄膜。一种适用于实际所述方法的装置。
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公开(公告)号：CN1036233A
公开(公告)日：1989-10-11
申请号：CN89100619.2
申请日：1989-02-01
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 越前裕
CPC classification number: H01J37/32357 , C23C16/511
Abstract: 一种微波等离子化学汽相淀积装置(MW-PCVD装置)，包括真空容器，抽气装置，微波导入装置。微波传输回路包括共振腔。与两个匹配回路形成整体。MW-PCVD装置能在高运行率下运行，改进工作效率，降低A-Si元件的制造成本，降低用MW-PCVD装置淀积薄膜时，各元件间的性能偏差。
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